全球晶圓廠(chǎng)，進(jìn)度如何？

晶圓廠(chǎng)，作為半導體芯片制造的核心環(huán)節，一舉一動(dòng)都牽動(dòng)著(zhù)整個(gè)科技產(chǎn)業(yè)的神經(jīng)。2024 年，全球晶圓廠(chǎng)領(lǐng)域迎來(lái)了諸多新變化，新增數量成為各界關(guān)注的焦點(diǎn)。究竟去年有多少新晶圓廠(chǎng)拔地而起？它們分布在哪些區域？又將給半導體產(chǎn)業(yè)乃至全球經(jīng)濟帶來(lái)怎樣的影響？

全球晶圓廠(chǎng)進(jìn)度概況

去年 1 月，SEMI 國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )公布報告，全球半導體產(chǎn)能繼 2023 年以 5.5% 成長(cháng)至每月 2,960 萬(wàn)片晶圓之后，預計 2024 年將增速成長(cháng) 6.4%，突破 3,000 萬(wàn)片大關(guān)。

中國大陸

2024 年中國大陸計劃新增的晶圓廠(chǎng)數量相當可觀(guān)。受惠于政府資金挹注和其他獎勵措施，預期中國將擴大其在全球半導體產(chǎn)能的占比。中國芯片制造商預計 2024 年展開(kāi)了 18 座新晶圓廠(chǎng)，產(chǎn)能年增率從 2023 年的 12% 提升至 2024 年的 13%，產(chǎn)能從 760 萬(wàn)片推升成長(cháng)至 860 萬(wàn)片。

從具體項目來(lái)看，中芯國際深圳 12 英寸晶圓廠(chǎng)、華潤微（潤鵬）12 英寸晶圓廠(chǎng)、增芯 12 英寸晶圓廠(chǎng)等都是 2024 年新增的晶圓廠(chǎng)項目。此外，還有鼎泰匠芯、昇維旭、鵬芯微、鵬新旭等晶圓廠(chǎng)也在 2024 年進(jìn)行了建設或投產(chǎn)。

臺積電

亞利桑那州：2024 年 4 月，臺積電同意將在美國亞利桑那州的投資額增加 250 億美元至 650 億美元，并計劃于 2030 年在該州建立第三座晶圓廠(chǎng)。美國商務(wù)部長(cháng)雷蒙多于 2025 年 1 月確認，臺積電位于亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠(chǎng)一期已經(jīng)開(kāi)始為美國客戶(hù)生產(chǎn) 4 nm 芯片。該工廠(chǎng)預計 2025 年上半年開(kāi)始大批量生產(chǎn)，第二座晶圓廠(chǎng)則預定在 2028 年生產(chǎn)最前沿的 2 nm 芯片。

日本熊本縣：2024 年 12 月，臺積電位于日本熊本縣的晶圓廠(chǎng)（熊本一廠(chǎng)）正式按照計劃開(kāi)始量產(chǎn)，主要生產(chǎn) 12 至 28 nm 的成熟制程邏輯芯片，月產(chǎn)能從最初的 4.5 萬(wàn)片提升至 5.5 萬(wàn)片，首批客戶(hù)包括索尼集團等行業(yè)企業(yè)。熊本二廠(chǎng)計劃在 2027 年年底投產(chǎn)，更先進(jìn)的 6 nm 芯片生產(chǎn)線(xiàn)也將隨之落地。

德國德累斯頓：2024 年 8 月，臺積電正式為其德國德累斯頓晶圓廠(chǎng)舉行奠基儀式。該晶圓廠(chǎng)在 2024 年底開(kāi)始建設，最早于 2027 年第四季度開(kāi)始量產(chǎn)。臺積電德國廠(chǎng)將專(zhuān)注于汽車(chē)芯片，采用 28nm/22nm CMOS 和 16nm/12nm FinFET 技術(shù)，月產(chǎn)能約 4 萬(wàn)片晶圓，預計將創(chuàng )造 2000 個(gè)直接高科技就業(yè)機會(huì )。

韓國

「全球最大的半導體園區」：韓國國土交通部于 2024 年 12 月 26 日正式宣布將龍仁半導體集群指定為國家產(chǎn)業(yè)園區。三星電子和 SK 海力士將作為主導廠(chǎng)商參與該產(chǎn)業(yè)園區的建設。該產(chǎn)業(yè)園區占地 728 萬(wàn)平方米，將擁有多個(gè)大型晶圓廠(chǎng)和 3 個(gè)發(fā)電廠(chǎng)。三星電子計劃在龍仁市投資新建 6 個(gè)晶圓廠(chǎng)，而 SK 海力士則計劃新建 4 座晶圓廠(chǎng)。新的晶圓廠(chǎng)將于 2025 年 3 月正式破土動(dòng)工，預計將在 2027 年完工。整個(gè)園區的建設工程則預計將在 2046 年全面竣工。然而，根據計劃，目標是在 2030 年前實(shí)現第一座晶圓廠(chǎng)順利進(jìn)行首次運營(yíng)。

三星

泰勒晶圓廠(chǎng)：三星電子于 2021 年 11 月宣布在泰勒市建設這座新的半導體工廠(chǎng)，預計投資高達 170 億美元。該工廠(chǎng)是三星電子在美國的第二座芯片代工廠(chǎng)，也是其在得克薩斯州的第二座芯片代工廠(chǎng)（第一座位于奧斯?。?。三星泰勒晶圓廠(chǎng)計劃采用先進(jìn)的生產(chǎn)工藝，包括 3nm 和 2nm 芯片的生產(chǎn)。其中，2nm 芯片的生產(chǎn)線(xiàn)預計將在 2026 年開(kāi)始運營(yíng)。三星泰勒晶圓廠(chǎng)已經(jīng)確定了首家客戶(hù)，即專(zhuān)注于人工智能芯片和加速器的無(wú)晶圓半導體設計廠(chǎng)商 Groq。Groq 計劃采用三星泰勒工廠(chǎng)的 4nm 制程工藝制造下一代的半導體。此外，三星還在積極尋求與其他潛在客戶(hù)的合作，以進(jìn)一步拓展其晶圓代工業(yè)務(wù)。

平澤晶圓廠(chǎng) ：三星已于 2024 年第四季度在平澤 P2 廠(chǎng)建立 10nm 級的第七代 DRAM 測試線(xiàn)，預計 2025 年第一季度完全建成；P4 工廠(chǎng)的首期產(chǎn)線(xiàn)即將投產(chǎn)，但后續的二期和四期項目將被推遲。原計劃在 2024 年下半年動(dòng)工的第二至第四階段的工程全部延后，相關(guān)設備和基礎設施的發(fā)包也一并延后。P4 一期產(chǎn)線(xiàn)預計將于近期開(kāi)始投產(chǎn)，三期產(chǎn)線(xiàn)目前正在建設中，預計中秋節后將正式安裝電力等設備；P5 工廠(chǎng)的建設將推遲到 2026 年。

華城晶圓廠(chǎng)：三星正加速在韓國華城的「S3」工廠(chǎng)內建設其先進(jìn)的 2nm 生產(chǎn)線(xiàn)，目標是在 2025 年第一季度達成每月 7000 片晶圓的生產(chǎn)能力。

日本

Rapidus ：Rapidus 于 2023 年 2 月宣布將在北海道千歲市建造工廠(chǎng)，計劃建造兩座或以上制造大樓，每座大樓對應 2nm 之后不同的技術(shù)世代。該工廠(chǎng)預計在 2025 年 4 月啟動(dòng)先進(jìn)制程原型線(xiàn)，2027 年實(shí)現量產(chǎn)。

瑞薩電子：計劃重新開(kāi)放其位于甲府的工廠(chǎng)，作為能夠制造 IGBT 和功率 MOSFET 的 300 毫米功率半導體晶圓廠(chǎng)。該工廠(chǎng)一旦實(shí)現量產(chǎn)，將使瑞薩功率半導體的總產(chǎn)能翻一番，以滿(mǎn)足日益增長(cháng)的電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源市場(chǎng)的需求。

新加坡

世界先進(jìn)和恩智浦：2024 年 6 月 5 日，晶圓代工廠(chǎng)世界先進(jìn)和恩智浦半導體宣布，計劃在新加坡共同成立一家制造合資公司 VisionPower Semiconductor Manufacturing Company（VSMC），興建一座 12 英寸晶圓廠(chǎng)。投資金額約為 78 億美元，預計 2027 年開(kāi)始量產(chǎn)，并于 2029 年達到 5.5 萬(wàn)片 12 英寸晶圓的月產(chǎn)能。

聯(lián)電：聯(lián)電新加坡新廠(chǎng)于 2024 年中完工，計劃 2025 年初量產(chǎn)，第一期的月產(chǎn)能規劃為 30,000 片晶圓，將提供 22/28nm 制程，總投資金額為 50 億美元。

美光：美光科技投資 70 億美元的新加坡高帶寬內存（HBM）封裝工廠(chǎng)破土動(dòng)工，計劃于 2026 年開(kāi)始運營(yíng)，2027 年先進(jìn)封裝總產(chǎn)能將大幅擴張。

世創(chuàng )電子：德國晶圓制造商世創(chuàng )電子耗資 20 億歐元在新加坡建造的第三座半導體晶圓工廠(chǎng)正式開(kāi)幕，主要生產(chǎn) 12 寸半導體晶圓，預計從投產(chǎn)到年底每月可生產(chǎn)約 10 萬(wàn)片晶圓。

馬來(lái)西亞

英飛凌：英飛凌位于馬來(lái)西亞居林的 200mm 碳化硅功率晶圓廠(chǎng)第一階段建設已圓滿(mǎn)完成，去年 8 月正式啟用居林 3 號晶圓廠(chǎng)模塊，SiC 生產(chǎn)于 2024 年底啟動(dòng)。

歐洲

英飛凌：通過(guò)在德國德累斯頓建設新工廠(chǎng)，英飛凌旨在擴大產(chǎn)能，提高生產(chǎn)效率，降低成本，從而增強在全球市場(chǎng)的競爭力。目前已獲得最終建設許可，正在按計劃進(jìn)行建設，包括基坑挖掘和基礎建設等工作。按計劃該工廠(chǎng)將于 2026 年開(kāi)始生產(chǎn)，主要用于生產(chǎn)模擬 / 混合信號和功率類(lèi)產(chǎn)品，將創(chuàng )造大約 1000 個(gè)高素質(zhì)工作崗位。

ESMC：德國經(jīng)濟部當地時(shí)間 2024 年 12 月 13 日宣布，由德國政府、臺積電、博世、英飛凌、恩智浦共同出資的 ESMC 德累斯頓晶圓廠(chǎng)項目融資正式獲批啟動(dòng)。ESMC 德累斯頓晶圓廠(chǎng)整體投資規模將超 100 億歐元，德國政府方面資助約占半數的 50 億歐元，臺積電出資約 35%，博世、英飛凌和恩智浦半導體各出資約 5%。該工廠(chǎng)將在 300mm 的硅晶圓上生產(chǎn) 28nm-12nm 成熟制程的車(chē)用、工業(yè)半導體產(chǎn)品，滿(mǎn)載時(shí)月產(chǎn)能將達約 4.17 萬(wàn)片晶圓。

Wolfspeed：Wolfspeed 原計劃在德國薩爾州建造一座全球最大的 8 英寸碳化硅晶圓工廠(chǎng)，該工廠(chǎng)將采用創(chuàng )新性制造工藝來(lái)生產(chǎn)下一代碳化硅器件。但 Wolfspeed 在去年 6 月宣布推遲了在德國薩爾州建設價(jià)值 30 億美元工廠(chǎng)的計劃。

英特爾：英特爾馬格德堡晶圓廠(chǎng)的建設進(jìn)度多次推遲。最初計劃于 2023 年上半年啟動(dòng)，但隨后因補貼問(wèn)題、施工現場(chǎng)遺跡清理、黑土保護等挑戰，推遲至 2024 年夏天。然而，到了 2024 年，該項目又因歐盟補貼緩慢等原因，再次推遲至 2025 年 5 月動(dòng)工。

美國

英特爾：由于市場(chǎng)挑戰以及政府撥款緩慢等原因，英特爾在 2024 年 3 月 1 日提交給俄亥俄州政府官員的一份報告中顯示，他們在俄亥俄州的兩座晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)將比原計劃至少晚兩年，要到 2027 年或 2028 年才能投入運營(yíng)。

從產(chǎn)業(yè)發(fā)展角度而言，2024 年全球晶圓廠(chǎng)的這些動(dòng)態(tài)意味著(zhù)半導體行業(yè)競爭格局愈發(fā)復雜多元。一方面，傳統芯片制造巨頭如臺積電、三星等加速全球布局，在不同地域憑借技術(shù)、資金與品牌優(yōu)勢搶占市場(chǎng)高地；另一方面，新興區域如中國、新加坡等地的晶圓廠(chǎng)蓬勃興起，借助政策扶持與本土市場(chǎng)潛力，不斷縮小與行業(yè)領(lǐng)導者的差距，給全球半導體供應鏈帶來(lái)新的變數。

另一方面，數以百億計的投資涌入各地，創(chuàng )造了海量直接與間接就業(yè)崗位。從建筑工人搭建廠(chǎng)房，到設備工程師調試高精尖機器，再到研發(fā)人員探索前沿技術(shù)，產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節人才需求大增。同時(shí)，帶動(dòng)了當地配套產(chǎn)業(yè)如化工、精密機械、軟件研發(fā)等協(xié)同發(fā)展，為區域經(jīng)濟注入強勁動(dòng)力。以德國德累斯頓為例，臺積電與英飛凌等企業(yè)的項目落地，不僅讓這座城市成為歐洲半導體產(chǎn)業(yè)新地標，更輻射周邊地區，形成產(chǎn)業(yè)集群效應。

2025 年

根據 SEMI 最新的全球晶圓廠(chǎng)預測季度報告，半導體行業(yè)預計將在 2025 年啟動(dòng) 18 個(gè)新晶圓廠(chǎng)建設項目。新項目包括三座 200 mm 和十五座 300 mm 設施，其中大部分預計將于 2026 年至 2027 年開(kāi)始運營(yíng)。

根據預測，中國芯片制造商預計于 2024 年推進(jìn) 18 座新晶圓廠(chǎng)的建設，產(chǎn)能年增長(cháng)率將從 2023 年的 12% 躍升至 13%，相應地，產(chǎn)能規模也會(huì )由 760 萬(wàn)片攀升至 860 萬(wàn)片。

中國臺灣地區在全球半導體產(chǎn)能排名中仍穩居第二。其產(chǎn)能年增長(cháng)率在 2023 年為 5.6%，2024 年預計為 4.2%，每月產(chǎn)能處于穩步上升態(tài)勢，將從 540 萬(wàn)片增長(cháng)至 570 萬(wàn)片，并且自 2024 年起預計會(huì )有 5 座新晶圓廠(chǎng)正式投產(chǎn)運營(yíng)。

全球半導體產(chǎn)能排名第三的韓國，預計 2024 年僅有 1 座新晶圓廠(chǎng)投入生產(chǎn)，產(chǎn)能將在 2023 年 490 萬(wàn)片的基礎上增長(cháng) 5.4%，達到 2024 年的 510 萬(wàn)片。

日本作為全球半導體產(chǎn)能第四的國家，預計 2024 年將有 4 座新晶圓廠(chǎng)開(kāi)啟投產(chǎn)進(jìn)程，產(chǎn)能從 2023 年的 460 萬(wàn)片增長(cháng)至 2024 年的 470 萬(wàn)片，年增長(cháng)率約 2%。

從區域維度來(lái)看，美洲地區在 2024 年將見(jiàn)證 6 座新晶圓廠(chǎng)的投產(chǎn)，這將推動(dòng)該地區晶圓產(chǎn)能年增長(cháng)率達到 6%，產(chǎn)能規模提升至 310 萬(wàn)片。歐洲和中東地區同樣不甘示弱，2024 年計劃有 4 座新晶圓廠(chǎng)投產(chǎn)，預計產(chǎn)能將借此提升 3.6%，達到 270 萬(wàn)片。東南亞地區在 2024 年也將發(fā)力，有 4 座新晶圓廠(chǎng)上馬，產(chǎn)能有望增加 4%，升至 170 萬(wàn)片。

結語(yǔ)

隨著(zhù)新晶圓廠(chǎng)逐步落地運營(yíng)，更先進(jìn)的制程工藝將加速迭代，對芯片性能、功耗、可靠性等關(guān)鍵指標的提升至關(guān)重要。例如，200mm 和 300mm 晶圓廠(chǎng)設施的建設，將適配不同芯片產(chǎn)品需求，促使半導體產(chǎn)品多元化發(fā)展，進(jìn)一步滲透至人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車(chē)等前沿領(lǐng)域。

去年全球晶圓廠(chǎng)呈現出多元發(fā)展態(tài)勢。不同國家和地區的晶圓廠(chǎng)項目各有進(jìn)展，產(chǎn)能或逐步提升，或處于規劃建設階段。從臺積電、三星等行業(yè)巨頭到新興區域的廠(chǎng)商，都在技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能擴充、市場(chǎng)布局上發(fā)力。2025 年半導體行業(yè)新廠(chǎng)建設已有預期，后續需關(guān)注這些項目能否按時(shí)推進(jìn)、技術(shù)突破能否落地以及產(chǎn)能釋放對市場(chǎng)供需的影響，進(jìn)而推動(dòng)半導體產(chǎn)業(yè)及相關(guān)經(jīng)濟領(lǐng)域持續穩定發(fā)展。