累計超千億美元，梳理中國十大半導體廠(chǎng)商投資項目

　　自2014年《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》發(fā)布并同期成立國家集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導小組和國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金以來(lái)，中國各地政府圍繞集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)行戰略部署，提升中國半導體產(chǎn)業(yè)在設計、制造和封測等技術(shù)上的長(cháng)足進(jìn)步，吸引了各路資本的迅猛支持，加大了自主創(chuàng )新的技術(shù)導入，推動(dòng)了集成電路大時(shí)代的到來(lái)。

　　筆者通過(guò)梳理《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》發(fā)布前后中國半導體投資案例，發(fā)現近年來(lái)圍繞紫光、武漢新芯、海力士、合肥長(cháng)鑫、三星、聯(lián)電、英特爾、福建晉華、臺積電、中芯國際等十家半導體廠(chǎng)商發(fā)生的中國十一大半導體投資案總額已經(jīng)超過(guò)1000億美元。

　　1、紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地項目投資案最大

　　2017年1月份，紫光集團宣布紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地及新IT投資與研發(fā)總部項目，在南京正式簽約，總投資2600億元人民幣，其中約300億美元投向紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地。

　　據悉，紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地項目由紫光集團投資建設，主要產(chǎn)品為3D-NAND FLASH、DRAM存儲芯片等，占地面積約1500畝。項目一期投資約100億美元，月產(chǎn)芯片10萬(wàn)片。

　　紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地項目位于南京市江北新區浦口經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區集成電路產(chǎn)業(yè)園，以存儲芯片及存儲器尖端制造環(huán)節為突破口，集存儲產(chǎn)品設計、技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)制造、銷(xiāo)售于一體，可帶動(dòng)設計、制造、封裝、測試等集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。

　　而除紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地項目外，紫光集團還將投資約300億元圍繞南京半導體產(chǎn)業(yè)基地建設配套IC國際城，包含科技園、設計封裝產(chǎn)業(yè)基地、國際學(xué)校、商業(yè)設施、國際人才公寓等綜合配套設施，由紫光集團旗下紫光云數科技有限公司為主體。該項目將遵循“國家戰略推動(dòng)、地方大力支持、企業(yè)市場(chǎng)化運作”三合一的新模式。該項目巨額的投資強度居中國集成電路行業(yè)單體投資前列，將產(chǎn)生巨大的虹吸效應，并吸引更多的產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)和科技人才聚集，加快本地高新產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　2、武漢新芯32層3D NAND芯片通過(guò)各項指標測試

　　2016年3月28日，國家存儲器基地項目揭牌落戶(hù)武漢新芯，項目總投資達240億美元(約1600億元人民幣)的存儲器基地正式啟動(dòng)，以生產(chǎn)Flash、DRAM等存儲芯片為主，發(fā)展3D NAND技術(shù)。

　　該項目位于湖北武漢東湖高新區的光谷智能制造產(chǎn)業(yè)園，建設內容包括芯片制造、產(chǎn)業(yè)鏈配套等，將在5年內投資240億美元，預計到2020年形成月產(chǎn)能30萬(wàn)片的生產(chǎn)規模，到2030年建成每月100萬(wàn)片的產(chǎn)能，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。而這一存儲器基地項目以芯片制造環(huán)節為突破口，涵蓋存儲器產(chǎn)品設計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷(xiāo)售等。

　　2016年7月26日，長(cháng)江存儲科技有限責任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)長(cháng)江存儲)正式成立。公司注冊資本分兩期出資，一期由國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、湖北國芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)(有限合伙)和湖北省科技投資集團有限公司共同出資，并在武漢新芯的基礎上建立長(cháng)江存儲，趙偉國任長(cháng)江存儲董事長(cháng)。武漢新芯將是長(cháng)江存儲的全資子公司。二期將由紫光集團和國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司共同出資。項目一期計劃2018年建成投產(chǎn)，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠(chǎng)房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產(chǎn)廠(chǎng)房和設備每平方米的投資強度超過(guò)3萬(wàn)美元。

　　長(cháng)江存儲將以武漢新芯現有的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎，繼續拓展武漢新芯目前的物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)布局，并著(zhù)力發(fā)展大規模存儲器。目前，長(cháng)江存儲的32層3D NAND芯片順利通過(guò)電學(xué)特性等各項指標測試，達到預期要求，預計2018年實(shí)現量產(chǎn)，并于2019年實(shí)現產(chǎn)能滿(mǎn)載。

　　3、SK海力士無(wú)錫12吋廠(chǎng)進(jìn)入六期技術(shù)升級

　　自2005年以來(lái)，歷經(jīng)5期重大投資建設，海力士在江蘇無(wú)錫12吋廠(chǎng)累計投資額達105億美元，是江蘇省單體投資規模最大的外商投資項目。

　　2017年6月，SK海力士12吋集成電路生產(chǎn)線(xiàn)六期技術(shù)升級項目，利用SK海力士半導體(中國)有限公司自有存量土地，引進(jìn)新設備，將半導體生產(chǎn)技術(shù)升級至1Y納米級別。項目建設后，形成每月9萬(wàn)片的生產(chǎn)能力。

　　據悉，本次六期工程將現有的20nm級產(chǎn)品大部分升級至10nm級產(chǎn)品的同時(shí)，進(jìn)一步降低10nm級產(chǎn)品的線(xiàn)寬。本項目建成后，全廠(chǎng)將形成總產(chǎn)量121K片/月12英寸集成電路芯片的生產(chǎn)能力，其中10nm級產(chǎn)品115K片/月，20nm級6K片/月。2017年計劃投資46億元，將于2019年建成投產(chǎn)。

　　4、合肥長(cháng)鑫興建12寸晶圓廠(chǎng)投產(chǎn)DRAM

　　2017年5月，由合肥市政府支持的合肥長(cháng)鑫公司宣布，預計由合肥長(cháng)鑫投資72億美元的金額，興建12寸晶圓廠(chǎng)以發(fā)展 DRAM 產(chǎn)品，以生產(chǎn) 19nm DRAM 產(chǎn)品為主，預計最大月產(chǎn)將能高達 12.5萬(wàn)片的規模。

　　據悉，這家由合肥長(cháng)鑫公司所創(chuàng )立，名稱(chēng)為 Rui-Li 集成電路公司的12寸晶圓廠(chǎng)，預計在 2018 年第 1 季開(kāi)始安裝生產(chǎn)設備，并且開(kāi)始與晶圓供應商進(jìn)行商談，以確保 2018 年內獲得穩定的晶圓供應。在晶圓廠(chǎng)建設完成之后，月產(chǎn)能預計將高達 12.5 萬(wàn)片，其規模與韓國SK Hynix現在的產(chǎn)能差不多。

　　目前，合肥長(cháng)鑫的施工速度要比長(cháng)江存儲的速度快一些，廠(chǎng)房正在加速建設中，預計9月完成。從產(chǎn)品的原型設計，到試量產(chǎn)仍需要一年多的時(shí)間，加上產(chǎn)能的提升，預計2019年2月才能實(shí)現大規模量產(chǎn)，2019年底有望實(shí)現12.5萬(wàn)片的月產(chǎn)能。

　　5、三星西安廠(chǎng)有望擴產(chǎn)，傳9月動(dòng)工

　　三星電子早在2012年宣布在陜西西安設立三星半導體西安工廠(chǎng)，工廠(chǎng)建設初期所投入23億美元資金，并計劃將在數年間對工廠(chǎng)階段性地分批投資70億美元。

　　根據計劃，三星電子計劃分三期建設完成，一期投資的12英寸閃存芯片項目在西安高新區開(kāi)工奠基，到2013年年底達到設計產(chǎn)能后，每月可生產(chǎn)NAND閃存芯片10萬(wàn)片。

　　2014年首次啟動(dòng)的西安工廠(chǎng)，是三星3D V-NAND的核心生產(chǎn)基地。相關(guān)人士表示，啟動(dòng)不到2年的西安工廠(chǎng)，如以晶圓投入基準來(lái)看，已逼近每月10萬(wàn)片水準，產(chǎn)量大大超過(guò)原本預估的6萬(wàn)~7萬(wàn)片水準。

　　2017年5月，三星電子正在考慮擴大西安工廠(chǎng)的產(chǎn)能，但具體細節還未確定，包括可能的投資規模以及新增產(chǎn)能將用于生產(chǎn)哪些產(chǎn)品。消息人士透露，三星與西安政府正進(jìn)行協(xié)商最后階段，很可能在9月動(dòng)工。目前，三星西安廠(chǎng)現有第一產(chǎn)線(xiàn)是在2014年興建，月產(chǎn)12萬(wàn)片NAND內存晶圓，若加上規劃中的第二產(chǎn)線(xiàn)，產(chǎn)量將達20萬(wàn)片。

　　6、聯(lián)電廈門(mén)12寸晶圓廠(chǎng)切入28納米，Q3量產(chǎn)

　　2015年3月晶圓代工廠(chǎng)聯(lián)電與廈門(mén)市政府、福建省電子信息集團合資成立晶圓廠(chǎng)聯(lián)芯集成電路開(kāi)始動(dòng)工，并在同年11月宣布，廈門(mén)12寸合資晶圓廠(chǎng)聯(lián)芯集成電路制造(廈門(mén))開(kāi)始營(yíng)運，這是首座兩岸合資12寸晶圓廠(chǎng)，投資金額將達到62億美元。

　　據悉，聯(lián)芯集成電路12寸廠(chǎng)于2014年底籌建，2016年12月試生產(chǎn)。初期將投入40/55納米晶圓代工，月產(chǎn)能可達6000片12寸約當晶圓的數量，后逐步過(guò)渡到最先進(jìn)的28納米，鎖定通訊、信用卡、銀聯(lián)卡等芯片應用。

　　2017年5月，聯(lián)芯在聯(lián)電的協(xié)助下，28納米制成初期投產(chǎn)的良率高達94%，顯示了聯(lián)電在28納米制程技術(shù)上的穩定性。目前，聯(lián)芯有40納米的月產(chǎn)能達6000片，2017年年底前月產(chǎn)能將拉高至1.6萬(wàn)片。

　　目前，聯(lián)電的先進(jìn)制程技術(shù)已前進(jìn)至14納米，轉投資的廈門(mén)聯(lián)芯也已獲準切入28納米。聯(lián)電財務(wù)長(cháng)劉啟東表示，聯(lián)芯引進(jìn)28納米制程之后，本季投產(chǎn)5000片，預計第3季產(chǎn)出，主要是供應大陸客戶(hù)通訊應用所需，后續規劃今年底前再增5000片設備裝機，明年初投產(chǎn)后，估計明年中會(huì )開(kāi)始有產(chǎn)出。后續聯(lián)芯產(chǎn)能擴增到2.5萬(wàn)片的部分，會(huì )以28納米為主，但擴產(chǎn)時(shí)程未定。

　　7、英特爾大連NAND Flash廠(chǎng)今年實(shí)現增資擴建

　　2015年10月20日，英特爾宣布與大連政府配合，將原先以 65 納米制程生產(chǎn)處理器芯片的中國大連廠(chǎng)，轉型為生產(chǎn)最新的 3D NAND Flash 芯片，總投資金額高達 55 億美元。據英特爾投資金額與大連廠(chǎng)的產(chǎn)能建置來(lái)評估，每個(gè)月至少可布建 30,000-40,000 片的 3D-NAND Flash。

　　英特爾大連工廠(chǎng)2007年奠基，2010年正式投產(chǎn)。2015年決定增加投資55億美元對英特爾大連工廠(chǎng)進(jìn)行升級改造，打造世界最先進(jìn)的非易失性存儲設備制造基地。2016年7月，升級改造工程實(shí)現提前投產(chǎn)。大連工廠(chǎng)是英特爾在全球首個(gè)使用300毫米晶圓領(lǐng)先生產(chǎn)技術(shù)的NVRAM產(chǎn)品集成電路制造中心。

　　2017年5月，英特爾公司在英特爾半導體(大連)有限公司正式發(fā)布DC P4500及P4600系列兩款世界領(lǐng)先的采用3D NAND技術(shù)的全新數據中心級固態(tài)盤(pán)新產(chǎn)品，并宣布將對英特爾大連工廠(chǎng)進(jìn)一步增資擴建。這兩款產(chǎn)品主要為云存儲解決方案所設計，可應用于軟件定義存儲及融合式基礎設施，代表著(zhù)世界領(lǐng)先水平，標志著(zhù)大連市集成電路產(chǎn)業(yè)躍上新高度，為大連成長(cháng)為世界級的存儲制造中心奠定了基礎。

　　8、福建晉華12寸DRAM廠(chǎng)，最快明年9月投產(chǎn)

　　2016年5月，福建晉江與福建省晉華集成電路(集成電路)公司簽約合作的12寸廠(chǎng)，負責DRAM的技術(shù)開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)的工作，最快2018年9月正式投產(chǎn)。

　　福建省晉華集成電路有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)晉華公司)是由福建省電子信息集團、晉江能源投資集團有限公司等共同出資的集成電路生產(chǎn)企業(yè)，是國家大基金積極布局的戰略項目。晉華項目總投資 370 億元(約53億美元)，已納入國家十三五集成電路重大項目清單，并得到第一筆 30 億元國家專(zhuān)項資金支持，將通過(guò)引進(jìn)臺灣和全球技術(shù)、人才、資源，打造中國第一個(gè)自主技術(shù)的內存制造項目及 12 吋晶圓廠(chǎng)，爭取 3-5 年內在國內主板上市。

　　據悉，福建省晉華12寸新廠(chǎng)初期將導入32納米制程，預期在2018年9月開(kāi)始試產(chǎn)，規劃每月 6 萬(wàn)片 12 吋晶圓產(chǎn)能，投入DRAM及相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)與銷(xiāo)售，預計2019年到2020年期間將月產(chǎn)能擴大至3萬(wàn)片。項目投產(chǎn)后，預計員工數將達 4000 多名。

　　2017年2月，聯(lián)電資深副總經(jīng)理陳正坤出任福建晉華集成電路總經(jīng)理，聯(lián)電表示，陳正坤將協(xié)助晉華建廠(chǎng)，力爭今年10月底完成FAB廠(chǎng)房主體結構，最快2018年9月正式投產(chǎn)。2017年4月~6月晉華已計劃推出R&D迷你產(chǎn)線(xiàn)，以實(shí)現每月5000片的產(chǎn)能。

　　9、臺積電南京12寸晶圓廠(chǎng)開(kāi)工，7nm 年內tape out

　　2016年3月28日，臺積電與南京市政府共同簽訂投資協(xié)議書(shū)，確立將以總投資額30億美元在南京市成立100%持股的臺積電(南京)有限公司，該公司下設一座12吋晶圓廠(chǎng)及一個(gè)設計服務(wù)中心。

　　臺積電在南京市的12吋晶圓廠(chǎng)位于南京市浦口經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區，該廠(chǎng)規劃月產(chǎn)能為2萬(wàn)片12吋晶圓，預計于2018年下半年開(kāi)始生產(chǎn)16納米制程，2019年規劃產(chǎn)能全部達產(chǎn)。這是繼聯(lián)電、力晶之后，臺灣赴大陸設立的第三座12寸晶圓廠(chǎng)，也是臺積電在大陸第一座12吋晶圓廠(chǎng)。

　　業(yè)界預計，臺積電南京廠(chǎng)投產(chǎn)后，臺積電芯片的全球占有率將由55%增至57%;臺積電的30億美元投資，將帶動(dòng)超過(guò)300億美元的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　2017年3月，臺積電南京有限公司總經(jīng)理羅鎮球表示，臺積電7納米預計2017年下半將為客戶(hù)tape-out生產(chǎn)。此外，他透露EUV最新曝光機臺在臺積電已經(jīng)可以達到連續3天穩定處理超過(guò)1500片12吋晶圓。臺積電南京廠(chǎng)預計2017下半年就要移入生產(chǎn)機臺;2018上半年試產(chǎn)，2018下半年正式投入量產(chǎn)。

　　10、英特爾15億美元入股紫光展銳，持股占比20%

　　2014年9月26日，英特爾和紫光集團今天共同宣布，雙方已簽署一系列協(xié)議，英特爾同時(shí)將向紫光旗下持有展訊通信和銳迪科微電子的控股公司投資人民幣90億元(約15億美元)，并獲得20%的股權。

　　雙方稱(chēng)，上述協(xié)議旨在通過(guò)聯(lián)合開(kāi)發(fā)基于英特爾架構和通信技術(shù)的手機解決方案，在中國和全球市場(chǎng)擴展英特爾架構移動(dòng)設備的產(chǎn)品和應用。

　　2017年2月，雙方深度合作的首款芯片SC9861G-IA正式問(wèn)世。展訊推出14nm八核64位LTE SoC芯片平臺SC9861G-IA，采用英特爾14納米制程工藝，內置英特爾Airmont處理器架構，具備高效的移動(dòng)運算性能和超低功耗管理，將為終端用戶(hù)帶來(lái)旗艦級的用戶(hù)體驗。英特爾從工藝制程到芯片架構給予了大力支持，期待展訊充分利用英特爾在工藝和應用上的優(yōu)勢，在市場(chǎng)競爭中抓住機會(huì )。

　　11、中芯國際收購意大利8寸晶圓代工廠(chǎng)LFoundry 70%股權

　　2016年6月24日，中芯國際、LFoundry Europe GmbH與Marsica Innovation S.p.A.共同宣布，三方簽訂協(xié)議，中芯國際將出資4900萬(wàn)歐元(約5680萬(wàn)美元)，收購由LFE以及MI控股的意大利集成電路晶圓代工廠(chǎng)LFoundry 70%的股份。

　　此次收購使中芯國際和LFoundry雙方受益，不僅提高了聯(lián)合產(chǎn)能，擴大整體技術(shù)組合，更能幫助中芯國際拓展在汽車(chē)電子市場(chǎng)的機會(huì )。據悉，2016年中芯國際12寸月產(chǎn)能達6.25萬(wàn)片，8寸月產(chǎn)能達16.2萬(wàn)片，折合8寸晶圓產(chǎn)能每月約30.26萬(wàn)片。LFoundry的8英寸晶圓產(chǎn)能為每月4萬(wàn)片，交易完成后 ，幫助中芯國際的整體產(chǎn)能提升約 13% ，有助于提高對客戶(hù)產(chǎn)能支援的靈活性，為中芯國際和 LFoundry帶來(lái)更多的商機 。

　　LFoundry致力于汽車(chē)電子、安全及工業(yè)應用，包括CIS、智能電力、輕觸式顯示屏及嵌入式存儲器等，這是中國內地集成電路晶圓代工業(yè)首次成功布局跨國生產(chǎn)基點(diǎn)，中芯國際不僅在政策收緊前完成了此次收購，還憑借此項收購正式進(jìn)駐全球汽車(chē)電子市場(chǎng)，實(shí)現在技術(shù)、產(chǎn)品、人才和市場(chǎng)方面的優(yōu)勢互補。