通快霍廷格電子攜前沿等離子體電源解決方案亮相SEMICON China 2025

●   通快霍廷格電子等離子體射頻及直流電源為晶圓制造的沉積、刻蝕和離子注入等關(guān)鍵工藝提供精度、質(zhì)量和效率的有力保障。

●   立足百年電源研發(fā)經(jīng)驗，通快霍廷格電子將持續通過(guò)創(chuàng )新等離子體電源解決方案，助力半導體產(chǎn)業(yè)實(shí)現工藝優(yōu)化、產(chǎn)品穩定和降本增效。

TruPlasma RF 1000(G3)

通快霍廷格電子將于3月26日-28日亮相SEMICON China 2025，展示其針對半導體領(lǐng)域的等離子體電源產(chǎn)品、前沿解決方案和相關(guān)技術(shù)。（通快霍廷格電子展臺：T2館T2203）

通快霍廷格電子是世界領(lǐng)先的等離子體電源制造商，旗下產(chǎn)品有多款專(zhuān)用于沉積和干法刻蝕工藝的優(yōu)質(zhì)等離子體電源，在電源領(lǐng)域擁有一百多年的經(jīng)驗積累。在半導體制造中，通快霍廷格電子的等離子射頻和直流電源在等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）、物理氣相沉積（PVD）、刻蝕以及離子注入等關(guān)鍵工藝中發(fā)揮重要作用，能夠為晶圓制造的精度、質(zhì)量和生產(chǎn)效率提供有力保障。

TruPlasma Match 1000(G2/13)

 “如今，高性能、低功耗、高集成度已成為半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心趨勢。我們非常期待在SEMICON China與各位行業(yè)伙伴相聚，分享通快霍廷格電子在沉積、刻蝕和離子注入等關(guān)鍵工藝環(huán)節的高效解決方案?！蓖旎敉⒏耠娮觼喼薅驴偨?jīng)理Dariusz Czaja（戴睿士）表示，“憑借百年的電源研發(fā)經(jīng)驗，通快霍廷格電子已成為半導體制造領(lǐng)域值得信賴(lài)的等離子體電源專(zhuān)家。我們見(jiàn)證了中國半導體產(chǎn)業(yè)近年來(lái)的飛速發(fā)展，特別是在智能手機、汽車(chē)和人工智能等關(guān)鍵領(lǐng)域，成果令人矚目?！?/p>

在 SEMICON China 2025的展臺上，通快霍廷格電子將重點(diǎn)展示其針對半導體領(lǐng)域的等離子體電源TruPlasma RF和TruPlasma Match產(chǎn)品，以及TGV 面板技術(shù)。

展臺上主要展示產(chǎn)品包括：

●   新一代等離子體射頻電源 TruPlasma RF G3:高速脈沖功能顯著(zhù)提升等離子體產(chǎn)生和控制的能力；多級脈沖技術(shù)提供了靈活多樣的等離子體激發(fā)模式，不僅能優(yōu)化等離子體特性，還能滿(mǎn)足多樣化工藝需求；內置高速采樣示波器可實(shí)時(shí)監測射頻電源的電壓、電流和頻率等參數變化，為沉積和刻蝕工藝的監控、分析和優(yōu)化提供強大支持。

●   TruPlasma Match 匹配器系列：智能匹配算法為沉積、刻蝕等工藝提供全方位監控，確保射頻電源穩定保持50  Ω 阻抗適配；數字化管理平臺實(shí)時(shí)測量射頻功率及相關(guān)參數，實(shí)現快速追蹤頻率變化并有效管理電弧，保障工藝穩定性和一致性。

●   TGV（玻璃通孔）面板技術(shù)：將超短脈沖激光技術(shù)創(chuàng )新性地應用于玻璃中介層制造，同時(shí)利用等離子體電源達成離子注入，實(shí)現了微芯片封裝領(lǐng)域的高精度加工與成本優(yōu)化的雙重突破。