格芯收購瑞薩非易失性電阻式RAM技術(shù)，加強存儲器產(chǎn)品組合

當地時(shí)間2月9日，晶圓代工廠(chǎng)格芯（GlobalFoundries）宣布，已收購瑞薩電子（Renesas）的專(zhuān)利和經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗證的導電橋接隨機存取存儲器（CBRAM）技術(shù)，這是一種低功耗的存儲器解決方案，旨在實(shí)現家庭、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)及智能移動(dòng)設備的一系列應用。

格芯表示，這項交易進(jìn)一步加強了格芯的存儲器產(chǎn)品組合，并通過(guò)增加另一種可靠的、可定制的、相對容易集成到其他技術(shù)節點(diǎn)的嵌入式存儲器解決方案，擴展了其嵌入式非易失性存儲器（NVM）解決方案的路線(xiàn)圖。這項技術(shù)將使客戶(hù)能夠進(jìn)一步區分其SoC設計，并推動(dòng)新一代安全和智能設備的發(fā)展。

據介紹，CBRAM具有低功耗、高讀/寫(xiě)速度、制造成本降低以及對惡劣環(huán)境的耐受性的特點(diǎn)，適用于消費、醫療和部分工業(yè)應用。

2020年，格芯與Dialog半導體公司（該公司于2021年被瑞薩公司收購）達成了一項許可協(xié)議，將其CBRAM技術(shù)作為一種嵌入式、非虛擬的選擇。目前，CBRAM正在該公司的22FDX平臺上進(jìn)行鑒定，并計劃將其擴展到其他平臺。