如何利用高電流柵極驅動(dòng)器實(shí)現更高的系統效率
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時(shí)間：2017-10-13
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特別是高電流柵極驅動(dòng)器，其能夠通過(guò)降低開(kāi)關(guān)損耗幫助提升整體系統效率。當FET開(kāi)關(guān)打開(kāi)或關(guān)閉時(shí)，就會(huì )出現開(kāi)關(guān)損耗。為了打開(kāi)FET，柵極電容得到的電荷必須超過(guò)閾值電壓。柵極驅動(dòng)器的驅動(dòng)電流有助于柵極電容的充電。驅動(dòng)電流能力越高，電容的充放電速度就越快。拉灌大量電荷的能力可以降低功率損耗和畸變。(傳導損耗是另一種FET開(kāi)關(guān)損耗，傳導損耗取決于內部電阻或FET的RDS(on)值，其中，隨著(zhù)電流通過(guò)，FET也會(huì )耗散功率。)
換言之，目標是減少系統內需要高頻率功率轉化的開(kāi)關(guān)過(guò)渡時(shí)間。突出該類(lèi)性能的柵極驅動(dòng)器規格為上升和下降時(shí)間。參見(jiàn)圖1。
圖1：典型的上升和下降時(shí)間圖
關(guān)鍵詞：
柵極驅動(dòng)器
德州儀器
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