東方晶源PanGen平臺再添新成員 套刻標記優(yōu)化工具PanOVL上線(xiàn)

引言

當半導體制造工藝演進(jìn)到22nm及以下節點(diǎn)時(shí)，隨著(zhù)多重圖形技術(shù)的引入，對不同工藝層之間套刻（Overlay）誤差的要求變得越來(lái)越高。套刻測量技術(shù)可分為基于像面圖像識別測量技術(shù)和基于衍射原理的DBO（Diffraction Based Overlay）測量技術(shù)。相比于基于圖像識別的方法，基于衍射的套刻誤差測量具有更好的測量結果重復性、更低的設備引起測量誤差TIS（Tool Introduced Shift）、可適應更小的特征尺寸等特點(diǎn)，成為大規模集成電路22 nm及以下工藝技術(shù)節點(diǎn)所廣泛采用的套刻測量方式。

為了測量套刻誤差，在晶圓上需要專(zhuān)門(mén)設計特定的套刻標記，套刻誤差裝置測量的性能很大程度上取決于套刻標記的設計?；谟嬎愎饪痰腄BO套刻標識優(yōu)化工具可以仿真套刻誤差測量的關(guān)鍵指標，從而基于仿真結果可以給出具有更佳表現的套刻標記設計方案，進(jìn)而縮短標記研發(fā)的周期并提高整個(gè)光刻過(guò)程的效率和質(zhì)量。

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

東方晶源基于堅實(shí)的計算光刻平臺PanGen?推出了DBO套刻標記仿真優(yōu)化產(chǎn)品PanOVL，可以對套刻標記從多個(gè)關(guān)鍵指標維度展開(kāi)計算仿真。同時(shí)考慮大規模仿真海量套刻標記的應用場(chǎng)景，PanOVL引入了分布式的計算框架，大大加速了通過(guò)仿真尋找更優(yōu)套刻標記的效率。

產(chǎn)品功能

東方晶源的PanOVL軟件利用PanGen OPC?引擎以及PanGen Sim?嚴格電磁場(chǎng)仿真引擎，借助GPU+CPU混算平臺和PanGen^?分布式計算框架，可以進(jìn)行大規模套刻標記仿真，并綜合多個(gè)維度的仿真結果優(yōu)選出表現更佳的套刻標記方案用于實(shí)際光刻工藝。 PanOVL可以識別具有較大工藝窗口的套刻標記、給出滿(mǎn)足良好信噪比并且探測信號抗工藝擾動(dòng)能力更強的套刻標記，還可以仿真曝光過(guò)程像差對套刻標記的影響，提供令套刻測量結果更貼合器件實(shí)際情況的套刻標記。

展望

東方晶源PanOVL產(chǎn)品的發(fā)布豐富了PanGen?計算光刻平臺產(chǎn)品矩陣，同時(shí)通過(guò)以PanOVL產(chǎn)品為紐帶可以加強與產(chǎn)業(yè)鏈上下游的合作，為客戶(hù)提供更全面的服務(wù)，助力客戶(hù)在晶圓制造能力方面的提升。PanOVL的研發(fā)將進(jìn)一步夯實(shí)東方晶源在計算光刻領(lǐng)域的技術(shù)全面性和拓展性，為業(yè)界帶來(lái)更加領(lǐng)先、前瞻的晶圓制造EDA解決方案。