中國在科技戰爭持續的背景下，在縮小與韓國和美國在移動(dòng)存儲芯片領(lǐng)域的差距方面取得了重要進(jìn)展。

中國一家領(lǐng)先的半導體公司取得了該國首款新一代先進(jìn)移動(dòng)存儲芯片，實(shí)現了縮小與韓國和美國競爭對手的差距的關(guān)鍵進(jìn)展。

長(cháng)鑫存儲技術(shù)（CXMT）在其官方網(wǎng)站上的一份聲明中表示，他們已經(jīng)生產(chǎn)出中國首款低功耗雙數據率5（LPDDR5）動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）芯片，這是一種由韓國三星電子在2018年首次推出的新一代存儲芯片。

這一突破是在美國加大對中國先進(jìn)芯片制造業(yè)發(fā)展的制裁力度的背景下取得的，這將使中國能夠減少對進(jìn)口產(chǎn)品的依賴(lài)，這些產(chǎn)品用于電子設備，如手機和筆記本電腦。

總部位于合肥的CXMT表示，他們的一款產(chǎn)品，即12GB版本，每個(gè)都裝有8個(gè)容量為12Gb的芯片，已經(jīng)通過(guò)了中國智能手機制造商，包括小米和傳音的驗證。

LPDDR5存儲芯片突破發(fā)生在中國報告半導體開(kāi)發(fā)和制造技術(shù)方面進(jìn)展緩慢但穩步的時(shí)候，盡管中國被拒絕使用來(lái)自荷蘭公司ASML的關(guān)鍵高端光刻系統以及一些日本供應商。

在最近的突破中，華為技術(shù)公司通過(guò)推出其由本地制造的先進(jìn)芯片驅動(dòng)的Mate 60 Pro智能手機，使全球大吃一驚。

第三方拆解報告得出的結論是，該芯片可能由中國頂級芯片代工廠(chǎng)，中芯國際，使用現有設備制造。

中芯國際去年10月首次在上交所科創(chuàng )板上市，市值已飆升至4600億元。 數據來(lái)源：Wind

中芯國際通過(guò)制造所謂的中端芯片成為中國半導體領(lǐng)域的先行者，不過(guò)，其技術(shù)仍遠遠落后于全球領(lǐng)先芯片公司。

宏基副總裁陳念偉在接受21世紀經(jīng)濟報道記者采訪(fǎng)時(shí)表示，中芯國際生產(chǎn)的中端芯片憑借“一定的”技術(shù)水平取得了成功，但追趕最先進(jìn)制程的先進(jìn)芯片仍需要大量資金和人才。

中芯國際仍然沒(méi)有擺脫從國際芯片制造設備制造商購買(mǎi)的依賴(lài)。

“CXMT在提高生產(chǎn)產(chǎn)量、在價(jià)格和質(zhì)量上保持競爭力方面仍然面臨重重困難，與韓國DRAM制造商相比可能會(huì )有所不及，”研究公司Counterpoint的副總監Brady Wang表示，并補充說(shuō)，用于生產(chǎn)芯片的技術(shù)可能不如韓國先進(jìn)，以便符合美國設定的限制。

三星于2018年推出了業(yè)內首款8Gb LPDDR5芯片，并于2021年基于14納米工藝更新到16Gb LPDDR5X芯片，提供高達8500兆位每秒的數據處理速度，比上一代快1.3倍以上。

SK海力士于2021年3月開(kāi)始大規模生產(chǎn)其LPDDR5移動(dòng)DRAM，而美光于2020年初宣布其LPDDR5芯片，稱(chēng)將在小米的Mi 10智能手機上使用。