看看國外廠(chǎng)商正在發(fā)力研究的這些新技術(shù)

　　但IMEC的研究人員宣稱(chēng)他們找到了新的解決方法。

　　首先我們先看一下其原理。所有的DRAM存儲器都包括電容器—晶體管對的陣列，他們通過(guò)充放電將其數據作為電荷存儲在電容器中;電荷的存在表示“1”，不存在時(shí)是“0”。這些數字的操作是計算機編程的基礎。但由于空間限制，使得難以在Pitch內封裝足夠的電容，因此業(yè)界難以將DRAM擴展到16nm及更小的工藝制程。

　　IMEC研究人員則表示，他們使用了使用新的介電材料(SrTiO3或STO)，并使用原子層沉積(ALD)工藝去Pattern，打造了11nm的柱狀電容。通過(guò)調整電容器和生長(cháng)它的SrRuO3(SRO)外延模板的材料特性，研究人員實(shí)現了非常高的介電常數(k～118)和低漏電(±1V時(shí)10-7 A / cm2)。這意味著(zhù)可以使用柱形電容器代替現有的杯形電容器，而不會(huì )在降低數據存儲能力方面付出太多代價(jià)。這些結果使STO電容器適用于16nm和更小DRAM的持續縮放。

　　IBM在多個(gè)新領(lǐng)域的探討

　　普通人對于IBM的了解，就是他們曾經(jīng)的PC和Power處理器，但其實(shí)過(guò)去多年來(lái)，IBM在很多先進(jìn)半導體科技上的研發(fā)領(lǐng)先于很多廠(chǎng)商，在本屆的IEDM2018上，他們也帶來(lái)多個(gè)對未來(lái)技術(shù)發(fā)展的想法分享：

　　首先是Electrochemical Synaptic Cell。

　　按照IBM的說(shuō)法，我們現在為神經(jīng)形態(tài)計算研發(fā)的Synaptic Cell (如RRAM和PCM等非易失性存儲技術(shù))具有非理想的切換特性(例如，不對稱(chēng)的重量更新(asymmetric weight update)，有限的耐用性(limited endurance)和高水平隨機性(elevated levels of stochasticity)或隨機行為(random behavior)))。

　　為解決這些問(wèn)題，IBM研究人員將介紹一種新型可擴展電化學(xué)隨機存取存儲器(electrochemical random access memory，簡(jiǎn)稱(chēng)ECRAM)器件，該器件基于氧化鎢(WO3)中的鋰(Li)離子嵌入，可用作可擴展的synaptic cell。這些非易失性ECRAM顯示出高水平的開(kāi)關(guān)對稱(chēng)性和線(xiàn)性度，良好的數據保持能力，以及多達1，000個(gè)離散電導水平，這可用于大型存儲器陣列中的多級操作。

　　研究人員還展示了這個(gè)器件成功的高速編程能力。他們使用5ns脈沖寬度和300x300nm2 ECRAM器件。對于縮放的100x100nm2器件，預計具有1 fJ的超低開(kāi)關(guān)能量?；趯?shí)驗數據的MNIST圖像識別模擬顯示96%的準確度。

　　其次，解決內存計算的主要挑戰;

　　李飛在文章《內存內計算，下一代計算的新范式?》中說(shuō)到了“內存墻”問(wèn)題，而IBM在IEDM 2018上帶來(lái)了解決基于PCM內存內計算的一個(gè)大挑戰——“精度有限”。他們提出了一種設備級解決方案，也就是他們所說(shuō)的Proj-PCM。

　　據介紹，這個(gè)方案可以實(shí)現AI相關(guān)計算所需的標量乘法數學(xué)(scalar multiplication mathematics)的高精度(8位)和低功率(60 nW)。相變材料是高度非線(xiàn)性的，新穎的Proj-PCM器件采用所謂的projection segment(金屬電阻器)，以便在讀取存儲器時(shí)穩定材料的電導(electrical conductance)，從而降低噪聲和溫度漂移。他們構建了一個(gè)用于圖像識別的單層神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )，包括30個(gè)Proj-PCM設備并對其進(jìn)行離線(xiàn)訓練，之后即使在高溫下也能表現出無(wú)差錯的模式識別性能。

　　這個(gè)方案具有存儲和處理數據的雙重功能，其單獨的架構調整可以將能耗降低90%以上，并且相變存儲器(PCM)可以獲得額外的性能提升。該屬性使其能夠執行計算，研究人員預測的PCM(Proj-PCM)使PCM在很大程度上不受電導變化的影響，從而實(shí)現比以前更高的精度。按照論文介紹，這個(gè)方案不但能夠以 8-bit 精度訓練深度學(xué)習模型，同時(shí)保持圖像、速度、文本數據集類(lèi)別的模型精度。

　　除此之外，IBM還在探索用III-V族材料代替Si溝道材料的方法。

　　他們表示，III-V材料提供了硅沒(méi)有的幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)：如較低的有效質(zhì)量，較高的遷移率和直接的帶隙，這使它們更適合光子和隧道器件。硅已經(jīng)并將繼續成為電子行業(yè)的首選半導體，因為Si豐富，低成本，堅固并且在高質(zhì)量SiO 2氧化物方面提供理想的鈍化。為了結合兩者的優(yōu)點(diǎn)，在Si上集成III-V材料具有很高的技術(shù)和經(jīng)濟意義，并且已經(jīng)被追求了多年。

　　如下圖所示，與基于Si的電路緊密“聯(lián)系”的III-V器件可以提高系統性能，甚至可以實(shí)現新的應用領(lǐng)域，預期其系統制造成本將顯著(zhù)低于分立芯片封裝方法。

Si上III-V材料和器件的各種應用空間的示意圖

　　他們開(kāi)發(fā)了一種新的外延生長(cháng)方法，在在Si上沉積III-V材料，從而獲得良好的材料質(zhì)量。最重要的一點(diǎn)是，該工藝與CMOS工藝兼容，這就是他們所謂的“模板輔助選擇性外延”(Template-Assisted-Selective-Epitaxy，縮寫(xiě)TASE)工藝。

　　據介紹，IBM的這個(gè)工藝設計是為了將高遷移率材料集成成納米級別的sheets而設計的，他們也Si上集成了高性能InGaAs GAA nanosheet N-FETs。據報道，Nanosheets的厚度可以做到10nm，晶體管的柵極長(cháng)度小于40nm，且柵極金屬環(huán)繞通道，以實(shí)現最佳的柵極控制。

　　Si上集成三五族材料的范例

　　這些器件具有出色的電流驅動(dòng)能力(Ion =355μA/μm)，以及72 mV / decade的亞閾值擺幅(subthreshold swing)。研究人員表示，通過(guò)縮放柵極長(cháng)度/nanoshee尺寸可以進(jìn)一步提高器件性能，且這些器件與當前的硅制造工具兼容。

Template-Assisted-Selective-Epitax

　　在這場(chǎng)大會(huì )上，還有量子計算、無(wú)線(xiàn)通信、寬帶系功率電子和存儲等多方面的分享。正是在一代代研究人員的努力下，我們才有了今天的電子世界。相信更美好的未來(lái)值得期待。