英特爾制程路線(xiàn)遇阻：高通停止開(kāi)發(fā)Intel 20A芯片

最新調查顯示，高通已經(jīng)停止開(kāi)發(fā)基于Intel 20A工藝的芯片。郭明錤發(fā)布最新研究報告認為，高通關(guān)于Intel 20A芯片的決定可能會(huì )對英特爾的RibbonFET和PowerVia技術(shù)產(chǎn)生負面影響。這意味著(zhù)Intel 20A可能無(wú)法在明年的預期時(shí)間內上市，進(jìn)一步使得Intel 18A研發(fā)與量產(chǎn)面臨更高不確定性與風(fēng)險。

英特爾處于不利地位

先進(jìn)制程進(jìn)入7nm后，一線(xiàn)IC設計業(yè)者的高端訂單對晶圓代工來(lái)說(shuō)更為重要。一線(xiàn)IC設計廠(chǎng)商的設計能力、訂單規格（尤其是最高端）、訂單規模相比一般訂單可以顯著(zhù)改善代工的技術(shù)實(shí)力，這也是臺積電迄今為止領(lǐng)先其他競爭對手的關(guān)鍵因素，同時(shí)也是高通停止開(kāi)發(fā)Intel 20A對英特爾造成的最大負面影響。

7nm之后IC設計商的開(kāi)發(fā)成本大幅增加，難以與不同代工廠(chǎng)商在同一節點(diǎn)上合作。以高通3nm芯片開(kāi)發(fā)為例，由于該公司已經(jīng)與臺積電、三星建立合作，加上裁員以及智能手機市場(chǎng)仍在下滑，其并沒(méi)有足夠的資源再來(lái)針對Intel 20A（約等同于3nm）開(kāi)發(fā)芯片。

雖然英特爾稱(chēng)Intel 7已經(jīng)大規模量產(chǎn)；Intel 4將于今年下半年上場(chǎng)，將用于Meter Lake；Intel 3正在按計劃推進(jìn)；Intel 20A以及Intel 18A的測試芯片已經(jīng)流片。然而高通停止開(kāi)發(fā)基于Intel 20A工藝的芯片將使英特爾處于不利地位，使得臺積電和三星成為生產(chǎn)高通驍龍8 Gen 4的唯一可行選擇。

值得注意的是，英特爾在去年公布Arrow Lake的時(shí)候宣布CPU模塊會(huì )使用Intel 20A工藝，但后續不斷有消息稱(chēng)會(huì )改用臺積電的N3工藝，目前有消息稱(chēng)英特爾已經(jīng)放棄在A(yíng)rrow Lake使用20A工藝，它上面的所有芯粒都會(huì )交由臺積電生產(chǎn)。

英特爾的制程路線(xiàn)

兩年前英特爾CEO帕特·基爾辛格（Pat Gelsinger）雄心勃勃地公布了最新工藝路線(xiàn)圖，力求在四年里邁過(guò)5個(gè)制程節點(diǎn)，分別是Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A和Intel 18A，同時(shí)圍繞“IDM 2.0”戰略打造世界一流的英特爾代工服務(wù)（IFS）。目標是半導體制造工藝可以在2025年趕上臺積電，讓英特爾重新奪回處理器領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。

按照英特爾的計劃，將在Intel 20A制程節點(diǎn)首次引入RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術(shù)，從而開(kāi)啟埃米時(shí)代。

· RibbonFET是對全環(huán)繞柵極晶體管（Gate All Around）的實(shí)現，將成為英特爾自2011年推出FinFET以來(lái)的首個(gè)全新晶體管架構：該技術(shù)加快了晶體管開(kāi)關(guān)速度，同時(shí)實(shí)現與多鰭結構相同的驅動(dòng)電流，但占用的空間更小。

· PowerVia是英特爾獨有的、業(yè)界首個(gè)背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò )，通過(guò)消除晶圓正面供電布線(xiàn)需求來(lái)優(yōu)化信號傳輸：該技術(shù)讓芯片制造更像三明治，首先還是制造晶體管，然后添加互連層，接著(zhù)翻轉晶圓并進(jìn)行打磨，在晶體管底層接上電源線(xiàn)。背面供電一方面讓晶體管供電的路徑變得非常直接，可以減少信號串擾，降低功耗，將平臺電壓降低優(yōu)化30%；另一方面，解決了晶體管尺寸不斷縮小帶來(lái)的互連瓶頸，實(shí)現了6%的頻率增益和超過(guò)90%的標準單元利用率。

此外，英特爾還開(kāi)發(fā)了全新的散熱技術(shù)，并在基于Intel 4的、經(jīng)過(guò)充分驗證的測試芯片上進(jìn)行了反復調試，測試芯片展示了良好的散熱特性，PowerVia能達到了相當高的良率和可靠性指標。