紫光為進(jìn)入全球存儲器廠(chǎng)商前五都干了什么？

　　近日，紫光集團董事長(cháng)趙偉國對公司的未來(lái)發(fā)展提出了兩大目標：一是希望到2020年時(shí)，能在移動(dòng)芯片領(lǐng)域大幅縮小與全球兩大手機芯片商高通和聯(lián)發(fā)科的距離;二是紫光要在十年內躍身成為全球前五大存儲器制造商。

　　對于紫光而言，第一個(gè)目標的實(shí)現相對來(lái)說(shuō)比較容易，畢竟自收購此前在美國上市的展訊和銳迪科之后，紫光在手機芯片設計領(lǐng)域的成就是有目共睹的。

　　不過(guò)，作為存儲器市場(chǎng)的“新人”，紫光一直屬于追趕者，但經(jīng)過(guò)近幾年來(lái)的戰略布局，紫光在存儲器領(lǐng)域的發(fā)展成功引起了業(yè)內的關(guān)注，盡管實(shí)現全球前五的目標難度不小，但也不是不可能。那么，趙偉國離這一夢(mèng)想的實(shí)現究竟還有多遠呢?

　　對外并購受阻 內部整合加速

　　從此前的國內發(fā)展到逐漸在全球市場(chǎng)上嶄露頭角，再到如今的多起行業(yè)并購，近年來(lái)，紫光為發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)開(kāi)啟了高速擴張模式，“買(mǎi)買(mǎi)買(mǎi)”的發(fā)展戰略也受到業(yè)界高度關(guān)注。

　　不過(guò)，隨著(zhù)收購存儲器大廠(chǎng)美光、入股硬盤(pán)大廠(chǎng)西部數據、入股臺灣封測廠(chǎng)商力成、矽品和南茂這一系列投資并購案的悉數破局，紫光的對外并購投資策略頻頻受阻。

　　但這并不影響紫光發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)的決心，不僅于2016年9月與西部數據成立了合資企業(yè)紫光西數，進(jìn)軍大數據存儲領(lǐng)域，同時(shí)還加速了紫光系內部資源的整合。

　　事實(shí)上，今年3月份，紫光間接控股子公司紫光國芯就曾以4836萬(wàn)元的價(jià)格收購了國內具有世界主流大容量存儲器核心設計開(kāi)發(fā)技術(shù)公司西安華芯半導體公司(現已更名為“西安紫光國芯”)24%的股權。

　　4月中旬，紫光系內部整合計劃再次發(fā)布，紫光國芯宣布擬以發(fā)行股份的方式收購紫光旗下子公司長(cháng)江存儲全部或部分股權。

　　短短幾個(gè)月時(shí)間，紫光系已經(jīng)先后宣布了兩項內部整合計劃，且都是在存儲器領(lǐng)域，無(wú)疑，這樣的整合方式有利于紫光在存儲器領(lǐng)域攥緊成拳、形成合力。

　　技術(shù)產(chǎn)能全力追趕

　　由于具備性能和成本優(yōu)勢，目前3D 堆疊技術(shù)備受業(yè)內追捧，已經(jīng)逐漸發(fā)展成為NAND Flash領(lǐng)域的主流制程。

　　大部分原廠(chǎng)也開(kāi)始將產(chǎn)能從2D 轉向 3D，包括三星、東芝/西數、SK海力士等在內的國際大廠(chǎng)，都已量產(chǎn)48層堆疊3D NAND Flash產(chǎn)品，但在更高堆疊層數的研發(fā)上，只有SK海力士發(fā)展較為迅速，已經(jīng)研發(fā)出72層3D NAND Flash產(chǎn)品。

　　東芝/西數陣營(yíng)的64層3D NAND Flash產(chǎn)品預計最快也要到今年5月底才能量產(chǎn)，三星64層產(chǎn)品則要到今年7月才能進(jìn)入生產(chǎn)階段。至于美光，目前該廠(chǎng)商的3D NAND Flash產(chǎn)品仍以32層堆疊為主，產(chǎn)出比重超過(guò)50%。

　　紫光作為國內存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的龍頭，自然也不會(huì )錯過(guò)這次機會(huì )。事實(shí)上，在3D NAND Flash的技術(shù)研發(fā)方面，紫光的起點(diǎn)雖然較低，但速度還是較快。

　　有消息稱(chēng)，長(cháng)江存儲計劃在今年年底提供32層堆疊3D NAND Flash閃存樣品，然后繼續開(kāi)發(fā)64層堆疊。

　　而在產(chǎn)能擴張方面，紫光更是毫不“手軟”。

　　2016年7月，紫光將當時(shí)承擔國內NAND Flash拓荒重任的武漢新芯納入麾下，并且成立了長(cháng)江存儲。其中包括建造3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash工廠(chǎng)，預計到2020年實(shí)現月產(chǎn)能30萬(wàn)片12寸晶圓，到2030年月產(chǎn)能提升至100萬(wàn)片。

　　此后，紫光開(kāi)始大刀闊斧地投資建廠(chǎng)，董事長(cháng)趙偉國曾在“2016年十大經(jīng)濟年度人物”頒獎典禮上表示，今年將在成都和南京打造兩座半導體產(chǎn)業(yè)基地，總投資規模達460億美元。

　　資料顯示，南京半導體項目建成后將主要用于3D NAND Flash以及DRAM存儲器芯片的生產(chǎn)，首期投資約為100億美元，規劃月產(chǎn)能10萬(wàn)片每月。

　　至于成都方面，4月22日，紫光總投資不低于2000億元的IC國際城項目已經(jīng)正式落戶(hù)成都天府新區，其中就包括200億美元左右的12寸晶圓廠(chǎng)，雖然目前尚不清楚該工廠(chǎng)的具體用途，但從紫光近期的發(fā)展布局來(lái)看，很有可能也是用于3D NAND Flash產(chǎn)品的生產(chǎn)。

　　此外，在人才計劃方面，紫光已經(jīng)向全球存儲器高端、專(zhuān)業(yè)人才發(fā)出了招募計劃，包括前華亞科董事長(cháng)高啟全、總經(jīng)理梅國勛、聯(lián)電前CEO孫世偉等在內的行業(yè)大咖都已經(jīng)加盟紫光。

　　所以，綜合來(lái)看，不管是從產(chǎn)業(yè)布局，還是技術(shù)研發(fā)，紫光都已經(jīng)拿到了與國際大廠(chǎng)PK的入場(chǎng)券，至于能否實(shí)現十年內進(jìn)入全球存儲器前五的目標，還需拭目以待。