國際大廠(chǎng)力量強勢，中國存儲器明年迎 “大戰”

　　兆易創(chuàng )新與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股(集團)有限公司最近簽署《關(guān)于存儲器研發(fā)項目之合作協(xié)議》，約定雙方在安徽省合肥市經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區合作開(kāi)展工藝制程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器(含DRAM等)研發(fā)項目，項目預算約為180億元。此前，業(yè)界一直有兆易創(chuàng )新將與合肥長(cháng)鑫合作發(fā)展DRAM內存芯片的消息傳出。此協(xié)議的簽署表明兆易創(chuàng )新正式加入存儲競爭格局。

　　除兆易創(chuàng )新以及合肥長(cháng)鑫外，國內投入存儲芯片的主要企業(yè)還包括長(cháng)江存儲和福建晉華，目前三大存儲芯片企業(yè)均在加緊建設存儲芯片工廠(chǎng)，最快的預計將于明年下半年開(kāi)始投產(chǎn)。也就是說(shuō)，2018年有望成為國產(chǎn)存儲器主流化發(fā)展元年。

　　兆易創(chuàng )新正式入局DRAM內存競爭

　　10月31日晚間，兆易創(chuàng )新發(fā)布重大事項停牌公告，稱(chēng)擬籌劃重大事項，該事項可能涉及發(fā)行股份購買(mǎi)資產(chǎn)。業(yè)界分析此舉或與合肥方面簽署180億元存儲器項目有關(guān)。根據合作協(xié)議，兆易創(chuàng )新將在合肥市經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區空港經(jīng)濟示范區內開(kāi)展工藝制程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器(含DRAM等)的研發(fā)，目標是在2018年12月31日前研發(fā)成功，即實(shí)現產(chǎn)品良率不低于10%。項目預算達180億元，兆易創(chuàng )新與合肥產(chǎn)投將根據1∶4的比例負責籌集，兆易創(chuàng )新負責籌集約36億元。

　　當前，兆易創(chuàng )新的主導產(chǎn)品為特種存儲器NOR Flash，是全球五大NOR Flash供應商之一，同時(shí)也供應SPI NAND和SLC NAND等。兆易創(chuàng )新一直希望進(jìn)入主流存儲器DRAM內存市場(chǎng)。此前，兆易創(chuàng )新曾計劃收購芯成半導體(ISSI)，作為DRAM研發(fā)基地。芯成半導體是國際主要SRAM供應商之一，也有部分DRAM產(chǎn)品。該合作案終止后，兆易創(chuàng )新又轉而啟動(dòng)了與合肥的合作研發(fā)計劃。作為合肥發(fā)展存儲器的主要平臺，合肥長(cháng)鑫計劃投資72億美元建設存儲芯片工廠(chǎng)，以DRAM存儲芯片為主。

　　目前國內主流存儲器芯片的參與者主要有三家，分別是國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和紫光集團共同投資的長(cháng)江存儲、福建晉華和合肥長(cháng)鑫。長(cháng)江存儲初期定位于3D NAND生產(chǎn)，后期將進(jìn)行DRAM產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。9月28日，長(cháng)江存儲的一號生產(chǎn)及動(dòng)力廠(chǎng)房實(shí)現提前封頂，預計將于2018年投入使用，項目(一期)達產(chǎn)后，總產(chǎn)能將達到30萬(wàn)片/月，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。長(cháng)江存儲CEO楊士寧表示，在武漢將產(chǎn)生距世界前沿最近的中國自主生產(chǎn)的存儲器芯片產(chǎn)品，滿(mǎn)產(chǎn)后能供應國內存儲芯片需求的50%以上。

　　福建晉華以DRAM存儲芯片為主，投資額達到370億元，預計2018年投產(chǎn)。其與中國臺灣地區主要代工廠(chǎng)之一的聯(lián)電合作，由后者協(xié)助開(kāi)發(fā)DRAM存儲芯片技術(shù)。日前，聯(lián)電表示將于明年第四季度完成第一階段技術(shù)開(kāi)發(fā)。

　　國際大廠(chǎng)擴產(chǎn)將形成價(jià)格壓力

　　根據三家存儲廠(chǎng)的規劃，研發(fā)及投產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)大多落在2018年。因此，明年將成為國產(chǎn)存儲器發(fā)展的關(guān)鍵一年。而從市場(chǎng)狀況來(lái)看，2017年全球內存芯片價(jià)格持續高漲，集邦咨詢(xún)數據顯示，2017年全球內存平均銷(xiāo)售單價(jià)較去年增長(cháng)35.2%，全球內存產(chǎn)業(yè)營(yíng)收增長(cháng)60%～65%。如果這種局面得以延續，對新投入存儲市場(chǎng)的中國企業(yè)來(lái)說(shuō)將是一大利好，對開(kāi)局是一個(gè)有利條件。

　　然而，日前有消息稱(chēng)，三星等國際存儲器大廠(chǎng)已有2018年擴產(chǎn)的計劃。集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)研究協(xié)理吳雅婷指出，以主流標準型內存模組(DDR4 4GB)合約價(jià)為例，從去年中開(kāi)始起漲，由當時(shí)的13美元均價(jià)拉升至今年第四季度合約價(jià)30.5美元，報價(jià)連續6個(gè)季度增長(cháng)，合計漲幅超過(guò)130%，帶動(dòng)相關(guān)DRAM大廠(chǎng)獲利能力大幅提升。在連續數季內存價(jià)格上升的帶動(dòng)下，SK海力士、美光皆累積許多現金在手。有了豐沛的資源，SK海力士將在年底展開(kāi)18nm制程，無(wú)錫二廠(chǎng)也將在明年興建，預計2019年產(chǎn)出;美光借著(zhù)股價(jià)水漲船高之際宣布現金增資，代表未來(lái)在蓋新廠(chǎng)、擴張產(chǎn)能與制程升級上做好了準備;三星也有意將其平澤廠(chǎng)二樓原定興建NAND的產(chǎn)線(xiàn)，部分轉往生產(chǎn)DRAM，并全數采用18nm制程，加上原有Line17還有部分空間可以擴產(chǎn)，預計三星此舉最多將2018年DRAM產(chǎn)出量提升80K~100K晶圓，帶動(dòng)三星明年產(chǎn)出供給量由原本預估的增長(cháng)18%上升至23%。

　　三星等國際大廠(chǎng)的擴產(chǎn)勢必壓抑內存價(jià)格上漲幅度，同時(shí)也將提升中國企業(yè)的進(jìn)入門(mén)檻。

　　產(chǎn)業(yè)鏈密切協(xié)作推進(jìn)存儲產(chǎn)業(yè)

　　市場(chǎng)對存儲芯片的需求在不斷增長(cháng)，根據IC Insights的數據，2016年規模最大的細分市場(chǎng)是邏輯電路，容量為883億美元;存儲芯片市場(chǎng)容量居第二位，為743億美元，兩者的差距已縮小到20%以?xún)?。中國是全球最大的服?wù)器、PC和智能手機市場(chǎng)，對存儲芯片的需求也極為龐大。然而，面對國際巨頭產(chǎn)能技術(shù)市場(chǎng)等全方位領(lǐng)先優(yōu)勢，中國發(fā)展存儲芯片勢必面臨巨大挑戰。

　　對此，兆易創(chuàng )新董事長(cháng)兼總經(jīng)理朱一明指出，目前中國企業(yè)在特殊存儲器市場(chǎng)已經(jīng)形成一定基礎，但在主流存儲器如NAND Flash、DRAM方面卻存在著(zhù)鴻溝。國內半導體產(chǎn)業(yè)崛起需要上下游產(chǎn)業(yè)鏈之間密切協(xié)作互助，形成合力。此前，兆易創(chuàng )新在NOR Flash方面與中芯國際合作，發(fā)揮虛擬IDM的優(yōu)勢。在DRAM方面，兆易創(chuàng )新也有可能采取同樣策略，與合肥長(cháng)鑫形成類(lèi)似合作模式。

　　行業(yè)專(zhuān)家莫大康也指出，中國發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)是一個(gè)長(cháng)期的過(guò)程，不可能一蹴而就。在未來(lái)相當長(cháng)的一段時(shí)間內，中國半導體業(yè)必須是一個(gè)踏踏實(shí)實(shí)的“跟隨者”與“學(xué)習者”，同樣又是一個(gè)與產(chǎn)業(yè)共同進(jìn)步的“貢獻者”。與全球其他地區不同，此次中國傾全力來(lái)發(fā)展半導體業(yè)，因此相對實(shí)力十分強大，是全球其他地區與國家無(wú)法比擬的，即便暫時(shí)道路有些迂回，也沒(méi)有什么可怕的。