英飛凌與臺達雙強連手：以寬帶隙技術(shù)搶攻高端服務(wù)器及電競電源市場(chǎng)

數字化、低碳化等全球大趨勢推升了采用寬帶隙 (WBG)器件碳化硅/氮化鎵 (SiC/GaN) 器件的需求。這類(lèi)器件具備獨特的技術(shù)特性，能夠助力電源產(chǎn)品優(yōu)化性能和能源效率。英飛凌科技公司 與臺達電子工業(yè)股份有限公司 兩家全球電子大廠(chǎng)，長(cháng)期致力于創(chuàng )新的半導體和電力電子領(lǐng)域，今日宣布深化其合作，強化寬帶隙SiC及GaN器件在高端電源產(chǎn)品上的應用，為終端客戶(hù)提供出色的解決方案。 

600 V CoolGaN HSOF-8

目前，英飛凌與臺達持續加深產(chǎn)品的結合與應用合作，臺達最新的 1.4 kW 服務(wù)器電源和 1.6 kW 的 80 Plus鈦金級電競電源皆采用了英飛凌的寬帶隙功率器件。臺達憑借在電力電子領(lǐng)域積累的數十年的核心競爭力，結合英飛凌高效能的非對稱(chēng)溝槽式 CoolSiC? MOSFET 技術(shù)，推出的1.4 kW 服務(wù)器電源供應器，可實(shí)現超過(guò) 96% 的效率。另一項1.6 kW 鈦金級電競電源則采用英飛凌 CoolGaN? 技術(shù)與 EiceDRIVER? 閘極驅動(dòng)器 IC，在多電壓輸出時(shí)效率可達 96%，遠高于工業(yè)領(lǐng)域的鈦金級標準 (94%)，這主要歸因于采用英飛凌的 CoolGaN? GIT (閘極電流注入晶體管) 600 V e-mode HEMT 技術(shù)，搭配交錯式圖騰柱 PFC 拓撲，讓整體的效率獲得大幅提升。

650 V CoolSiC MOSFET TO247-4

這兩項指標性的設計案例成功地展示了結合雙方優(yōu)勢所打造的優(yōu)異成果。憑借英飛凌領(lǐng)先業(yè)界、以效能為導向、高可靠性的寬帶隙器件產(chǎn)品組合，以及臺達在電力電子系統的創(chuàng )新能力，共同實(shí)現電源供應器全新的效率水平，滿(mǎn)足甚至超越了現今80 Plus 的標準。藉由雙方合作的深化，兩家企業(yè)希望透過(guò)英飛凌高質(zhì)量且高性?xún)r(jià)比的寬帶隙技術(shù)，以及高度穩定的供貨能力，助力臺達為終端客戶(hù)提供更高能效的解決方案，在寬帶隙技術(shù)打造低碳應用的浪潮中取得領(lǐng)先地位。

臺達副總裁暨電源及系統事業(yè)群總經(jīng)理尹旋博表示：“臺達每年投入超過(guò)8%的營(yíng)收于研發(fā)創(chuàng )新，為服務(wù)器、電競計算機以及其他多元產(chǎn)業(yè)的客戶(hù)，提供高效、可靠的電源方案，滿(mǎn)足其對節能的需求。要在競爭激烈的市場(chǎng)中實(shí)現目標、取得成功，需要與值得信賴(lài)、對于電源系統領(lǐng)域充分理解的領(lǐng)先器件供貨商合作，并對特定應用提供客制化的解決方案。英飛凌是世界級的半導體和系統解決方案供貨商，也是臺達長(cháng)期合作伙伴，其多元、高效的 WBG 產(chǎn)品協(xié)助我們打造領(lǐng)先業(yè)界的電源產(chǎn)品?！?nbsp;

英飛凌電源與感測系統事業(yè)部高效電源供應、隔離與連接事業(yè)線(xiàn)負責人Johannes Schoiswohl

英飛凌電源與感測系統事業(yè)部高效電源供應、隔離與連接事業(yè)線(xiàn)負責人 Johannes Schoiswohl 表示：“英飛凌對于寬帶隙產(chǎn)品生產(chǎn)規模的投入和卓越技術(shù)，加上著(zhù)重于價(jià)值鏈上每一階段的質(zhì)量與可靠性，是我們寬帶隙半導體業(yè)務(wù)能夠取得成功，并獲得客戶(hù)認同的關(guān)鍵因素。我們的器件采用嚴格的質(zhì)量和可靠性測試程序，超越JEDEC 標準的規格要求，因此可以預測我們寬帶隙器件的長(cháng)期特性，確保在整個(gè)產(chǎn)品生命周期內的可靠性能。我們很高興能與我們的長(cháng)期伙伴臺達，基于跨越20多年的合作與信賴(lài)，持續拓展合作項目，利用雙方在技術(shù)與系統領(lǐng)域的專(zhuān)長(cháng)，為服務(wù)器及電競市場(chǎng)帶來(lái)符合未來(lái)需求的創(chuàng )新電源解決方案?！?/p>