HBM4將迎來(lái)大突破？

AI大勢下，高帶寬內存 (HBM) 從幕后走向臺前，備受存儲市場(chǎng)關(guān)注。近期，媒體報道下一代HBM將迎來(lái)重大變化，HBM4內存堆棧將采用2048位內存接口 。

自2015年以來(lái)，所有HBM堆棧都采用1024位接口。接口寬度從每堆棧1024位增加到每堆棧2048位，足以可見(jiàn)HBM4具備的變革意義。

另?yè)n媒報道，三星為了掌握快速成長(cháng)的HBM市場(chǎng)，將大幅革新新一代產(chǎn)品制程技術(shù)，預計2026年量產(chǎn)HBM4。

盡管HBM4將有大突破，但它不會(huì )很快到來(lái)。當前HBM市場(chǎng)以HBM2e為主，未來(lái)HBM3將挑起大梁。

全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦咨詢(xún)調查顯示，當前HBM市場(chǎng)主流為HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多數CSPs自研加速芯片皆以此規格設計。同時(shí)，為順應AI加速器芯片需求演進(jìn)，各原廠(chǎng)計劃于2024年推出新產(chǎn)品HBM3e，預期HBM3與HBM3e將成為明年市場(chǎng)主流。

以HBM不同世代需求比重而言，據TrendForce集邦咨詢(xún)表示，2023年主流需求自HBM2e轉往HBM3，需求比重分別預估約是50%及39%。隨著(zhù)使用HBM3的加速芯片陸續放量，2024年市場(chǎng)需求將大幅轉往HBM3，而2024年將直接超越HBM2e，比重預估達60%，且受惠于其更高的平均銷(xiāo)售單價(jià)（ASP），將帶動(dòng)明年HBM營(yíng)收顯著(zhù)成長(cháng)。