I2C上拉電阻如何取值？

I2C一般為開(kāi)漏結構，需要在外部加上拉電阻，常見(jiàn)的阻值有1k、1.5k、2.2k、4.7k、5.1k、10k等。

但是應該如何根據開(kāi)發(fā)要求選擇合適的阻值呢？

假設SDA是低電平時(shí)，即MOS管導通。那么，就可以求出上拉電阻R的阻值。

上拉電阻計算公式：

VOL定義為在漏極開(kāi)路或集電極開(kāi)路時(shí)，有3mA下拉電流時(shí)的低電平輸出電壓。IOL就是該端口的灌電流，即IOL=3mA。

由上式可得，當VDD不變， VOL取最大值時(shí)，上拉電阻有最小值。

根據I2C協(xié)議，端口輸出低電平的最高允許電壓是0.4V。

公式1可以改為：

由式2可以得出：電源電壓決定了上拉電阻的最小值。因此，當VDD=5V時(shí)，最小上拉電阻約為1.5k；當VDD=3V3時(shí)，約為1k。

由于I2C總線(xiàn)端口的高電平是通過(guò)上拉電阻實(shí)現，線(xiàn)上的電平從低變高時(shí)，電源通過(guò)上拉電阻對線(xiàn)上負載電容CL充電，這需要一定的上升時(shí)間。

電容充電一般公式：

整理可得：

I2C規范將低于VIL或0.3VDD的電壓定義為邏輯低電平，同樣將高于VIH或0.7VDD的電壓定義為邏輯高電平，由式4可以求得：

由公式5可判斷，當Tr取最大值，CL取最小值時(shí)，R有最大值。

由于不同模式下，上升沿的最大時(shí)間及總線(xiàn)負載最大容限要求不同，標準模式、快速模式、高速模式分別是：1000ns/400pF、300ns/400pF、120ns/550pF。

以快速模式下，負載電容50pF為例，則有：

結論：電源電壓決定上拉電阻的最小值，總線(xiàn)負載電容決定上拉電阻的最大值。