新思科技提供跨臺積公司先進(jìn)工藝的參考流程,助力加速模擬設計遷移

摘要：

●   新思科技AI驅動(dòng)的設計解決方案可實(shí)現電路優(yōu)化，在提高設計質(zhì)量的同時(shí)，節省數周的手動(dòng)迭代時(shí)間。

●   新思科技可互操作工藝設計套件（iPDK）適用于臺積公司所有FinFET先進(jìn)工藝節點(diǎn)，助力開(kāi)發(fā)者快速上手模擬設計。

●   新思科技攜手Ansys 和 Keysight 共同推出全新射頻設計參考流程，能夠為現代射頻集成電路設計提供完整解決方案。

新思科技（Synopsys, Inc.）近日宣布，其模擬設計遷移流程已應用于臺積公司N4P、N3E 和 N2 在內的多項先進(jìn)工藝。作為新思科技定制設計系列產(chǎn)品的一部分，新思科技模擬設計遷移流程包括了基于機器學(xué)習的原理圖和基于模板的版圖遷移解決方案，能夠加速整體模擬設計遷移任務(wù)。在該設計遷移解決方案中，集成了寄生參數感知且由AI驅動(dòng)的優(yōu)化技術(shù)將為模擬設計調優(yōu)過(guò)程減少常見(jiàn)的手動(dòng)迭代工作，并滿(mǎn)足設計規格需求。開(kāi)發(fā)者可以采用該流程在全新工藝節點(diǎn)上優(yōu)化其設計，并節省數周的工程時(shí)間和精力。

臺積公司設計基礎設施管理部負責人Dan Kochpatcharin表示：“臺積公司全球領(lǐng)先的先進(jìn)工藝技術(shù)在性能和功耗上具有卓越優(yōu)勢，能夠幫助開(kāi)發(fā)者實(shí)現芯片創(chuàng )新，滿(mǎn)足當前智能、互聯(lián)和計算密集型應用的極高需求。我們與新思科技的長(cháng)期合作，將繼續幫我們的共同客戶(hù)將現有模擬設計遷移至臺積公司下一代工藝節點(diǎn)，從而提高生產(chǎn)效率并縮短上市時(shí)間?！?/p>

新思科技EDA事業(yè)部戰略與產(chǎn)品管理副總裁Sanjay Bali表示：“在更復雜的芯片、更有限的工程資源以及更緊迫的交付時(shí)間要求下，企業(yè)正采用AI驅動(dòng)的解決方案以實(shí)現更高的設計質(zhì)量（QOR）和結果完成時(shí)間（TTR）。我們與臺積公司合作開(kāi)發(fā)了適用于臺積公司 N4P、N3E 和 N2 工藝的模擬設計遷移流程，助力我們的共同客戶(hù)能夠實(shí)現工藝節點(diǎn)間的高效設計遷移并大幅提高設計生產(chǎn)率?！?/p>

實(shí)現模擬和IP設計的高效遷移 

新思科技已經(jīng)連續多年被評為“臺積公司OIP年度合作伙伴”，其中一項突出成果是經(jīng)認證的新思科技定制設計系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品提供基于機器學(xué)習的原理圖和基于模板的版圖遷移功能，可在臺積公司先進(jìn)工藝節點(diǎn)上遷移模擬設計時(shí)高效復用現有IP。該模擬設計遷移流程的關(guān)鍵組件包括新思科技Custom Compiler 設計和版圖解決方案、新思科技PrimeWave?設計環(huán)境和新思科技PrimeSim?電路仿真解決方案，這些解決方案適用于臺積公司所有的先進(jìn)FinFET工藝，并在SPICE、FastSPICE和混合信號仿真方面具有顯著(zhù)的性能優(yōu)勢。

加速早期設計啟動(dòng)

針對臺積公司 N4P、N3E 和 N2 工藝優(yōu)化的可互操作工藝設計工具包（iPDK） 推出后，開(kāi)發(fā)者可以更早地啟動(dòng)他們的項目，大幅提升設計效率。雙方的共同客戶(hù)采用 iPDK后，可以在其設計流程中使用全球領(lǐng)先的設計工具，以簡(jiǎn)化開(kāi)發(fā)流程并縮短設計周轉時(shí)間（TAT）。此外，新思科技攜手Ansys、是德科技（Keysight）共同推出面向臺積公司 N4P 射頻 FinFET 工藝的射頻集成電路參考流程，助力合作伙伴加速射頻設計。這一開(kāi)放式射頻設計流程能夠幫助射頻 SoC 開(kāi)發(fā)者兼顧性能、功耗效率和產(chǎn)品上市時(shí)間的要求。