從晉華DRAM事件出發(fā)，了解我國存儲芯片產(chǎn)業(yè)瓶頸在哪里

　　圖12 DRAM和NAND競爭格局分析

　　海關(guān)數據顯示，2017年中國進(jìn)口存儲芯片889億美元，比2016年增長(cháng)39.6%。DRAM、NAND的寡頭壟斷造成下游客戶(hù)毫無(wú)議價(jià)能力。2017財年，三星、SK海力士、美光三家存儲巨頭的半導體業(yè)務(wù)在中國的營(yíng)收分別為104、254、89億美金，合計達到447億美金，超過(guò)中國存儲芯片進(jìn)口額度的半數。

　　因此，無(wú)論從經(jīng)濟安全，還是信息安全角度，我國都亟待發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)。

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　　我國存儲芯片市場(chǎng)：短期格局難變

　　作為全球最大的存儲芯片消費市場(chǎng)之一，面對產(chǎn)業(yè)基礎薄弱，自給率極低的窘境，在政府引導和支持下，產(chǎn)業(yè)界全力以赴追趕超越，加快發(fā)展。目前，國內有三大存儲項目：紫光集團與武漢、南京及成都合作展開(kāi)的NAND與DRAM項目，兆易創(chuàng )新與合肥合作的DRAM項目(合肥長(cháng)鑫)，聯(lián)電與福建省合作的DRAM項目(福建晉華)。

　　表2 主要存儲芯片企業(yè)分析

　　紫光集團(長(cháng)江存儲+紫光南京+紫光成都)

　　紫光集團在南京、成都各有一座半導體產(chǎn)業(yè)基地，又與武漢新芯合作成立長(cháng)江存儲國家存儲芯片基地。南京半導體產(chǎn)業(yè)基地主要生產(chǎn)DRAM以及NAND芯片，成都基地和長(cháng)江存儲將專(zhuān)注于3D NAND閃存芯片。

　　長(cháng)江存儲2016年7月成立，由紫光集團、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路基金、湖北科投聯(lián)合投資240億美元。

　　2016年12月，以長(cháng)江存儲為主體的國家存儲芯片基地正式開(kāi)工，建設3座全球單座面積最大的3D NAND Flash廠(chǎng)。項目一期2018年建成投產(chǎn)，實(shí)現零的突破，成功進(jìn)入市場(chǎng)，預計2019年毛利轉正，2020年月產(chǎn)能30萬(wàn)片，2023年月產(chǎn)能100萬(wàn)片，年產(chǎn)值達1000 億人民幣。

　　圖13 長(cháng)江存儲項目重要時(shí)間節點(diǎn)

　　紫光南京/成都半導體產(chǎn)業(yè)基地均由紫光集團投資建設，目前處于建設期，未來(lái)產(chǎn)能均為30萬(wàn)片/月。

　　合肥長(cháng)鑫

　　合肥長(cháng)鑫存儲由兆易創(chuàng )新與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股合作，建設19nm、12寸晶圓DRAM芯片項目，預算金額180億元。

　　合肥長(cháng)鑫2018年一季度已完成設備安裝，一期計劃產(chǎn)能12.5萬(wàn)片/月，三期全部滿(mǎn)產(chǎn)產(chǎn)能為37.5萬(wàn)片/月。第一階段主要生產(chǎn)基于19nm平臺的8GB LPDDR4產(chǎn)品，用于智能手機。目前已開(kāi)始投產(chǎn)，預計2018年底良率可達10%，2019年底良率可達80%左右，實(shí)現大規模量產(chǎn)。

　　圖14 合肥長(cháng)鑫項目重要時(shí)間節點(diǎn)

　　福建晉華

　　由福建省電子信息集團、晉江能源投資集團有限公司等共同出資，與臺灣聯(lián)電展開(kāi)技術(shù)合作，總投資56.5億美元，建設12寸內存晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)線(xiàn)，從事利基型DRAM的研發(fā)和生產(chǎn)銷(xiāo)售，產(chǎn)品主要應用于PC及數據中心，未來(lái)瞄準消費電子產(chǎn)品。雖然消費電子的存儲需求步入存量博弈階段，但市場(chǎng)規模依舊龐大。

　　該項目共4期，每期設計產(chǎn)能6萬(wàn)片/月，總計24萬(wàn)片/月。預計4期滿(mǎn)產(chǎn)總產(chǎn)值500億人民幣。規劃第一階段提供25nm 4GB DDR4/DDR3產(chǎn)品，爭取2018年研發(fā)成功，后續繼續研發(fā)1xnm產(chǎn)品。此次美國禁售，原計劃很大可能將會(huì )推遲。

　　圖15 福建晉華項目重要時(shí)間節點(diǎn)

　　圖16 中國大陸主要半導體制造產(chǎn)線(xiàn)分布圖

　　從上述規劃看，我國廠(chǎng)商仍處于起步階段，存儲芯片研發(fā)、良品率、成本控制等能否達到預期，還有一定的不確定性，產(chǎn)能釋放將是一個(gè)緩慢的過(guò)程。從產(chǎn)能規劃看，國產(chǎn)存儲芯片市占率短期內將維持較低水平，2-3年內難以超過(guò)1%，2020年后有望得到較大提升。

　　從存儲芯片產(chǎn)業(yè)的專(zhuān)利分布、申請趨勢以及產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節的深入分析看，我們清晰的看到自身技術(shù)積累的薄弱，在人才儲備、產(chǎn)能規模、企業(yè)體量與國際巨頭還有顯著(zhù)的差距。雖然晉華事件走向何方還不明朗，但我國發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的決心只會(huì )更加堅定。面臨挑戰，我們必須著(zhù)眼于產(chǎn)業(yè)生態(tài)打造，進(jìn)一步整合資源，完善產(chǎn)業(yè)鏈布局，同時(shí)加大力度布局前瞻性技術(shù)研發(fā)，尋找技術(shù)變革帶來(lái)的新發(fā)展機遇?？上驳氖?，10月26日，中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟在武漢成立，行業(yè)抱團取暖，團結就是力量。雖然產(chǎn)業(yè)發(fā)展道阻且長(cháng)，但是我們別無(wú)選擇。