日月光小芯片互連對準AI

日月光投控21日宣布VIPack平臺先進(jìn)互連技術(shù)的最新進(jìn)展，透過(guò)微凸塊 (microbump) 技術(shù)將芯片與晶圓互連間距的制程能力由40um（微米）提升到20um，滿(mǎn)足AI應用于多樣化小芯片（chiplet）整合需求。

日月光先前指出，今年先進(jìn)封裝相關(guān)營(yíng)收可望較去年翻倍成長(cháng)，市場(chǎng)法人更看好，日月光在先進(jìn)封裝技術(shù)持續推進(jìn)，有利未來(lái)幾年在先進(jìn)封裝營(yíng)收比重快速拉升。

日月光搶布先進(jìn)封裝，該公司表示，AI相關(guān)高階先進(jìn)封裝將從現有客戶(hù)收入翻倍，今年日月光在先進(jìn)封裝與測試營(yíng)收占比上更高。

市場(chǎng)法人估計，日月光今年相關(guān)營(yíng)收增加可望達2.5億美元以上，成長(cháng)動(dòng)能將持續，除了受惠高階先進(jìn)封裝，日月光也將受惠主流封裝因應AI生態(tài)系統成長(cháng)的半導體芯片需求。

日月光強調，這種先進(jìn)互連解決方案，對于在新一代的垂直整合，例如日月光 VIPack平臺2.5D和3D封裝與2D并排解決方案中實(shí)現創(chuàng )造力和微縮至關(guān)重要。

日月光也指出，隨著(zhù)小芯片設計方法加速進(jìn)化，該公司先進(jìn)互連技術(shù)使設計人員能夠有創(chuàng )新的高密度小芯片整合選項，微凸塊技術(shù)使用新型金屬迭層 （metallurgical stack），將間距從40um減少到20um。

微凸塊技術(shù)進(jìn)步擴展現有的硅與硅互連能力，此技術(shù)更有助于促進(jìn)其他開(kāi)發(fā)活動(dòng)，從而進(jìn)一步縮小間距。

日月光補充，當針對系統單芯片（SoC）進(jìn)行小芯片或IP區塊解構（disaggregation）時(shí)，區塊間可能存在大量連接，小尺寸IP區塊往往會(huì )導致許多空間受限的連接，微間距互連技術(shù)可以實(shí)現3D整合及更高密度的高IO內存（high IO memory）。

AI快速增長(cháng)，日月光提供先進(jìn)互連創(chuàng )新技術(shù)，滿(mǎn)足復雜芯片設計及系統架構要求，降低制造成本并加快上市時(shí)間。芯片級互連技術(shù)的擴展為小芯片開(kāi)辟更多應用，不僅針對AI等高階應用，也擴及手機應用處理器（mobile AP）以及微控制器等其他關(guān)鍵產(chǎn)品。