SK海力士宣布開(kāi)發(fā)第三代1Znm內存芯片
作者：
時(shí)間：2019-10-23
來(lái)源：SEMI大半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
收藏
加入技術(shù)交流群
掃碼加入
和技術(shù)大咖面對面交流
海量資料庫查詢(xún)
近日，SK海力士今天宣布開(kāi)發(fā)適用第三代1Z納米DDR4 DRAM，據稱(chēng)，這款芯片實(shí)現了單一芯片標準內業(yè)界最大容量的16Gb，在一張晶圓中能生產(chǎn)的存儲量也是現存的DRAM內最大。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/201910/406147.htm與上一代1Y產(chǎn)品相比，該產(chǎn)品的生產(chǎn)率提高了約27%，由于可以在不適用超高價(jià)的EUV（極紫外光刻）曝光工藝的情況下進(jìn)行生產(chǎn)，其在成本上具有競爭優(yōu)勢。
新款1Z納米DRAM支持高達3200 Mbps的數據傳輸速率，據稱(chēng)是DDR4規格內最高速度。在功耗方面，與基于第二代8Gb產(chǎn)品的相同容量模組相比，功耗降低約40%。
第三代產(chǎn)品適用前一代生產(chǎn)工藝中從來(lái)沒(méi)使用過(guò)的新材料，將DRAM操作的關(guān)鍵要素靜電容量（Capacitance）最大化。此外，還引進(jìn)了新的設計技術(shù)，提高了動(dòng)作穩定性。
接下來(lái)，SK海力士計劃將第三代10納米級微細工程技術(shù)擴展到多種應用領(lǐng)域，包括下一代移動(dòng)DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。
DRAM 1Z開(kāi)發(fā)事業(yè)TF長(cháng)李廷燻表示，該芯片計劃年內完成批量生產(chǎn)，從明年開(kāi)始正式供應。
評論