英飛凌攜手英飛源拓展新能源汽車(chē)充電市場(chǎng)
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
基于碳化硅（SiC）的功率半導體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優(yōu)勢，為實(shí)現新應用和推進(jìn)充電站技術(shù)創(chuàng )新創(chuàng )造了機會(huì )。近日，英飛凌科技股份公司近日宣布與中國的新能源汽車(chē)充電市場(chǎng)領(lǐng)軍企業(yè)英飛源達成合作。英飛凌將為英飛源提供業(yè)內領(lǐng)先的1200 V CoolSiC? MOSFET功率半導體器件，用于提升電動(dòng)汽車(chē)充電站的效率。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202309/450870.htm英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer博士表示：“英飛凌與英飛源在電動(dòng)汽車(chē)充電解決方案領(lǐng)域的合作，將為當地電動(dòng)汽車(chē)充電行業(yè)提供出色的系統級技術(shù)解決方案。它將大幅提高充電效率，加快充電速度，并為電動(dòng)汽車(chē)車(chē)主創(chuàng )造更好的用戶(hù)體驗?！?/p>
英飛源中國區總裁邱添泉表示：“通過(guò)與在SiC產(chǎn)品領(lǐng)域持續精進(jìn)20年以上并擁有強大的集成技術(shù)實(shí)力的英飛凌合作，英飛源將通過(guò)采用最先進(jìn)的產(chǎn)品工藝和設計解決方案，繼續鞏固并保持其在行業(yè)中的技術(shù)領(lǐng)先地位。我們還可以為新能源汽車(chē)直流充電解決方案的充電效率樹(shù)立新的標桿，從而為客戶(hù)創(chuàng )造更多便利和獨一無(wú)二的價(jià)值，促進(jìn)電動(dòng)汽車(chē)充電行業(yè)的健康發(fā)展?！?/p>
由于擁有高功率密度，SiC適用于開(kāi)發(fā)高性能、輕量且緊湊的充電解決方案，這對超級充電站及超緊湊壁掛式直流充電樁尤為有益。SiC技術(shù)相比傳統的硅技術(shù)可將電動(dòng)汽車(chē)充電站的效率提高1%，從而降低了能耗和運營(yíng)成本。以一座100 kW的充電站為例，這意味著(zhù)節省1 kWh電能，每年節省270歐元成本，以及減少3.5噸碳排放。這將大幅推動(dòng)SiC功率器件在電動(dòng)汽車(chē)充電模塊中的應用。
作為最早將溝槽柵技術(shù)用于晶體管的SiC功率半導體制造商之一，英飛凌推出了幫助提高充電解決方案可靠性的先進(jìn)設計。這些器件具有高閾值電壓，并簡(jiǎn)化了柵極驅動(dòng)。CoolSiC MOSFET技術(shù)在上市前已通過(guò)馬拉松應力試驗及柵極電壓跳變應力試驗，并在上市后定期進(jìn)行監控，以確保擁有最高柵極可靠性。
通過(guò)采用英飛凌1200 V CoolSiC MOSFET，使得英飛源的30 kW直流充電模塊能夠實(shí)現寬恒功率范圍、高功率密度、最小電磁輻射和干擾、高保護性能以及高可靠性。這使其不僅能夠滿(mǎn)足大多數電動(dòng)汽車(chē)的快速充電需求，還能實(shí)現比市場(chǎng)上的其他解決方案高出1%的效率。這有助于大幅降低能耗和碳排放，達到全球領(lǐng)先水平。
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