格羅方德推出12nm制程 成都新廠(chǎng)也將于2018年底投產(chǎn)

　　格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)于22日宣布推出全新12nm Leading-Performance (12LP) FinFET半導體制程計劃。格羅方德表示，此技術(shù)將可望超越格羅方德現行14nm FinFET技術(shù)的產(chǎn)品，提供密度及效能上提升，進(jìn)而滿(mǎn)足運算密集型的應用，例如包括人工智能、虛擬現實(shí)、高端智能手機以及網(wǎng)絡(luò )基礎架構等的處理需求。

　　格羅方德指出，相較于現今市場(chǎng)上的16nm和14nm FinFET制程解決方案，全新12LP技術(shù)可提供高達15%的電路密度提升，以及超過(guò)10%的效能強化，這將賦予12LP技術(shù)與其他12nm FinFET技術(shù)全面競爭的優(yōu)勢，而此技術(shù)將運用于格羅方德位在美國紐約薩拉托加郡晶圓8廠(chǎng)的生產(chǎn)中。

　　而除了電晶體方面的效能提升，12LP平臺還將包含專(zhuān)為車(chē)用電子設備和射頻及模擬應用(RF/analog application)所設計，并以市場(chǎng)為導向的新功能。而車(chē)載電子設備和射頻及模擬應用，預計將是產(chǎn)業(yè)中成長(cháng)最快速的兩個(gè)領(lǐng)域。因此，12LP平臺將會(huì )為市場(chǎng)帶來(lái)新的發(fā)展領(lǐng)域。

　　此外，格羅方德預計斥資總金額超過(guò)100億美元，在中國成都高新區西部園區的格羅方德Fab11晶圓代工廠(chǎng)，預計將在10月份舉行封頂作業(yè)。并且預計在2018年年底前，進(jìn)行第一期的投產(chǎn)。據了解，目前已經(jīng)有數家的中國廠(chǎng)商開(kāi)始與格羅方德合作，開(kāi)始規劃22nm FD-SOI制程的的產(chǎn)品設計工作。

　　按照規劃，累計投資達百億美元的格羅方德Fab11晶圓廠(chǎng)，預計將分為兩期建設。第一期為主流CMOS制程12寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，預計2018年年底投產(chǎn)。第二期為格羅方德最新的22FDX，22nm FD-SOI制程12寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，預計2019年第4季投產(chǎn)。

　　據了解，格羅方德的22FDX制程采用22nm FD-SOI(全耗盡型絕緣上覆矽)電晶體架構,為無(wú)線(xiàn)的、使用電池供電的智能系統提供業(yè)界最佳的性能、功耗和面積組合。未來(lái)，格羅方德在成都高新區打造的全球首條22nm FD-SOI 12寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，產(chǎn)品將廣泛應用于移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、智能設備、汽車(chē)電子等領(lǐng)域。