西數將量產(chǎn)162層閃存：一塊晶圓容量100TB

        西部數據宣布，與鎧俠聯(lián)合開(kāi)發(fā)的BiCS NAND閃存將進(jìn)入第六代，堆疊層數達到162層，今年即投入量產(chǎn)。

　　目前的3D NAND閃存已經(jīng)紛紛堆到176層，美光日前更是宣布全球首個(gè)達到232層。

　　但是西數指出， 自家的162層閃存單元尺寸更小，只有68平方毫米 ，小于競品的69.6平方毫米或69.3平方毫米，因此存儲密度更高，可以提供和競品相同的單芯片容量。

　　西數表示， BiCS6 162層堆疊下，一塊晶圓就可以做到100TB容量，而目前只有大約70TB。

　　性能方面，西數宣稱(chēng)自己擁有最好的電荷捕獲(Charge Trap)型單元，性能可達 60MB/s ，比對手快了一半。

　　西數還預告了下下一代BiCS+閃存， 堆疊超過(guò)200層，預計可帶來(lái)60％的傳輸速度提升、15％的編程帶寬提升、55％的晶圓容量提升 ，然后繼續一路堆疊， 2032年左右將超過(guò)500層！

　　另外，西數在PPT上海列出了PLC閃存，但沒(méi)有任何細節消息。