長(cháng)鑫存儲宣布其設計產(chǎn)能12萬(wàn)片生產(chǎn)線(xiàn)投產(chǎn)
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時(shí)間：2019-09-29
來(lái)源：大半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
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新華社消息，在合肥召開(kāi)的2019世界制造業(yè)大會(huì )上，總投資約1500億元的長(cháng)鑫存儲內存芯片制造項目宣布投產(chǎn)，其與國際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計產(chǎn)能每月12萬(wàn)片晶圓。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/201909/405401.htm該項目2016年5月由合肥市政府旗下合肥產(chǎn)投與兆易創(chuàng )新共同出資組建。目前，項目已獲得工信部旗下檢測機構中國電子技術(shù)標準化研究院的量產(chǎn)良率檢測報告。
長(cháng)鑫存儲董事長(cháng)兼首席執行官朱一明介紹，長(cháng)鑫存儲投產(chǎn)的8Gb DDR4通過(guò)了多個(gè)國內外大客戶(hù)的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動(dòng)終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。
長(cháng)鑫存儲副總裁平爾萱日前在另一場(chǎng)合表示，公司已經(jīng)成功把從奇夢(mèng)達獲得的46納米堆棧式DRAM平穩過(guò)度到10納米級別，公司甚至在探索HKMG、EUV甚至GAA等新技術(shù)和新工藝在DRAM上的實(shí)現，力爭未來(lái)成為存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先者。
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