英特爾將在日本新建芯片研發(fā)中心

據媒體報道，日本國立產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（AIST）將與英特爾合作，且投資約1000億日元（約合7億美元），在日本興建最先進(jìn)的半導體研發(fā)中心，預計于2027年開(kāi)始營(yíng)運。

此前就有消息傳出，稱(chēng)英特爾將與日AIST在日本建立芯片研發(fā)基地，新設施將在三到五年內建成，并配備極紫外線(xiàn)光刻（EUV）設備。設備制造商和材料公司將付費使用該設施進(jìn)行原型設計和測試。據介紹，這將是日本第一個(gè)行業(yè)成員能夠共同使用極紫外光刻設備的中心。