英飛凌與美超微通力協(xié)作，利用英飛凌高效的功率級半導體，減少數據中心耗電量，共同推動(dòng)綠色計算的發(fā)展

【2022年10月26日，德國慕尼黑訊】數字化開(kāi)創(chuàng )了新紀元，未來(lái)隨著(zhù)視頻流、線(xiàn)上會(huì )議、云服務(wù)、加密貨幣等大量數字應用投入使用，全球數據量也將會(huì )成倍增長(cháng)。專(zhuān)家估計在未來(lái)15年內數據將增長(cháng)146倍。美國國際貿易委員會(huì )^[1]預測，全球數據量最早將于2025年達到175澤它字節（?175, 000,000,000,000,000,000,000字節）。目前約有8000座數據中心正在對這一巨大的數據量進(jìn)行處理、存儲和連接。對這些數據中心而言，除性能與安全之外，能效的優(yōu)化對其保持盈利能力和實(shí)現可持續性也同樣至關(guān)重要。

云、人工智能/機器學(xué)習、存儲和5G/邊緣整體IT方案供應商美超微電腦股份有限公司（Nasdaq代碼：SDCI）與英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）展開(kāi)協(xié)作，利用英飛凌的高效率功率級半導體產(chǎn)品，以滿(mǎn)足以上要求并實(shí)現數據中心的低碳化。美超微服務(wù)器技術(shù)副總裁Manhtien Phan表示：“在開(kāi)發(fā)綠色計算平臺時(shí)，我們會(huì )著(zhù)重選擇與自身同樣重視通過(guò)優(yōu)化能效以減少耗電量的廠(chǎng)商。美超微的解決方案與英飛凌的技術(shù)結合，可減少系統功耗，降低數據中心的總體耗電量，最大程度地減少對環(huán)境的影響?！?/p>

英飛凌科技電源與傳感系統事業(yè)部總裁Adam White表示：“冷卻系統的能耗占據了數據中心總體能耗的很大一部分。英飛凌的TDA21490和TDA21535節能型功率半導體產(chǎn)品十分適用于減少數據中心的散熱問(wèn)題。這類(lèi)半導體產(chǎn)品可耐高溫并具備出色的可靠性，可助力服務(wù)器依靠自然空氣冷卻。使用這類(lèi)半導體產(chǎn)品能幫助客戶(hù)進(jìn)一步提高數據中心的電能效用，實(shí)現更高的能源利用效率?！?span style="font-size: 15px;"> 

英飛凌科技電源與傳感系統事業(yè)部總裁Adam White

電源使用效率（PUE）的計算方式是將輸送到數據中心的總功率除以IT設備實(shí)際消耗的功率。理想的PUE值是1.0，即數據中心的全部電能都用于實(shí)際的計算設備中，而不是用于冷卻或電力轉換等間接設備。最新的研究表明^[2]，IT和數據中心經(jīng)理均表示其最大的數據中心的年平均PUE值為1.57，這項數據表明，面對超出預算的冷卻和電力成本，PUE仍有改進(jìn)的空間，同時(shí)二氧化碳排放量有望進(jìn)一步降低。

美超微的綠色計算平臺可顯著(zhù)改善PUE。具體而言，美超微MicroBlade?系列可為各種類(lèi)型的處理器提供最佳的服務(wù)器密度，最多可在6U尺寸內集成112個(gè)單路Atom?節點(diǎn)、56個(gè)單路Xeon?節點(diǎn)以及28個(gè)雙路Xeon?節點(diǎn)，因此可以輕松進(jìn)行大規模部署，并通過(guò)自然空氣冷卻、電池備份電源（BBP?）等數據中心友好型功能和設計進(jìn)行批量配置。與標準的1U機架式服務(wù)器相比，MicroBlade最高可提升86%的功率效率與56%的服務(wù)器密度。 

MicroBlade 6U

MicroBlade服務(wù)器采用英飛凌的OptiMOS?集成式功率級半導體TDA21490和TDA21535。TDA21490可助力服務(wù)器、存儲器、人工智能和網(wǎng)絡(luò )應用中的高性能xPU、ASIC和系統級芯片（SoC）實(shí)現穩健、可靠的穩壓器設計。TDA21490 采用高熱效封裝的 OptiMOS? 功率 MOSFET，具有同類(lèi)產(chǎn)品中最佳的效率。低靜態(tài)電流驅動(dòng)器可啟用深睡眠模式，進(jìn)一步提高輕載效率，還可以提供精準的電流感測，有助于大幅提升系統性能。除了強大的OptiMOS? MOSFET技術(shù)外，TDA21490的綜合故障保護功能可進(jìn)一步增強其所在系統的穩定性與可靠性。 

英飛凌OptiMOS?集成式功率級半導體TDA21490

TDA21535同時(shí)封裝了低靜態(tài)電流的同步降壓柵級驅動(dòng)IC與高邊、低邊MOSFET，并采用有源二極管結構，實(shí)現了類(lèi)似肖特基勢壘二極管的體二極管正向電壓（Vsd）低值，反向恢復電荷極少。與前沿的、基于控制器的感應直流電阻測量方法相比，TDA21535中帶有溫度補償的內部MOSFET電流測量算法具有較高的電流測量精度。在高達1.5兆赫茲的開(kāi)關(guān)頻率下運行，該產(chǎn)品可實(shí)現高性能的瞬態(tài)響應，并且能夠在保持效率領(lǐng)先的同時(shí)減少電感和電容。

英飛凌OptiMOS?集成式功率級半導體TDA21535

[1] 世界各地的數據中心，美國國際貿易委員會(huì )，2021年5月

[2] 2007-2021年全球數據中心平均年度電能利用率（PUS），Statista研究部門(mén)，2022年7月21日