英飛凌適合高功率應用的QDPAK和DDPAK頂部冷卻封裝注冊為JEDEC標準

追求高效率的高功率應用持續向更高功率密度及成本最佳化發(fā)展，也為電動(dòng)汽車(chē)等產(chǎn)業(yè)創(chuàng )造了永續價(jià)值。為了應對相應的挑戰，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）宣布其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功注冊為 JEDEC 標準。這項舉措不僅進(jìn)一步鞏固了英飛凌將此標準封裝設計和外型的TSC 封裝推廣至廣泛新型設計的目標，也給OEM 廠(chǎng)商提供了更多的彈性與優(yōu)勢，幫助他們在市場(chǎng)中創(chuàng )造差異化的產(chǎn)品，并將功率密度提升至更高水準，以支持各種應用。 

英飛凌科技高電壓封裝首席工程師Ralf Otremba表示：“作為解決方案提供商，英飛凌持續通過(guò)創(chuàng )新的封裝技術(shù)和制程，對半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)揮影響力。我們先進(jìn)的頂部冷卻封裝為器件和系統層級帶來(lái)顯著(zhù)的優(yōu)勢，能夠滿(mǎn)足尖端高功率設計的挑戰性需求。封裝外形的標準化可確保不同廠(chǎng)商設計的引腳兼容性——這是OEM廠(chǎng)商在高電壓應用所面對的主要設計考量之一，由此可以讓OEM廠(chǎng)商不再需要在這一方面耗費心力?！?/p>

半個(gè)多世紀以來(lái)，JEDEC組織持續領(lǐng)導全球微電子產(chǎn)業(yè)進(jìn)行各項技術(shù)，包括封裝外型的開(kāi)放式標準的開(kāi)發(fā)以及出版物編寫(xiě)工作。JEDEC廣泛納入了各種半導體封裝，例如 TO220 和 TO247 通孔器件 (THD)——這類(lèi)器件在過(guò)去幾十年來(lái)受到廣泛采用，目前仍是新型車(chē)載充電器 (OBC) 設計、高壓 (HV) 和低壓 (LV) DC-DC 轉換器的設計選項。 

QDPAK和DDPAK表面貼裝（SMD）TSC封裝設計的成功注冊，標志著(zhù)封裝外形將迎來(lái)嶄新紀元，將推動(dòng)市場(chǎng)更廣泛地采用 TSC 技術(shù)以取代 TO247 和 TO220。憑借這一技術(shù)優(yōu)勢以及根據MO-354 標準，此項新 JEDEC 注冊封裝系列將成為高壓工業(yè)和汽車(chē)應用過(guò)渡至下一代平臺中頂部冷卻設計的重要推手。

為了協(xié)助客戶(hù)進(jìn)行TO220和TO247 THD器件的設計過(guò)渡，英飛凌特別推出可提供同等散熱能力與較佳電氣效能的 QDPAK 和 DDPAK SMD器件。適用于 HV 與 LV 器件的 QDPAK 和 DDPAK SMD TSC 封裝采用 2.3 mm標準高度，可讓開(kāi)發(fā)人員使用所有相同高度的 SMD TSC 器件來(lái)設計完整應用，例如 OBC 和 DC-DC 轉換。相較于必須使用 3D 冷卻系統的現有解決方案，此封裝不只對設計更有利，還可降低冷卻系統成本。

另外，TSC封裝最多可比標準底部冷卻（BSC）降低35%的熱阻。TSC 封裝充分發(fā)揮 PCB 雙面的效益，可提供較佳的電路板空間利用率以及至少兩倍的功率密度。由于封裝引腳熱阻比外露的封裝頂部高了許多，因此基板的熱解耦也可提升封裝的熱管理。散熱效能提升后，就不必再堆疊各種不同的板子。所有元件只要單一 FR4 就已足夠，不用再結合 FR4 和 IMS，需要的接頭也較少。這些功能對整體物料清單 (BOM) 都有助益，最終可降低整體系統成本。

除了提升散熱和功率能力，TSC 技術(shù)也提供更佳的電源回路設計，因為驅動(dòng)器配置可以非?？拷娫撮_(kāi)關(guān)，所以更加穩定。驅動(dòng)器開(kāi)關(guān)回路的低雜散電感則可降低回路寄生效應，因此柵極振蕩較少、效能較高、故障風(fēng)險較小。