14張圖看懂半導體工藝演進(jìn)對DRAM、邏輯器件、NAND的影響
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編者按：DRAM工藝尺寸的縮減正在面臨基本的物理限制，目前還有沒(méi)有明確的解決方案，由于印刷需求的推動(dòng)，DRAM的清洗復雜度也在增加。
邏輯器件
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/201804/378381.htm在第八張幻燈片中，我介紹了格羅方德、英特爾、三星和臺積電的邏輯器件工藝節點(diǎn)。這四家廠(chǎng)商是邏輯器件工藝領(lǐng)域的領(lǐng)導廠(chǎng)商。應當特別指出的是，英特爾的節點(diǎn)通常等同于其他廠(chǎng)商下一代較小的工藝節點(diǎn)，比如英特爾的10nm和代工廠(chǎng)的7nm差不多。
幻燈片表格下方，左側顯示的是FinFET的橫截面，這是當前先進(jìn)邏輯器件首選的工藝，右側顯示了納米線(xiàn)和納米片，預計將在4nm左右時(shí)替代FinFET。
在幻燈片9中，我介紹了一些主要的邏輯器件工藝的演變。在這張幻燈片中，我以英特爾/代工廠(chǎng)的兩個(gè)數字展示工藝節點(diǎn)，如上所述，英特爾的工藝節點(diǎn)和代工廠(chǎng)較小尺寸的工藝節點(diǎn)類(lèi)似。
在第10張和第11張幻燈片中，我介紹了一些主要的邏輯工藝模塊，并討論了這些模塊對清洗和濕條帶的需求。
12號幻燈片是邏輯器件章節最后一張幻燈片，介紹了基于臺積電工藝節點(diǎn)的清洗步驟數量。當工藝尺寸下降到第一代7nm工藝時(shí)，由于增加了掩膜層，再加上多重圖案化的復雜性，清洗次數一直在增加，在隨后的7nm+和5nm節點(diǎn)上，由于EUV將顯著(zhù)降低光刻的復雜度，因此消除了許多清洗步驟。
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