安森美半導體將在EV China 2019展示電動(dòng)汽車(chē)和助推邁向自動(dòng)駕駛的技術(shù)
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據報道，安森美半導體(ON Semiconductor)將于7月3日至5日在上海舉辦的第13屆上海國際節能與新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì )(EV China 2019)，展示應用于汽車(chē)功能電子化、先進(jìn)駕駛輔助系統(ADAS)、汽車(chē)照明和車(chē)身電子的方案和技術(shù)。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/201907/402338.htm
汽車(chē)領(lǐng)域正迅速邁向采用純電動(dòng)汽車(chē)(EV)，并采用將最終實(shí)現全自動(dòng)駕駛汽車(chē)的精密ADAS。安森美半導體在這一領(lǐng)域處于技術(shù)前沿，持續開(kāi)發(fā)和推出器件及集成的系統方案，以使強固、可靠并完全符合最新汽車(chē)標準的高性能電子成分遍及整個(gè)車(chē)輛。
安森美半導體將在其展位上作演示，使觀(guān)眾深入了解和看到這些演示的應用的可能性。在汽車(chē)功能電子化領(lǐng)域，安森美半導體將展示其符合車(chē)規的用于牽引逆變器的器件將直流電池電壓轉換為交流，包括最近推出的AFGHL50T65SQDC 650 V、50 A混合IGBT和碳化硅肖特基勢壘二極管(SiC-SBD)技術(shù)，為汽車(chē)硬開(kāi)關(guān)應用提供最佳性能。
此外，安森美半導體將展示其寬禁帶(WBG)技術(shù)，演示650 V SiC肖特基二極管晶圓及1200 V、80 mΩ SiC MOSFET晶圓。經(jīng)AEC-Q 101汽車(chē)認證的SiC二極管和SiC MOSFET為重要的高增長(cháng)終端應用領(lǐng)域如汽車(chē)DC-DC和電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器應用帶來(lái)寬禁帶技術(shù)的使能、廣泛的性能優(yōu)勢。SiC器件結合高功率密度和高能效工作，占位更小，可顯著(zhù)減小整個(gè)系統的尺寸并降低成本。
安森美半導體也將展示其支持自動(dòng)駕駛的激光雷達(LiDAR)和圖像感知技術(shù)，可互為補足用于精密ADAS和自動(dòng)駕駛方案。
其它演示將令觀(guān)眾清晰地了解安森美半導體用于電動(dòng)汽車(chē)充電樁、先進(jìn)LED照明及車(chē)身電子應用的方案，如插電式混合動(dòng)力汽車(chē)(PHEV)和EV的正溫度系數(PTC)加熱、泊車(chē)輔助和靜音工作冷卻風(fēng)扇等。
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