修改部分設計，三星第六代10納米級1cDRAM延后半年

韓國媒體MeyyToday報導，存儲器大廠(chǎng)三星將第六代10納米級1cDRAM制程開(kāi)發(fā)延后六個(gè)月到6月才完成。 三星之前宣稱(chēng)第六代10納米級1cDRAM制程2024年底開(kāi)發(fā)完并量產(chǎn)，但良率沒(méi)有提升，導致時(shí)程再延后半年，這會(huì )使預定下半年量產(chǎn)的第六代高頻寬存儲器（HBM4）一并延后。

報導引用市場(chǎng)人士說(shuō)法，三星第六代10納米級1c DRAM制程遇到困難。 盡管市場(chǎng)在2024年底左右，獲得了三星送交的第一個(gè)測試芯片，但因為無(wú)法達到預期的良率，因此將預定開(kāi)發(fā)完成的時(shí)間延后六個(gè)月。 而在這六個(gè)月中，三星預計將良率提升到約70%。 根據過(guò)往業(yè)界的經(jīng)驗，每一代制程的開(kāi)發(fā)周期通常落在18個(gè)月左右。 但是，三星于2022年12月開(kāi)發(fā)出第五代10納米級1bDRAM制程，并于2023年5月宣布量產(chǎn)之后，就一直沒(méi)有1cDRAM狀況的消息。

如果第六代10納米級1cDRAM制程從開(kāi)發(fā)完成到量產(chǎn)的時(shí)間約為正常的6個(gè)月時(shí)間，則三星實(shí)際量產(chǎn)的時(shí)間預計將在2025年底。 而這樣的時(shí)程，幾乎也影響了三星當前正面臨生死關(guān)頭的HBM產(chǎn)品的發(fā)展。 以1cDRAM制程為例，其核心產(chǎn)品是以DDR5內存為主，而HBM則是其衍生產(chǎn)品，開(kāi)發(fā)時(shí)間會(huì )落后核心產(chǎn)品的時(shí)間。 這代表著(zhù)一旦核心產(chǎn)品延后到2025年底量產(chǎn)，HBM量產(chǎn)可能會(huì )在2025年之后進(jìn)行。 這相較于三星先前宣布將于2025年下半年將1cDRAM制程用于HBM4、并量產(chǎn)的情況有所改變，也影響三星HBM市場(chǎng)競爭力。

三星計劃上半年全力投入六代10納米級1cDRAM制程，以盡快提高良率。