芯干線(xiàn)第三代半導體打入多個(gè)全球一線(xiàn)品牌供應鏈

近期，南京芯干線(xiàn)科技透露，今年第一季度，公司以第三代半導體技術(shù)為核心驅動(dòng)力，在A(yíng)I算力基礎設施、消費電子快充、高端音響電源及商用儲能領(lǐng)域連破壁壘，成功打入多個(gè)全球一線(xiàn)品牌供應鏈。

 AI算力基建領(lǐng)域，芯干線(xiàn)自主研發(fā)的 700V增強型氮化鎵（GaN）功率器件及1200V碳化硅（SIC）MOSFET，經(jīng)過(guò)21年到24年近三年的從器件單體到系統集成等多輪多環(huán)境測試，順利通過(guò)某全球某一線(xiàn)AI服務(wù)器品牌系統商的可靠性驗證，預計在25年第二季度正式接單量產(chǎn)。

 3C消費電子領(lǐng)域，芯干線(xiàn)為某全球一線(xiàn)手機品牌定制的45W氮化鎵PD快充方案Q1實(shí)現規?；慨a(chǎn)。該方案集成了公司第三代 GaN HEMT器件（X3G6516B5），X3G6516B5是700V增強型(E-mode)氮化鎵功率器件，通態(tài)電阻150mΩ，DFN5x6封裝。

 專(zhuān)業(yè)音頻領(lǐng)域，芯干線(xiàn)針對高端音響功放開(kāi)發(fā)的氮化鎵電源方案，已通過(guò)國際一線(xiàn)品牌的認證并實(shí)現量產(chǎn)。

 新能源儲能領(lǐng)域，芯干線(xiàn)為國內某頭部商用儲能企業(yè)定制的1200V全碳化硅模塊，（XS004HB120N6、XS003HB120N6）,于Q1正式投產(chǎn)。3mΩ超低導通電阻，在導通電阻與動(dòng)態(tài)性能上均實(shí)現了相當大的提升。

展望2025，芯干線(xiàn)計劃將研發(fā)投入提升至營(yíng)收的25%，重點(diǎn)突破車(chē)規級SIC MOSFET與800V高壓快充方案，目標在新能源汽車(chē)功率半導體市場(chǎng)實(shí)現從0到1的突破。