SK 海力士介紹全球首款 16-High HBM3E 內存，明年初出樣

11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 內存。該產(chǎn)品可實(shí)現 48GB 的單堆棧容量，預計明年初出樣。

雖然一般認為 16 層堆疊 HBM 內存直到下一世代 HBM4 才會(huì )正式商用，但參考內存領(lǐng)域 IP 企業(yè) Rambus 的文章，HBM3E 也有擴展到 16 層的潛力。

此外注意到，SK 海力士為今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 學(xué)術(shù)會(huì )議準備的論文中也提到了可實(shí)現 1280GB/s 帶寬的 48GB 16-High HBM3E DRAM，本次推出的產(chǎn)品很可能就是該論文對應的研發(fā)成果。

SK 海力士表示其 16-High HBM3E 的 AI 訓練性能較上代 12-High 產(chǎn)品提高了 18%，推理性能更是提升了 32%；這款 HBM 內存仍采用先進(jìn) MR-MUF（批量回流模制底部填充）鍵合技術(shù)，SK 海力士也在開(kāi)發(fā)性能更為優(yōu)秀的混合鍵合。

在 DRAM 內存領(lǐng)域，SK 海力士表示除 16-High HBM3E 外還正在開(kāi)發(fā)基于 1c nm LPDDR5 和 LPDDR6 的 LPCAMM2，這些內存條同時(shí)面向 PC 和數據中心市場(chǎng)。

而在 NAND 閃存領(lǐng)域，該企業(yè)還準備了 PCIe 6.0 固態(tài)硬盤(pán)、基于 QLC 的大容量企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)和下代 UFS 5.0 閃存。