復旦大學(xué)設計出新型態(tài)光敏感性半導體內存

　　近日有研究團隊基于原子級薄度的半導體設計出一種內存，除了具有良好的性能，也可以在完全不需要電力輔助的情況下，用光線(xiàn)就能消除儲存數據，團隊認為這種新的內存在系統整合型面板(System on Panel)上， 具有十分大的應用潛力。

　　Phys.org 報導，復旦大學(xué)和中國科學(xué)院微電子研究所的 Long-Fei He 及相關(guān)研究人員最近在新的應用物理學(xué)快報(AIP)期刊上發(fā)表了一個(gè)關(guān)于新型態(tài)內存的論文。

　　由于大多數現有的內存技術(shù)都太過(guò)笨重，無(wú)法整合應用在顯示面板上，研究人員一直都在研究全新的設計和材料，試圖制造出同樣具有良好性能、卻能超薄的儲存設備。

　　在這項新的研究中，研究人員透過(guò)二維過(guò)度金屬材料「二硫化鉬」(MoS2)的應用，創(chuàng )造出一種原子級薄度的半導體，它的電導率(conductivity)可以被精細的調整，進(jìn)而形成具有高開(kāi)關(guān)電流比的內存基礎組件。

　　除此之外，團隊也在測試中證實(shí)，這類(lèi)型內存具有運行速度快、大容量的內存空間和優(yōu)異的保存性，研究人員估計，即使處在 85°C(185°F)的高溫下 10 年，儲存空間仍可以保存原有的 60% 左右，對于實(shí)際應用來(lái)說(shuō)仍然足夠。

　　過(guò)去已有研究證實(shí)二硫化鉬具有光敏性(photoresponsive)，這意味著(zhù)一些性質(zhì)可以運用光來(lái)控制，為了了解實(shí)際應用情況，團隊也實(shí)際進(jìn)行了相關(guān)實(shí)驗，結果他們發(fā)現，當光線(xiàn)照射到已編程的存儲設備上時(shí)，儲存數據被完全消除， 但同時(shí)運用電壓抹除信息的方式也仍然可以使用。

　　合著(zhù)人 Hao Zhu 表示，團隊目前正在研究透過(guò)編程可控的光脈沖波長(cháng)和時(shí)間，來(lái)大規模整合這種儲存組件。 研究人員相信未來(lái)這種儲存設備，將會(huì )在系統整合型面板的應用上扮演重要角色。