華為公布倒裝芯片封裝最新專(zhuān)利：改善散熱 CPU、GPU等都能用

快科技8月16日消息，從國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)獲悉，華為技術(shù)有限公司日前公開(kāi)了一項名為“具有改進(jìn)的熱性能的倒裝芯片封裝”專(zhuān)利，申請公布號為CN116601748A。

據了解，該專(zhuān)利實(shí)施例提供了一種倒裝芯片封裝、一種裝備有應用封裝結構的電路的裝置以及一種組裝封裝的方法，更直觀(guān)來(lái)說(shuō)，就是一種提供芯片與散熱器之間的接觸方式，能幫助改善散熱性能。

該專(zhuān)利可應用于CPU、GPU、FPGA（現場(chǎng)可編程門(mén)陣列）、ASIC（專(zhuān)用集成電路）等芯片類(lèi)型，設備可以是智能手機、平板電腦、可穿戴移動(dòng)設備、PC、工作站、服務(wù)器等。

專(zhuān)利提到，近來(lái)，半導體封裝在處理性能方面的進(jìn)步對熱性能提出了更高的要求，以確保穩定操作。

就此而言，倒裝芯片封裝在熱性能方面具有優(yōu)勢，因其結構特征是芯片通過(guò)其下方凸塊與基板連接，能夠將散熱器定位在芯片的頂表面上。

為提高冷卻性能，會(huì )將熱潤滑脂等熱界面材料(TIM)涂抹到芯片的頂表面，并夾在芯片和散熱器的至少一部分之間。從降低TIM中的熱阻以改善封裝的熱性能的角度來(lái)看，優(yōu)選使TIM的厚度更小。

據了解，相較此前難以精細控制TIM厚度的散熱方案，華為這項專(zhuān)利中的熱界面材料的厚度由模制構件中的壁狀結構的高度限定。

由于能在模制過(guò)程中輕松控制由模具化合物組成的壁狀結構的高度，因此可以將熱界面材料的厚度調節到所需的小厚度，從而實(shí)現改進(jìn)的熱性能。

華為“具有改進(jìn)的熱性能的倒裝芯片封裝專(zhuān)利”摘要如下：

提供了一種倒裝芯片封裝(200)，其中，所述倒裝芯片封裝包括：至少一個(gè)芯片(202)，用于與基板(201)連接；形成在所述基板(201)上的模制構件(209)，以包裹所述至少一個(gè)芯片(202)的側部分并使每個(gè)芯片(202)的頂表面裸露，其中，所述模制構件(209)的上表面具有與每個(gè)芯片(202)的頂表面連續的第一區域、涂抹粘合劑(210)的第二區域以及放置成包圍每個(gè)芯片(202)的頂表面的壁狀結構(209a)，并且第一區域和第二區域由壁狀結構(209a)分隔；散熱器(206)，放置在每個(gè)芯片(202)的頂表面上方，并通過(guò)填充在第二區域中的粘合劑(210)粘合到模制構件(209)；熱界面材料(205)，所述熱界面材料(205)填充在由所述第一區域、所述每個(gè)芯片(202)的頂表面、所述散熱器(206)的底表面的至少一部分和所述壁狀結構(209a)的第一側形成的空間區域中。

根據華為發(fā)明的實(shí)施例的倒裝芯片封裝示意性橫截面視圖

傳統倒裝芯片封裝示例