國內半導體重大突破 7納米時(shí)代已不遠 支持投資5700億元

在今年的全國電子信息行業(yè)工作座談會(huì )上，公布了去年我國在集成電路產(chǎn)業(yè)的銷(xiāo)售業(yè)績(jì)已經(jīng)攀升到6532億元，這是一個(gè)非?？捎^(guān)的體量。其中工藝級別發(fā)展到具備世界先進(jìn)設計水平的7納米級別，而14納米級的工藝即將投入量產(chǎn)，但與國外同期來(lái)說(shuō)仍有兩代差距。

半導體既是一個(gè)技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，涵蓋了材料學(xué)、物理學(xué)、化學(xué)、自動(dòng)化設備和機械、計算機系統、微電子、數學(xué)等系統的理工技術(shù)。同時(shí)也是資金和創(chuàng )意密集型產(chǎn)業(yè)，一臺光刻機需要1億美元，打一層光掩膜需要1萬(wàn)美元，而通常一個(gè)芯片30需要層以上；芯片設計、電路設計至少需要10年以上實(shí)際工作經(jīng)驗，才能滿(mǎn)足針對不同市場(chǎng)、不同客戶(hù)。相比較臺積電和韓國三星在7納米級半導體應用技術(shù)展開(kāi)的激烈競爭。

中芯國際從28納米走到14納米FinFET技術(shù)是極為不容易的。中芯國際身為國內半導體生產(chǎn)制造的領(lǐng)頭羊，因為人才原因，使得自身的技術(shù)工藝停滯了近4年，被前身是華為集成電路設計中心的海思半導體反超。去年引進(jìn)了尖端人才，來(lái)自三星、臺積電的前研發(fā)高層梁孟松先生后，取得重大的突破。這次讓國內半導體生產(chǎn)工藝技術(shù)跨上一個(gè)新臺階的14納米FinFET是極其重要的。

全球能夠實(shí)際量產(chǎn)FinFET架構技術(shù)的半導體企業(yè)巨頭如英特爾、臺積電、三星，都是憑借該技術(shù)架構繼續延續摩爾定律的壽命。哪怕是再往前突破進(jìn)入7納米級別，仍然離不開(kāi)該技術(shù)。當前國際、國內的半導體市場(chǎng)前景十分看好，2017年韓國三星和美國蘋(píng)果都是全球排名前三的半導體采購商，其中三星和蘋(píng)果在電子芯片采購方面的花費都在38-43億美元不等。從2017年開(kāi)始我國的資金和政策開(kāi)始雙投入支持半導體行業(yè)。

通過(guò)對國內晶圓廠(chǎng)的統計顯示，目前在建廠(chǎng)區已有15座，合計投資高達5700億元，預計在2020年左右投產(chǎn)。當今社會(huì )的移動(dòng)終端如手機、電腦的升級換代加速，也極大刺激了半導體芯片的需求。在巨大的市場(chǎng)需求到退下，中國的半導體科研工藝技術(shù)加速發(fā)展，勢在必行。在整個(gè)行業(yè)的管理上，資金、設備、技術(shù)和智力的高度集中，導致內部的協(xié)調管理要求精細化程度非常高。

失之毫厘差之千里，一個(gè)細微的錯誤，都能夠導致數以千萬(wàn)計的人力和研發(fā)成本付諸東流。所以中國集成電路和半導體的發(fā)展追趕之路依舊是漫長(cháng)的，需要我們長(cháng)期的巨額投入和腳踏實(shí)地的去積累經(jīng)驗。