c行業(yè)周期即將逆轉，存儲器芯片景氣或觸頂

　　摩根士丹利(Morgan Stanley，大摩)26日以明年存儲器芯片獲利恐難顯著(zhù)成長(cháng)為由，將三星電子公司(Samsung Electronics Co Ltd)投資評等自“加碼”降至“中性權重”，目標價(jià)下修3.4%至280萬(wàn)韓元。大摩指出，隨著(zhù)NAND型快閃存儲器報價(jià)在2017年第四季開(kāi)始反轉，下行風(fēng)險隨之升高;在此同時(shí)，2018年第一季以后的DRAM供需能見(jiàn)度也已降低。自2016年一季度以來(lái)半導體行業(yè)所享受的強勁市場(chǎng)需求和史無(wú)前例的定價(jià)權難以為繼，NAND閃存超級周期料將發(fā)生逆轉。

　　三星電子10月表示，2018年DRAM、NAND型快閃存儲器供需預估將持續呈現吃緊。三星電子27日盤(pán)中下跌4.2%，創(chuàng )一年多以來(lái)最大跌幅。三星競爭對手SKHynix一度下跌3.6%，創(chuàng )10月底以來(lái)最大跌幅。韓國股市27日早盤(pán)遭逢來(lái)自外資與法人的賣(mài)壓，以三星電子為首的科技股領(lǐng)跌。

　　截至北京時(shí)間27日12時(shí)41分為止，三星電子下跌4.18%，報2,657,000韓元;開(kāi)盤(pán)迄今最低跌至2,650,000韓元，創(chuàng )10月27日以來(lái)新低。SK Hynix下跌2.35%，報83,100韓元;開(kāi)盤(pán)迄今最低跌至82,000韓元，創(chuàng )11月20日以來(lái)新低。

　　美國存儲器大廠(chǎng)美光科技(Micron Technology Inc.)11月24日上漲1.10%，收49.68美元，創(chuàng )2000年9月27日以來(lái)收盤(pán)新高;今年迄今大漲126.64%。

　　英特爾、美光科技11月13日宣布，IM Flash B60晶圓廠(chǎng)已完成擴建工程。新聞稿指出，規模擴大后的晶圓廠(chǎng)將生產(chǎn)3D XPoint存儲器媒體。成立于2006年的IM Flash合資企業(yè)替英特爾與美光生產(chǎn)非揮發(fā)性存儲器。美光將在12月19日公布2018會(huì )計年度第一季財報。新聞稿顯示，美光的存儲器與儲存解決方案協(xié)助推動(dòng)人工智能(AI)、機器學(xué)習以及自主駕駛車(chē)等顛覆性趨勢。

　　大摩認為內存/閃存行業(yè)周期即將到來(lái)，并將三星電子、臺積電和西部數據等半導體硬盤(pán)龍頭企業(yè)均遭下調至“觀(guān)望”評級，全球最大的工業(yè)寬溫閃存供應商群聯(lián)電子遭下調至“看跌”評級，目標股價(jià)較市價(jià)縮水12%。受行業(yè)龍頭三星重挫影響，A股芯片概念股今日也領(lǐng)跌大盤(pán)，A股半導體板塊72家企業(yè)中有64家下跌，板塊平均收跌4.28%，截止收盤(pán)韋爾股份、匯頂科技、景嘉微、國科微均跌停。