中國ICT技術(shù)：進(jìn)步可喜 前景可期

　　改革開(kāi)放40年，中國高新技術(shù)發(fā)展水平如何?特別是在ICT(信息通訊技術(shù))領(lǐng)域，國外半導體專(zhuān)家究竟是如何看待和評價(jià)的呢?帶著(zhù)這些問(wèn)題，科技日報記者日前采訪(fǎng)了韓國著(zhù)名企業(yè)家和半導體專(zhuān)家崔珍奭博士，傾聽(tīng)了他的看法。

　　崔博士在韓國半導體業(yè)界名氣很大。根據韓國NAVER門(mén)戶(hù)網(wǎng)站上面人物詞典的介紹，崔博士歷任三星電子技術(shù)開(kāi)發(fā)部首席研究員、常務(wù)理事、海力士半導體專(zhuān)務(wù)理事、副社長(cháng)、STX SOLAR 社長(cháng)、韓和集團制造部門(mén)運營(yíng)創(chuàng )新總括社長(cháng)等職，并在多所大學(xué)擔任過(guò)教職。他從三星電子轉職海力士，依靠研發(fā)和管理能力幫助危機重重的海力士業(yè)務(wù)走上正軌的案例，堪稱(chēng)韓國半導體發(fā)展史上的經(jīng)典。

　　中國半導體業(yè)取得階段性成果

　　改革開(kāi)放40年，中國已躍升全球最大的半導體消費國和電子產(chǎn)品生產(chǎn)國，中國企業(yè)消耗的芯片數量幾乎是全球產(chǎn)量一半。與此同時(shí)，中國使用的芯片也有不少需要進(jìn)口。但是，業(yè)內人士無(wú)疑看到了更多的內容。

　　崔博士說(shuō)，韓國半導體業(yè)界早已感受到中國的進(jìn)步。雖然韓國企業(yè)規模更大，綜合技術(shù)實(shí)力更強，但中國的步伐顯然邁得更快。

　　崔博士的觀(guān)點(diǎn)很明確：中國在半導體行業(yè)里已經(jīng)取得了階段性成果，天下三分，已置身其二。

　　崔博士表示，半導體行業(yè)大致可以劃分為儲存器業(yè)務(wù)、系統芯片業(yè)務(wù)和晶圓代工業(yè)務(wù)三塊，中國在其中的兩個(gè)業(yè)務(wù)領(lǐng)域已取得成功，技術(shù)實(shí)力接近了主流水平。

　　在系統芯片領(lǐng)域，美國和歐洲企業(yè)技術(shù)實(shí)力強勁，特別是在高端芯片市場(chǎng)，美歐企業(yè)目前仍然保持行業(yè)領(lǐng)先位置，但是在相對低端的通用CPU等細分市場(chǎng)，中國在2010年就已經(jīng)超越韓國，成為全球主要的系統芯片生產(chǎn)國之一。中國在這個(gè)領(lǐng)域至今仍然保持著(zhù)迅猛發(fā)展的勢頭，逐步進(jìn)入高端芯片領(lǐng)域。

　　在晶圓代工業(yè)務(wù)方面，中國的總體水平已經(jīng)開(kāi)始領(lǐng)跑韓國。中國的SMIC和華虹正在推進(jìn)28納米工程，而韓國三星電子雖然具備40—14納米技術(shù)，但是晶圓代工業(yè)務(wù)并不活躍，業(yè)務(wù)量占比很低。而韓國主要晶圓代工企業(yè)，如東部、MAGNACHIP等，目前的核心業(yè)務(wù)都建立在8英寸晶圓和180—100納米制程上，已經(jīng)同中國企業(yè)存在技術(shù)代差。

　　全球存儲器業(yè)務(wù)中長(cháng)期預測樂(lè )觀(guān)

　　2016年下半年，儲存器業(yè)務(wù)迎來(lái)了最近一輪景氣周期。其中DRAM產(chǎn)業(yè)集中度更高，表現也更加亮眼。當前全球內存產(chǎn)業(yè)的主要玩家包括韓國的三星電子、海力士半導體和美國的美光，這三家在2017年和2018年第一季度均取得了令人矚目的經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jì)。三星電子2018年第一季度業(yè)績(jì)，總營(yíng)收達到60.56萬(wàn)億韓元，同比增長(cháng)約20%，當季營(yíng)業(yè)利潤也創(chuàng )下歷史新高的15.64萬(wàn)億韓元，同比增長(cháng)約三分之一。其中以DRAM為主的半導體業(yè)務(wù)創(chuàng )造的營(yíng)業(yè)利潤超過(guò)了集團總利潤的一半。

　　另一個(gè)值得關(guān)注的數據是，經(jīng)過(guò)2017年一年時(shí)間，全球儲存器業(yè)務(wù)占半導體整體業(yè)務(wù)的比重已經(jīng)從2016年的21%提升到了30%。對于半導體這樣一個(gè)發(fā)展了數十年的成熟行業(yè)來(lái)說(shuō)，這種提升幅度是巨大的，其中最主要的影響因子是內存漲價(jià)因素。不過(guò)，考慮到智能手機和各種移動(dòng)設備硅含量的不斷增加，圖形處理器、大數據、人工智能、智能汽車(chē)和物聯(lián)網(wǎng)等新的電子技術(shù)未來(lái)內存需求的釋放，存儲器業(yè)務(wù)中長(cháng)期的預測仍然是樂(lè )觀(guān)的。

　　中國儲存器業(yè)務(wù)尚未完全啟動(dòng)

　　崔博士介紹，一般來(lái)說(shuō)，評價(jià)內存企業(yè)技術(shù)水平主要考察企業(yè)的技術(shù)節點(diǎn)。目前為止，內存生產(chǎn)技術(shù)大體沿著(zhù)28、25、23、20、18納米的路線(xiàn)進(jìn)行迭代和升級。這種差距意味著(zhù)內存顆粒性能的高下之別，也意味著(zhù)生產(chǎn)成本的巨大差異。對于內存行業(yè)來(lái)說(shuō)，一代的差距也意味著(zhù)大約2年的追趕時(shí)間。

　　崔博士表示，以2017年為基準，三星電子的主力DRAM使用18納米制程，海力士和美光為20納米制程。從數據上大體可以認為，三星電子領(lǐng)先一代左右。而同樣使用20納米制程，美光在單位面積晶圓上制造的內存單元的數量相當于23納米制程的水平。這樣看美光還要落后一代。同中國ICT行業(yè)巨大的規模和需求相比，中國的儲存器業(yè)務(wù)尚未完成啟動(dòng)過(guò)程，目前計劃投產(chǎn)的企業(yè)在制程上恐怕還要落后于美光。這個(gè)差距需要關(guān)注。

　　崔博士強調，中國并不缺乏資金和設備，也有龐大的市場(chǎng)作為支撐，目前缺乏的是技術(shù)。他說(shuō)，內存企業(yè)需要確定正確的技術(shù)路線(xiàn)，需要迭代研發(fā)制程工藝，對人才的需求是非常迫切的。他表示，核心技術(shù)沒(méi)有捷徑，相信中國企業(yè)能夠直面差距，著(zhù)眼長(cháng)遠，解決好左右未來(lái)發(fā)展的瓶頸問(wèn)題。