英特爾成功部署ASML High-NA EUV光刻系統，推進(jìn)先進(jìn)工藝量產(chǎn)化進(jìn)程

【EEPW 電子產(chǎn)品世界 訊】在全球半導體制造競爭日趨激烈之際，英特爾公司近日宣布已成功將ASML最新一代高數值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻設備整合至其生產(chǎn)線(xiàn)。這一舉措不僅標志著(zhù)芯片制造技術(shù)的一大突破，也預示著(zhù)英特爾正在加快重塑其在全球半導體制造領(lǐng)域領(lǐng)導地位的步伐。

據英特爾透露，首批部署的兩臺ASML High-NA EUV設備已在其先進(jìn)工藝試產(chǎn)線(xiàn)上成功運行，并在一個(gè)季度內處理超過(guò)30,000片晶圓，展示出是上一代系統兩倍的可靠性。這些光刻設備能夠實(shí)現8納米的分辨率，相較當前0.33 NA EUV系統大幅提高了圖形精度，具備更高的工藝集成密度潛力。

英特爾高級工程師史蒂夫·卡森（Steve Carson）在加州圣何塞的行業(yè)會(huì )議上指出：“High-NA系統的引入使得我們可以更少次曝光達成更精細的圖形，這不僅提高了晶圓產(chǎn)能，也大幅簡(jiǎn)化了制程復雜度?！彼f(shuō)，“這為我們后續14A工藝節點(diǎn)的大規模量產(chǎn)奠定了堅實(shí)基礎?！?/p>

High-NA EUV技術(shù)由荷蘭ASML公司研發(fā)，被業(yè)界視為繼傳統EUV之后最具變革性的芯片制造平臺。英特爾是該設備的首批部署客戶(hù)，借此加速推進(jìn)其“IDM 2.0”戰略，在未來(lái)數年內實(shí)現從18A到14A的制程躍遷。

ASML方面也表示，當前對High-NA EUV設備的市場(chǎng)需求正在迅速上升，特別是在人工智能芯片、高性能計算及先進(jìn)移動(dòng)設備領(lǐng)域的推動(dòng)下，該技術(shù)將成為未來(lái)十年半導體制程的關(guān)鍵支撐。

通過(guò)與ASML的深度合作，英特爾意圖在臺積電和三星等競爭對手主導的先進(jìn)工藝市場(chǎng)中重新奪回技術(shù)主動(dòng)權，并支撐其代工業(yè)務(wù)（Intel Foundry）在全球市場(chǎng)的戰略擴張。

隨著(zhù)High-NA EUV光刻設備的量產(chǎn)化推進(jìn)，半導體制造的物理極限將進(jìn)一步被突破，為7納米以下甚至3納米工藝的商業(yè)化提供堅實(shí)支撐。這一變革也將對包括AI加速器、圖形處理器以及新型架構處理器等多個(gè)技術(shù)方向產(chǎn)生深遠影響。