從消費到汽車(chē)/工業(yè)等領(lǐng)域，氮化鎵進(jìn)一步撬動(dòng)市場(chǎng)

前10年一直在消費電子領(lǐng)域沖浪的氮化鎵（GaN）技術(shù)不斷創(chuàng )新發(fā)展，近兩年來(lái)逐漸在汽車(chē)、數據通信以及其他工業(yè)應用等行業(yè)嶄露頭角。

氮化鎵應用不斷擴充

消費領(lǐng)域一直是原始設備制造商（OEM）采用GaN的主要驅動(dòng)力，其中電力設備市場(chǎng)為主流市場(chǎng)，快速充電器為主要應用，此外還包括一些音頻設備等。借助GaN，智能手機制造商可以制造尺寸更小且性?xún)r(jià)比更高的充電器。

目前市場(chǎng)上大多數基于GaN的充電器都在65W左右或以下，業(yè)界表示這是性?xún)r(jià)比的“最佳點(diǎn)”。但是，隨著(zhù)市場(chǎng)對于更高功率的需求，智能手機快速充電器的目標功率高于75的新趨勢可能會(huì )在不久的將來(lái)推動(dòng)智能手機 OEM對GaN的采用。大多數國家超過(guò)75W的功率需要功率因數校正(PFC)電路，這需要使用更多的GaN含量。

另外，在汽車(chē)、數據通信以及其他工業(yè)應用中GaN技術(shù)的得到進(jìn)一步應用。比如在汽車(chē)領(lǐng)域，其主要驅動(dòng)力將是電動(dòng)汽車(chē)的車(chē)載充電器（AC-DC轉換）以及DC/DC轉換器（電壓范圍為48V至400V）。市場(chǎng)消息顯示，大概到2030年左右，OEM將開(kāi)始考慮在主逆變器 (650-800V) 中集成GaN。

從市場(chǎng)情況看，在過(guò)去幾年越來(lái)越多的汽車(chē)制造商與GaN器件供應商合作。如德國汽車(chē)系統制造商ZF與以色列GaN公司VisIC合作，意大利汽車(chē)零部件制造商Marelli則與GaN器件公司Transphorm合作等。

隨著(zhù)氮化鎵應用不斷擴充，國內外廠(chǎng)商動(dòng)作頻頻。

國外GaN動(dòng)態(tài)：收購、擴產(chǎn)、技術(shù)創(chuàng )新

英飛凌收購GaN Systems，鞏固全球功率系統領(lǐng)導地位

3月2日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司GaN Systems，交易總值8.3億美元（約57.3億人民幣）。根據公告，英飛凌計劃以全現金收購GaN Systems，資金將來(lái)自現有的流動(dòng)資金。

在第三代半導體領(lǐng)域，英飛凌此前重心偏向SiC，在SiC功率半導體市場(chǎng)已有豐富的客戶(hù)積累，供應鏈布局也比較完善，但在氮化鎵領(lǐng)域的動(dòng)態(tài)不多。

此次英飛凌通過(guò)并購GaN Systems，不但可以快速豐富產(chǎn)品線(xiàn)、客戶(hù)群，還能將GaN Systems積累的GaN技術(shù)與英飛凌先進(jìn)的8-12寸晶圓廠(chǎng)、生產(chǎn)制程相結合，將氮化鎵應用帶上新高度。

瑞典SweGaN擴產(chǎn)，年產(chǎn)能達4萬(wàn)片

3月2日，瑞典公司SweGaN宣布，他們正在瑞典林雪平的創(chuàng )新材料集群建設一個(gè)新總部，包括一個(gè)大規模的半導體生產(chǎn)設施。

報道稱(chēng)，該項目計劃于今年第二季度末完成，將部署創(chuàng )新制造工藝，以大批量生產(chǎn)下一代GaN-on-SiC工程外延晶圓，預計年產(chǎn)能將高達4萬(wàn)片4/6英寸外延片。

2022年9月，該擴產(chǎn)項目就已經(jīng)獲得1200萬(wàn)歐元（約8300萬(wàn)人民幣）A輪融資的支持，以滿(mǎn)足5G基站、國防雷達、低軌道衛星通信和電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器主要供應商的市場(chǎng)需求。此前2022年7月，SweGaN還獲得了一次投資，獲投金額與本次融資金額相近（約8216萬(wàn)元人民幣），資金將用于擴大員工數量，并建設新的生產(chǎn)線(xiàn)。

SweGaN于2022年表示，預計幾年后，公司年營(yíng)業(yè)額將從2021年的1700萬(wàn)瑞典克朗增加到2億瑞典克朗（約1.3億元人民幣），營(yíng)收目標做到“數十億”。

羅姆開(kāi)發(fā)出控制氮化鎵功率半導體的新技術(shù)，有望年內供應樣品

近日，羅姆官方消息顯示，其開(kāi)發(fā)出用于GaN半導體的高速控制IC，能夠減少電源封裝面積86%，可把通過(guò)集成電路切換電流開(kāi)關(guān)時(shí)的時(shí)間縮短到了2納秒（僅為原來(lái)的四分之一），是業(yè)界最快的。使用這種控制IC，GaN半導體就能最大限度地發(fā)揮出比現有的硅(Si)半導體等更好的高速開(kāi)關(guān)性能，還能實(shí)現驅動(dòng)外圍部件的小型化。

業(yè)界消息顯示，該技術(shù)預計將與該公司制造的GaN半導體等結合，應用于通信基站、數據中心(DC)、工業(yè)機器、飛行機器人(無(wú)人機)等領(lǐng)域。最早將在2023年內開(kāi)始供應樣品。

國內GaN動(dòng)態(tài)：6大項目開(kāi)工/投產(chǎn)

另外，我國2023年1月至3月有多個(gè)氮化鎵項目迎來(lái)最新進(jìn)展，包括百思特達半導體氮化鎵項目、博康(嘉興)半導體氮化鎵項目、仙羋智造新型智能功率模組(IPM)研發(fā)生產(chǎn)基地項目、中國電科射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目、東科半導體超高頻氮化鎵電源管理芯片項目等。

百思特達半導體GaN外延片項目試生產(chǎn)

近日，據盤(pán)錦日報消息，遼寧百思特達半導體旗下氮化鎵項目獲得新進(jìn)展——2英寸&4英寸外延片處于試生產(chǎn)和產(chǎn)品認證階段，正式投產(chǎn)后，可實(shí)現月生產(chǎn)2500片的產(chǎn)能。

據介紹，百思特達是2019年興隆臺區和盤(pán)錦高新區共同引進(jìn)的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)項目，該公司主要研發(fā)生產(chǎn)氮化鎵晶圓及氮化鎵基芯片系列產(chǎn)品。

2019年11月，百思特達氮化鎵項目正式開(kāi)工建設，該項目占地125畝，總投資15億元，其中一期投資3億元；去年5月，項目一期正式建成，預計增加10條氮化鎵外延生產(chǎn)線(xiàn)，實(shí)現年產(chǎn)10萬(wàn)片氮化鎵外延片和10億顆氮化鎵芯片的產(chǎn)能提升。

博康建GaN項目，年產(chǎn)能為3000片

3月6日，“嘉興城南”官微發(fā)文稱(chēng)，博康(嘉興)半導體總投資約6億元的氮化鎵射頻功率芯片先導線(xiàn)項目正式開(kāi)工，該項目占地面積46667平方米，其中一期用地約33200平方米。

公開(kāi)資料顯示，博康（嘉興）半導體成立于2022年10月，公司主營(yíng)業(yè)務(wù)包括半導體分立器件制造、銷(xiāo)售及服務(wù)等。

而且，3月3日，嘉興市公共資源交易中心發(fā)布招標公告稱(chēng)，博康（嘉興）半導體年產(chǎn)3000片氮化鎵射頻功率芯片先導線(xiàn)項目設計對外采購施工總承包，招標估算價(jià)約為1.9億元。

根據公告，博康的氮化鎵項目位于浙江嘉興經(jīng)開(kāi)區，總工期歷時(shí)一年左右，將新建工業(yè)廠(chǎng)房30543平米，并引進(jìn)光刻機、磁控濺射機等設備約100臺套用于生產(chǎn)國內技術(shù)領(lǐng)先的通信用氮化鎵射頻芯片先導線(xiàn)，預計年產(chǎn)能將為3000片。

東科半導體超高頻氮化鎵電源管理芯片項目預計4月底投產(chǎn)

據北青網(wǎng)消息，2月16日，東科半導體表示，旗下總投資5.5億元的“超高頻氮化鎵電源管理芯片項目”已竣工，正在進(jìn)行廠(chǎng)房裝修和生產(chǎn)線(xiàn)調試，預計4月底投產(chǎn)。

公開(kāi)資料顯示，該項目項目占地52畝，新建廠(chǎng)房5.1萬(wàn)平米，主要從事氮化鎵超高頻AC/DC電源管理芯片、氮化鎵應用模組封裝線(xiàn)的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。

仙羋智造新型智能功率模組(IPM)研發(fā)生產(chǎn)基地項目開(kāi)工

今年1月上旬，合肥仙羋智造科技有限公司（）仙羋智造新型智能功率模組(IPM)研發(fā)生產(chǎn)基地項目正式開(kāi)工。該項目總投資5億元，建成后可實(shí)現年產(chǎn)3000萬(wàn)顆工業(yè)級IPM產(chǎn)品、1000萬(wàn)顆汽車(chē)級IPM產(chǎn)品、1000萬(wàn)顆氮化鎵芯片封裝產(chǎn)能，預計全部投產(chǎn)后年銷(xiāo)售收入可達12億元。

此前消息顯示，該項目于2022年6月簽約落戶(hù)安徽蚌埠傳感谷。目前，廠(chǎng)房外部墻面改造已完成，開(kāi)始裝修廠(chǎng)房和設備入場(chǎng)。

中國電科射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目建成完工

據中鐵建工集團公眾號消息，1月10日，中鐵建工集團旗下“中國電科射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目”已經(jīng)建成完工，該項目總投資超過(guò)30億元。

項目建成后將形成年均5億只射頻集成電路，6萬(wàn)片4～6英寸氮化鎵射頻功率器件，1000萬(wàn)只射頻模塊的設計、生產(chǎn)、測試能力。

格晶半導體第三代半導體產(chǎn)業(yè)化項目落地江西上饒 總投資25億元

據格晶半導體官方消息，1月5日，江西上饒市萬(wàn)年縣與上海格晶半導體有限公司舉行合作簽約儀式。

此次簽約的第三代半導體產(chǎn)業(yè)化項目總投資達25億元，項目投產(chǎn)后可實(shí)現年產(chǎn)5萬(wàn)片8寸GAN功率器件，成為江西省第一家中國第二家量產(chǎn)氮化鎵車(chē)載功率器件的晶圓廠(chǎng)。