復旦大學(xué)科研團隊開(kāi)創(chuàng )研發(fā)第三類(lèi)存儲技術(shù)

　　近日，復旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛、周鵬團隊實(shí)現了具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原型器件，開(kāi)創(chuàng )了第三類(lèi)存儲技術(shù)，解決了國際半導體電荷存儲技術(shù)中“寫(xiě)入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。

　　據了解，目前半導體電荷存儲技術(shù)主要有兩類(lèi)，第一類(lèi)是易失性存儲，例如計算機中的內存，掉電后數據會(huì )立即消失;第二類(lèi)是非易失性存儲，例如人們常用的U盤(pán)，在寫(xiě)入數據后無(wú)需額外能量可保存10年。前者可在幾納秒左右寫(xiě)入數據，第二類(lèi)電荷存儲技術(shù)需要幾微秒到幾十微秒才能把數據保存下來(lái)。

　　寫(xiě)入速度比目前U盤(pán)快10000倍，數據刷新時(shí)間是內存技術(shù)的156倍，并且擁有卓越的調控性，可以實(shí)現按照數據有效時(shí)間需求設計存儲器結構……經(jīng)過(guò)測試，復旦大學(xué)科研團隊研究人員發(fā)現這種基于全二維材料的新型異質(zhì)結能夠實(shí)現全新的第三類(lèi)存儲特性。

　　值得一提的是，此次研發(fā)的新型電荷存儲技術(shù)，既滿(mǎn)足了10納秒寫(xiě)入數據速度，又實(shí)現了按需定制(10秒-10年)的可調控數據準非易失特性。這種全新特性不僅在高速內存中可以極大降低存儲功耗，同時(shí)還可以實(shí)現數據有效期截止后自然消失，在特殊應用場(chǎng)景解決了保密性和傳輸的矛盾。

　　記者了解到，從技術(shù)定義、結構模型到性能分析的全過(guò)程，這項科學(xué)突破均由復旦大學(xué)科研團隊獨立完成。團隊立足本土，扎根中國大地，取得了國際上未來(lái)存儲技術(shù)領(lǐng)域的一項重要科學(xué)突破，并在國際頂級刊物《NatureNanotechnology》(《自然·納米技術(shù)》)上以長(cháng)文形式發(fā)表。