長(cháng)鑫存儲公布新路線(xiàn)圖：已開(kāi)始生產(chǎn)19nm計算機存儲器

長(cháng)鑫存儲技術(shù)有限公司（CXMT）已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)基于 19nm 工藝的計算機存儲器，且該公司至少制定了兩條以上的 10nm 級制程的路線(xiàn)圖，計劃在未來(lái)生產(chǎn)各種類(lèi)型的動(dòng)態(tài)隨機存儲器（DRAM）。為了提升產(chǎn)量，長(cháng)鑫存儲還計劃建造另外兩座晶圓廠(chǎng)。作為中國制造 2025 項目的一部分，其有望支撐全球一半左右的 DRAM 需求。

目前長(cháng)鑫存儲的月產(chǎn)能約為 2 萬(wàn)片晶圓，但隨著(zhù)該公司訂單量的增長(cháng)，產(chǎn)量也將逐漸提升。預計到 2020 年底，其 10nm 級工藝技術(shù)的產(chǎn)能為 12 萬(wàn)片晶圓（12 英寸），媲美 SK 海力士在中國無(wú)錫的工廠(chǎng)。

CXMT 正在使用其 10G1 技術(shù)（19 nm 工藝）來(lái)制造 4 Gb 和 8 Gb DDR4 存儲器芯片，目標在 2020 年第一季度將其商業(yè)化并投放市場(chǎng)，該技術(shù)將用于在 2020 下半年制造的 LPDDR4X 存儲器。

從路線(xiàn)圖來(lái)看，CXMT 還規劃了針對 DDR4、LPDDR4X、DDR5、以及 LPDDR5 的 10G3（17 nm 工藝）產(chǎn)品。盡管目前尚無(wú)法撼動(dòng)業(yè)內老牌競爭對手，但該公司相當重視創(chuàng )新工藝的研發(fā)和產(chǎn)能的擴張。

預計 CXMT 10G5 工藝將使用 HKMG 和氣隙位線(xiàn)技術(shù)，并在遠期使用柱狀電容器、全能柵極晶體管、以及極紫外光刻（EUVL）工藝。

盡管該公司計劃于 2019 年初開(kāi)始生產(chǎn) DDR4 內存，但新路線(xiàn)圖已經(jīng)推遲了一年。最后，該公司還計劃再建兩座 DRAM 晶圓廠(chǎng)。