國產(chǎn)90nm閃存量產(chǎn)：10萬(wàn)次壽命 25年數據保存

中國每年進(jìn)口價(jià)值1000億美元的存儲芯片，NAND閃存及DRAM內存都要依賴(lài)進(jìn)口，目前國產(chǎn)閃存芯片的希望就是紫光集團在武漢及成都兩處各自投資240億美元的存儲器基地了，不過(guò)真正規模量產(chǎn)還需要一年甚至更長(cháng)時(shí)間。

目前國內也有一些公司研發(fā)了用于特定行業(yè)的閃存芯片，比如兆易創(chuàng )新的NOR閃存，其他還有一些嵌入式閃存。上海華虹半導體今天宣布其第三代90 納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺已成功實(shí)現量產(chǎn)。

根據華虹資料，華虹半導體一直深耕嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術(shù)領(lǐng)域，通過(guò)不斷的技術(shù)創(chuàng )新，第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺的Flash元胞尺寸較第二代工藝縮小近40%，再創(chuàng )全球晶圓代工廠(chǎng)90納米工藝節點(diǎn)嵌入式閃存技術(shù)的最小尺寸紀錄。Flash IP具有更明顯的面積優(yōu)勢，使得芯片整體面積進(jìn)一步減小，從而在單片晶圓上獲得更多裸芯片數量。與此同時(shí)，光罩層數也隨之進(jìn)一步減少，有效縮短了流片周期。而可靠性指標繼續保持著(zhù)高水準，可達到10萬(wàn)次擦寫(xiě)及25年數據保持能力。

近年來(lái)，華虹半導體在90納米工藝節點(diǎn)連續成功推出三代閃存工藝平臺，在保持技術(shù)優(yōu)勢的同時(shí)，不斷探求更高性?xún)r(jià)比的解決方案。第三代工藝平臺的大規模穩定量產(chǎn)，為電信卡、Ukey、交通卡等智能卡和安全芯片產(chǎn)品以及微控制器（MCU）等多元化產(chǎn)品提供持續穩定的支持和解決方案。

華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示：“華虹半導體是嵌入式非易失性存儲器技術(shù)的領(lǐng)航者，未來(lái)將繼續聚焦200mm差異化技術(shù)的研發(fā)創(chuàng )新，面向高密度智能卡與高端微控制器市場(chǎng)，同時(shí)不斷致力于在功耗和面積方面提供顯著(zhù)的優(yōu)化，將200mm現有的技術(shù)優(yōu)勢向300mm延伸，更好地服務(wù)國內外半導體芯片設計公司，滿(mǎn)足市場(chǎng)需求?！?/p>