臺積電：摩爾定律依然有效 晶體管將能做到0.1納米

近日，據臺灣地區《經(jīng)濟日報》報道，臺積電研發(fā)負責人、技術(shù)研究副總經(jīng)理黃漢森表示，毋庸置疑的，摩爾定律依然有效且狀況良好，它沒(méi)有死掉、沒(méi)有減緩、也沒(méi)有帶病，并透露晶體管將能做到0.1納米。

1965年提出的摩爾定律（Moores Law）引領(lǐng)半導體發(fā)展超過(guò)半世紀，這個(gè)定律主要是指芯片上可容納的晶體管數目，約每隔18個(gè)月便會(huì )增加一倍，性能也將提升一倍。

但摩爾定律有沒(méi)有走到極限？走到極限未來(lái)會(huì )是什么樣的發(fā)展？這是近幾年來(lái)全球科技界業(yè)討論相當多的問(wèn)題。

近幾年，互補金屬氧化物半導體（CMOS）先進(jìn)制程中，最新幾代納米節點(diǎn)的功耗改善程度，已出現明顯的放緩?？萍冀缬^(guān)察到，從45納米到14納米的節能數據可以看出，雖然每一代制程，芯片的面積變得越來(lái)越小，但能夠達到的能耗縮減幅度卻越來(lái)越小，尤其在14納米初期最為明顯。近二、三年進(jìn)入更先進(jìn)的10納米制程，也有類(lèi)似狀況。這不禁讓人憂(yōu)心，摩爾定律是否即將走到盡頭？

對此，在本周開(kāi)幕的第31屆HotChips大會(huì )專(zhuān)題演講中，臺積電研發(fā)負責人、技術(shù)研究副總經(jīng)理黃漢森表示，摩爾定律依然有效且狀況良好。

對于未來(lái)的技術(shù)路線(xiàn)，黃漢森認為像碳納米管（1.2nm尺度）、二維層狀材料等可以將晶體管變得更快、更迷你；同時(shí)，相變存儲器（PRAM）、旋轉力矩轉移隨機存取存儲器（STT-RAM）等會(huì )直接和處理器封裝在一起，縮小體積，加快數據傳遞速度；此外還有3D堆疊封裝技術(shù)。

黃漢森強調，社會(huì )對先進(jìn)技術(shù)的需求是無(wú)止境的，他還強調，除了硬件，軟件算法也需要迎頭趕上。