國家存儲器基地項目二期開(kāi)工 規劃月產(chǎn)能20萬(wàn)片

6月20日，紫光集團發(fā)布消息，由長(cháng)江存儲實(shí)施的國家存儲器基地項目二期（土建）在武漢東湖高新區開(kāi)工，規劃產(chǎn)能20萬(wàn)片/月，達產(chǎn)后與一期項目合計月產(chǎn)能將達30萬(wàn)片。

不容忽視的是，行業(yè)龍頭三星近期也在閃存領(lǐng)域動(dòng)作頻頻。6月1日，其宣布將在韓國平澤工廠(chǎng)擴產(chǎn)NAND閃存芯片，同時(shí)該公司在西安的閃存項目也在持續擴大投資，計劃建成全球規模最大閃存芯片制造基地。

觀(guān)察者網(wǎng)注意到，受上述消息影響，今天A股早盤(pán)，光刻膠、半導體、國產(chǎn)芯片等板塊紛紛走強。個(gè)股方面，瑞芯微、北方華創(chuàng )、中微公司、北京君正、華特氣體、華峰測控等集成電路概念股均大幅上漲。

A股半導體板塊今日股價(jià)信息

一期主要實(shí)現技術(shù)突破

紫光集團介紹，長(cháng)江存儲國家存儲器基地項目由紫光集團、國家集成電路基金、湖北省科投集團和湖北省集成電路基金共同投資建設，計劃分兩期建設3D NAND閃存芯片工廠(chǎng)，總投資240億美元。

其中，項目一期于2016年底開(kāi)工建設，進(jìn)展順利，32層、64層存儲芯片產(chǎn)品已實(shí)現穩定量產(chǎn)。

在開(kāi)工儀式上，紫光集團、長(cháng)江存儲董事長(cháng)趙偉國表示，國家存儲器基地項目一期開(kāi)工建設以來(lái)，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲器芯片工廠(chǎng)，實(shí)現了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。

在64層3D NAND閃存量產(chǎn)7個(gè)月后，長(cháng)江存儲今年4月宣布新的研發(fā)進(jìn)展，其跳過(guò)96層，成功研制出業(yè)內已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量的128層閃存。

談及量產(chǎn)時(shí)間，長(cháng)江存儲當時(shí)向觀(guān)察者網(wǎng)表示，配合前述產(chǎn)能，128層NAND閃存將于今年年底到明年上半年陸續量產(chǎn)。

2019年9月，長(cháng)江存儲核心廠(chǎng)區   圖片來(lái)源：長(cháng)江存儲官網(wǎng)

西南證券6月21日分析指出，長(cháng)江存儲一期主要實(shí)現技術(shù)突破，并建成10萬(wàn)片月產(chǎn)能，計劃將于2020年底滿(mǎn)產(chǎn)，考慮到國外廠(chǎng)商擴產(chǎn)情況，屆時(shí)長(cháng)江存儲市全球占率將達5%左右。

“2018年長(cháng)江存儲突破32層3D閃存，與國外差距3-4年；2019年其實(shí)現64層技術(shù)量產(chǎn)，與國外差距縮小至2年；今年4月，長(cháng)江存儲128層QLC 3D閃存研制成功，若128層年底實(shí)現量產(chǎn)，則與三星、海力士、美光等國外廠(chǎng)商技術(shù)差距縮小至1年，一期的技術(shù)突破任務(wù)已基本完成?！痹撊谭治龇Q(chēng)。

華創(chuàng )證券分析指出，存儲器是信息系統的基礎核心芯片，最能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規模經(jīng)濟效益和先進(jìn)制造工藝，也是中國進(jìn)口金額最大的集成電路產(chǎn)品。近些年內存、固態(tài)硬盤(pán)、顯卡價(jià)格屢現上漲，根源在于存儲芯片掌握在少數國外廠(chǎng)家手中。國產(chǎn)化將降低國內半導體產(chǎn)品成本，并提升上游設備公司訂單。

6月9日，基于二季度數據，SEMI（國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )）調整2021年全球晶圓廠(chǎng)設備開(kāi)支規模的預測值，由此前預估的657億美元上調至創(chuàng )紀錄的677億美元，預計同比增長(cháng)率為24%。其中，存儲器工廠(chǎng)的設備開(kāi)支規模最大，預計達到300億美元。

前述券商統計數據顯示，截至今年6月20日，國內設備廠(chǎng)商在長(cháng)江存儲中標數量排名依次為：北方華創(chuàng )（中標56臺）、屹唐（46）、中微公司（38）、盛美半導體（18）、華海清科（11）、精測電子（8）、沈陽(yáng)拓荊（5）、中科飛測（3）、睿勵（2），覆蓋刻蝕、沉積、檢測、清洗、CMP多個(gè)領(lǐng)域。

三星、海力士紛紛擴產(chǎn)

事實(shí)上，目前全球閃存市場(chǎng)仍高度集中且被國外廠(chǎng)商壟斷。2020年一季度，三星、鎧俠（東芝）、西部數據、美光、海力士、英特爾等在全球閃存市場(chǎng)合計占有率超99%。

數據來(lái)源：TrendForce

3月底，集邦咨詢(xún)半導體研究中心（DRAMeXchange）的調查顯示，雖然新冠疫情蔓延，使得2020年第一季度的終端產(chǎn)品出貨動(dòng)能格外疲弱，但在閃存（NAND Flash）領(lǐng)域，由于2020年全年供給收縮，加上各大供應商資本支出保守，第一季NAND Flash均價(jià)在淡季仍上漲約5%。

展望第二季度，該機構指出，北美及中國市場(chǎng)數據中心的買(mǎi)方態(tài)度仍相當積極，企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)（Enterprise SSD）也成為所有應用類(lèi)別中缺貨態(tài)勢最為明顯的產(chǎn)品。由于Enterprise SSD占整體NAND Flash出貨比重持續提升，因此價(jià)格的強勁表現也帶動(dòng)第二季整體NAND Flash均價(jià)將上漲至少5%。

數據來(lái)源：TrendForce

而隨著(zhù)“宅經(jīng)濟”推動(dòng)對存儲需求的增加，加之價(jià)格上漲，龍頭廠(chǎng)商也紛紛開(kāi)始擴產(chǎn)。

6月1日，路透社報道，三星電子宣布，將擴大其在韓國平澤市（Pyeongtaek）的NAND閃存芯片生產(chǎn)能力，以押注未來(lái)對個(gè)人計算機和服務(wù)器的需求，因為新冠病毒促使更多人在家工作。

報道指出，三星計劃在明年下半年大規模生產(chǎn)該芯片，新增的產(chǎn)能將有助于滿(mǎn)足對5G手機和其他設備的需求。分析師預計，三星此次投資額將在7萬(wàn)億韓元至8萬(wàn)億韓元（約合65億美元）之間。

7個(gè)月前，三星宣布啟動(dòng)西安閃存芯片（NAND）項目二期第二階段80億美元（約合人民幣563億元）投資。項目建成后將新增產(chǎn)能每月13萬(wàn)片，使西安成為全球規模最大的閃存芯片制造基地。

與此同時(shí)，據DIGITIMES今年4月報道，SK海力士將在韓國M15工廠(chǎng)增加NAND Flash產(chǎn)能。

報道指出，之前因為市場(chǎng)供過(guò)于求，SK海力士把2019年NAND Flash晶圓較2018年減少10%以上，這也導致其產(chǎn)能爬坡速度有所減緩，不過(guò)在三星投資加速刺激下，SK海力士或也在考慮提高增產(chǎn)速度。

觀(guān)察者網(wǎng)專(zhuān)欄作者鐵流此前分析，由于中國企業(yè)在NAND Flash和DRAM兩種存儲芯片方面的市場(chǎng)占有率微乎其微，且NAND Flash和DRAM被少數國際大廠(chǎng)所壟斷，特別是韓國企業(yè)擁有非常高的市場(chǎng)份額，這直接導致存儲芯片價(jià)格很容易受到壟斷企業(yè)決策影響……長(cháng)江存儲在64層NAND上取得突破，未來(lái)將有效緩解了在NAND上單一依賴(lài)進(jìn)口供應的局面。