EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
氮化鎵功率
氮化鎵功率 文章 進(jìn)入氮化鎵功率技術(shù)社區
英飛凌率先開(kāi)發(fā)全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術(shù)，推動(dòng)行業(yè)變革
- ●? ?憑借這一突破性的?300 mm GaN技術(shù)，英飛凌將推動(dòng)GaN市場(chǎng)快速增長(cháng)●? ?利用現有的大規模300 mm硅制造設施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率●? ?300 mm GaN的成本將逐漸與硅的成本持平300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓?英飛凌科技股份公司近日宣布，已成功開(kāi)發(fā)出全球首項300 mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 300 mm 氮化鎵功率
| 共1條 1/1 1 |
氮化鎵功率介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條氮化鎵功率!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對氮化鎵功率的理解，并與今后在此搜索氮化鎵功率的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對氮化鎵功率的理解，并與今后在此搜索氮化鎵功率的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473