碳化硅技術(shù)的硬核玩家，英飛凌用“芯”領(lǐng)航新能源時(shí)代

近日，第二屆英飛凌碳化硅應用技術(shù)發(fā)展論壇暨光伏與儲能分論壇在春意盎然的上海圓滿(mǎn)收官。此次盛會(huì )高朋滿(mǎn)座，英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部的管理團隊和技術(shù)專(zhuān)家與碳化硅產(chǎn)、學(xué)、研界的大咖，以及共創(chuàng )生態(tài)系統的合作伙伴齊聚一堂，共話(huà)碳化硅技術(shù)的發(fā)展前景、應用之道，并肩展望未來(lái)新能源發(fā)展趨勢。

論壇以“Cool 芯領(lǐng)航 英華綻放”為主題，英飛凌科技高級總監Peter Friedrichs圍繞“英飛凌碳化硅的技術(shù)布局”發(fā)表主旨演講，為整個(gè)大會(huì )拉開(kāi)了序幕。來(lái)自英飛凌、臺達電力、中國科學(xué)院電工研究所、伊頓電氣、德國萊茵TüV集團、IHS Markit的多位專(zhuān)家也出席了論壇，并做了精彩報告。

在中國產(chǎn)業(yè)革新的浪潮下，新興工業(yè)、能源產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，技術(shù)也不斷更新迭代，這要求功率器件具有更加出色的性能表現。而碳化硅功率器件憑借高頻、高效、高功率密度等優(yōu)勢，將迎來(lái)爆發(fā)期，廣泛應用于各個(gè)領(lǐng)域。在快速充電樁、太陽(yáng)能逆變器、中大功率的UPS、新能源汽車(chē)領(lǐng)域、軌道交通等行業(yè)，碳化硅器件的市場(chǎng)規模將迅速擴大，有望占據未來(lái)的科技制高點(diǎn)。

作為全球領(lǐng)先的半導體企業(yè)，英飛凌與時(shí)俱進(jìn)、開(kāi)拓創(chuàng )新，推出了先進(jìn)的碳化硅技術(shù)和完整的解決方案，將在以下應用領(lǐng)域為中國企業(yè)和合作伙伴助力：

·太陽(yáng)能領(lǐng)域：碳化硅技術(shù)可以在提高效率的同時(shí)，減小系統的體積和重量；

·電動(dòng)汽車(chē)充電領(lǐng)域：可以實(shí)現高速充電，簡(jiǎn)化電路，減少損耗；

·電機領(lǐng)域：SiC MOSFET可以降低損耗及噪音，可望減少55%的逆變器體積及重量；

·新能源汽車(chē)領(lǐng)域：SiC MOSFET將成為主要的技術(shù)，將會(huì )在新能源汽車(chē)的各個(gè)部分都能得到應用。

在論壇上，各位專(zhuān)家還詳細探討了碳化硅技術(shù)的優(yōu)勢，深入剖析了碳化硅技術(shù)帶給市場(chǎng)的機遇與挑戰，并就碳化硅市場(chǎng)的現狀與前景分享了自己的獨到見(jiàn)解。

亮點(diǎn)一：碳化硅駕到，帶給市場(chǎng)的是機遇還是挑戰？

SiC給市場(chǎng)帶來(lái)的機遇遠遠大于挑戰，SiC器件具有高壓、高頻和高效率的優(yōu)勢，但是SiC領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)人士往往對SiC器件是 “又愛(ài)又恨” ，一方面SiC在縮小了體積同時(shí)提高了效率，一方面在SiC在應用技術(shù)方面又有很高的要求，為了把短路保護做到極致，解決噪聲問(wèn)題和散熱問(wèn)題，這幾年我們在不斷的提升技術(shù)。無(wú)論是器件的研發(fā)還是系統的應用，SiC仍面臨著(zhù)很多技術(shù)門(mén)檻，我們會(huì )在這方面與SiC元器件廠(chǎng)商共同努力進(jìn)步。

——臺達電力電子研發(fā)中心執行主任潘琪女士

亮點(diǎn)二：英飛凌在SiC領(lǐng)域的市場(chǎng)定位，SiC對英飛凌的重要性

SiC是英飛凌硅化領(lǐng)域中的核心產(chǎn)品，英飛凌在SiC產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)方面做出了很多的努力。就生產(chǎn)而言，雖說(shuō)在SiC原材料供應方面，晶圓的生產(chǎn)周期和產(chǎn)能是一個(gè)挑戰，但是英飛凌現有的冷切割技術(shù)，推動(dòng)晶圓的產(chǎn)能得到大幅提升和更高效的應用。培養SiC技術(shù)領(lǐng)域人才方面，英飛凌不斷擴充頂尖技術(shù)團隊，希望把Si器件方面的生產(chǎn)能力、產(chǎn)能規模能延續到SiC，生產(chǎn)出高質(zhì)量、可靠的SiC產(chǎn)品，進(jìn)一步鞏固和提升我們的市場(chǎng)地位：為業(yè)界提供最可靠的SiC產(chǎn)品與服務(wù)！

英飛凌和國內的很多企業(yè)都有關(guān)于SiC的探討，在以下行業(yè)更是有著(zhù)成熟和深度的合作：快速充電樁、太陽(yáng)能逆變器、中大功率的UPS、車(chē)載電源、軌道交通。我認為SiC能在某個(gè)行業(yè)對其效率有革命性的提升，比如：提高能效方面和減少重量與體積方面，它一定會(huì )對這個(gè)領(lǐng)域有著(zhù)極大的作用。但是SiC器件也不是萬(wàn)金油，在接下來(lái)的很長(cháng)一段時(shí)間，Si與SiC器件都會(huì )長(cháng)期并存，共同發(fā)展。

——英飛凌科技大中華區副總裁工業(yè)功率控制事業(yè)部負責人于代輝先生

亮點(diǎn)三：SiC和Si是一脈相承還是相去萬(wàn)里？

可以從SiC與Si器件的原理方面進(jìn)行分析，就結構來(lái)講，Si與SiC材料之間最主要的差別是他們承受的電場(chǎng)能力不同，彼此之間差了10倍。所以SiC的600V器件和Si的60V器件之間是可以有借鑒之處的。SiC器件現在所做的事情和Si之前所涉的技術(shù)大致相同，所以在原理方面是有借鑒之處的。

——浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院盛況教授

亮點(diǎn)四：如何實(shí)現合理的SiC價(jià)格定位？

SiC的價(jià)格問(wèn)題是一直很?chē)谰?，客?hù)永遠希望價(jià)格越低越好。作為一個(gè)新興技術(shù)，SiC也有新興技術(shù)所存在的普遍問(wèn)題：產(chǎn)量小、穩定度不夠、價(jià)格高。雖然大家都希望SiC技術(shù)可以普及，但是從新興技術(shù)發(fā)展到通用技術(shù)這個(gè)過(guò)程往往是十分漫長(cháng)的。IGBT，從1990年至今，一共發(fā)展了30年，走過(guò)了7代的技術(shù)，從晶圓來(lái)講走過(guò)了4英寸、6英寸，8英寸、12英寸，從芯片的厚度從300降到了60 μm，最終成本降到了原先的五分之一。所以SIC技術(shù)也同樣需要時(shí)間來(lái)進(jìn)行技術(shù)上的打磨，從而降低成本。

——英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總監馬國偉博士

亮點(diǎn)五：現代電力系統的特點(diǎn)

電力電子技術(shù)使電能在發(fā)生、輸送、分配、利用及存儲等環(huán)節都處于精確可控狀態(tài)，可顯著(zhù)提高電能變換系統的靈活性和兼容性，在現代電力系統或電網(wǎng)中獲得了廣泛應用。

——中國科學(xué)院電工研究所李子欣博士

亮點(diǎn)六：供電網(wǎng)絡(luò )的變化及發(fā)展趨勢

隨著(zhù)新半導體技術(shù)的出現，我們有機會(huì )將電力電子的工作模式發(fā)生比較大的變化。通過(guò)這種變化，更利于通過(guò)不間斷電源對電網(wǎng)和負載的各種問(wèn)題做主動(dòng)性的預防。

——伊頓電氣研發(fā)總監鄭大為先生

多年來(lái)，晶圓走過(guò)了4英寸、6英寸、8英寸、12英寸的發(fā)展歷程，芯片的厚度也從300μm一路超薄化為60μm，半導體技術(shù)的日新月異不僅造就了先進(jìn)的碳化硅器件，還有更加滿(mǎn)足特定行業(yè)需求的芯片，模塊拓撲和封裝。

為了進(jìn)一步搭建行業(yè)交流的全新平臺，此次碳化硅應用技術(shù)發(fā)展論壇還首次設置了光伏與儲能分論壇。會(huì )上不僅有業(yè)界最資深的分析咨詢(xún)公司解讀光儲市場(chǎng)的未來(lái)走向，還有最權威的認證機構詳解光儲產(chǎn)品設計規范和認證，更有英飛凌的技術(shù)專(zhuān)家深入淺出地為參會(huì )者介紹最全面的光伏產(chǎn)品解決方案，現場(chǎng)互動(dòng)頻頻、驚喜不斷，掀起了一場(chǎng)半導體業(yè)的技術(shù)交流熱潮。

百尺竿頭，更進(jìn)一步。歷經(jīng)一載春華秋實(shí)，英飛凌碳化硅應用技術(shù)發(fā)展論壇已在中國生根發(fā)芽，結出了累累碩果。未來(lái)，英飛凌將繼續矢志創(chuàng )“芯”，引領(lǐng)碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，并與合作伙伴攜手共筑新能源領(lǐng)域的美好未來(lái)。