英飛凌OptiMOS?源極底置功率MOSFET系列新添PQFN封裝的40 V裝置

當代的電源系統設計需要高功率密度等級和精巧的外型尺寸，以期得到最高的系統級性能。英飛凌科技股份公司近日通過(guò)專(zhuān)注于強化元器件產(chǎn)品達到系統創(chuàng )新，來(lái)應對這一挑戰。繼2 月份推出 25 V 裝置后，英飛凌又推出了 OptiMOS? 40 V 低電壓功率 MOSFET，采用源極底置 (SD, Source-Down) PQFN 封裝，尺寸為 3.3mm x 3.3 mm。這款 40 V SD MOSFET 適用于服務(wù)器的 SMPS、電信和 OR-ing，還適用于電池保護、電動(dòng)工具和充電器等應用。

SD 封裝的內部采用上下倒置的芯片。如此一來(lái)，讓源極電位 (而非汲極電位) 能通過(guò)導熱片連接至 PCB。與現有技術(shù)相比，此版本最終可使 RDS(on)大大降低 25%。相較于傳統的 PQFN 封裝，接面與外殼間的熱阻 (RthJC)亦獲得大幅改善。SD OptiMOS 可承受高達 194 A 的高連續電流。此外，經(jīng)過(guò)優(yōu)化的配置可能性和更有效的 PCB 利用，可實(shí)現更高的設計靈活性和出色的性能。

OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標準版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置并聯(lián)作業(yè)進(jìn)行了優(yōu)化。采用源極底置 (SD) PQFN 封裝的裝置尺寸為 3.3mm x 3.3 mm，可使 RDS(on)大大降低 25%，接面與外殼間的熱阻 RDS(on)亦獲得大幅改善

供貨情況

OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標準版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置并聯(lián)作業(yè)進(jìn)行了優(yōu)化。兩個(gè)版本皆采用 PQFN 3.3mm x 3.3 mm封裝，已開(kāi)始接受訂購。