有機憶阻器再創(chuàng )紀錄，但未來(lái)是否有機會(huì )顛覆存儲器市場(chǎng)？

　　憶阻器是傳說(shuō)中電阻器、電容器和電感元件以外的電路第四元件，始終處于實(shí)驗階段，但這個(gè)傳說(shuō)可能將實(shí)現。來(lái)自新加坡、美國和印度的國際團隊研究出一種新型有機憶阻器，不只速度快且穩定性高，保存資料的時(shí)間更打破原有紀錄。

　　憶阻器(Memristor)最早在1971年由加州大學(xué)柏克萊分校的蔡少棠教授提出，概念取自于“記憶”(Memory)和“電阻器”(Resistor)兩個(gè)字的組合。他認為電阻、電容和電感代表電子學(xué)中電壓、電流、電荷和磁通量4項重要元素之間的關(guān)系，但代表電荷和磁通量之間關(guān)系的元件尚未存在，于是將其命名為憶阻器。

　　憶阻器的特性在于電阻并不固定，會(huì )因為通過(guò)的電荷不同而改變，當電荷不再通過(guò)時(shí)，電阻就會(huì )停留在最后通過(guò)的值而不再改變。如果電荷是流進(jìn)水管的水，電阻是水管的直徑，憶阻器就像隨著(zhù)水流大小改變粗細的水管。如果流過(guò)的水量(電荷)大，那水管就會(huì )變粗(電阻增加);如果流過(guò)的水量(電荷)小，那水管就會(huì )變細(電阻減少);如果水停了，水管就會(huì )維持最后的直徑。

　　利用憶阻器的特性來(lái)打造存儲器，即使關(guān)閉電源也能保存資料的內容，而且能以更小的空間儲存資料，足以取代現有的快閃存儲器。此外，憶阻器與人腦神經(jīng)突觸的屬性類(lèi)似，可能可以幫助模擬人腦的特征，加速人工智能的進(jìn)展。但由于技術(shù)上的困難，憶阻器的概念提出時(shí)只被視為理論上的存在。

　　2007年惠普(HP)宣布由RichardStanleyWilliams率領(lǐng)的團隊成功研發(fā)出固態(tài)憶阻器，這種憶阻器以無(wú)機二氧化鈦為原料，形成一片雙層薄膜?；萜沾虻乃惚P(pán)不僅是利用憶阻器取代快閃存儲器，更想借此打造全新的電腦型態(tài)。雖然惠普曾在2010年宣稱(chēng)將與韓國半導體公司SK海力士(SKHynix)合作，在2013年推出憶阻器產(chǎn)品，但始終停留在只聞樓梯響的階段。

　　由新加坡大學(xué)、印度科學(xué)協(xié)會(huì )(IACS)和耶魯大學(xué)合作的國際團隊選擇有機物為原料，打造新型的憶阻器。這款憶阻器由過(guò)渡金屬釕和有機材料“azo-aromaticligands”所組成，而且即使成分有有機分子卻相當穩定。新型的有機憶阻器能在50奈秒內切換狀態(tài)，并能在無(wú)電力狀況下保存資料長(cháng)達11天。更重要的是，這種有機憶阻器的原料既不罕見(jiàn)也不危險，技術(shù)上易于制造且和現有技術(shù)相比，在成本具相當競爭力。團隊領(lǐng)導人ThirumalaiVenkyVenkatesan表示，將尋求工業(yè)合作伙伴，以期發(fā)揮這項材料的功能。

　　雖然距離實(shí)際上市還要一段時(shí)間，但以這項憶阻器的容量和特性，如果產(chǎn)品真的成功，將大大顛覆整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)，并改變人們的日常生活。