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易失性電阻式
易失性電阻式 文章 進(jìn)入易失性電阻式技術(shù)社區
格芯收購瑞薩非易失性電阻式RAM技術(shù),加強存儲器產(chǎn)品組合
- 當地時(shí)間2月9日,晶圓代工廠(chǎng)格芯(GlobalFoundries)宣布,已收購瑞薩電子(Renesas)的專(zhuān)利和經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗證的導電橋接隨機存取存儲器(CBRAM)技術(shù),這是一種低功耗的存儲器解決方案,旨在實(shí)現家庭、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)及智能移動(dòng)設備的一系列應用。格芯表示,這項交易進(jìn)一步加強了格芯的存儲器產(chǎn)品組合,并通過(guò)增加另一種可靠的、可定制的、相對容易集成到其他技術(shù)節點(diǎn)的嵌入式存儲器解決方案,擴展了其嵌入式非易失性存儲器(NVM)解決方案的路線(xiàn)圖。這項技術(shù)將使客戶(hù)能夠進(jìn)一步區分其SoC設計,并推動(dòng)新一代安全和智能
- 關(guān)鍵字: 格芯 瑞薩 易失性電阻式 RAM 存儲器
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易失性電阻式介紹
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