臺積電三星英特爾激戰！內存市場(chǎng)已前進(jìn)下一個(gè)時(shí)代

　　《韓國經(jīng)濟日報》報導，傳三星電子 (Samsung Electronics) 已在磁阻式隨機存取內存 (MRAM) 取得重大進(jìn)展，市場(chǎng)估計在 5 月 24 日的一場(chǎng)晶圓廠(chǎng)商論壇上，三星電子將會(huì )發(fā)布該公司所研發(fā)的 MRAM 內存。

　　由于標準型內存 DRAM、NAND Flash 等微縮制程已逼近極限，目前全球半導體巨擘皆正大舉發(fā)展次世代內存「磁電阻式隨機存取內存 (MRAM)」，與含 3D XPoint 技術(shù)的「相變化內存 (PRAM)」及「電阻式動(dòng)態(tài)隨機存取內存 (RRAM)」。

　　上述三類(lèi)次世代內存皆具有非揮發(fā)性?xún)却婕夹g(shù)，兼具高效能及低耗電之特性，估計這類(lèi)次世代內存處理速度，將比一般閃存內存還要快上十萬(wàn)倍。

　　目前三星電子正大力發(fā)展 MRAM 內存，而另一半導體巨擘英特爾 (INTC-US) 則是強攻含 3D XPoint 技術(shù)的 PRAM 型內存。

　　全球最大半導體代工廠(chǎng)臺積電 (2330-TW) 亦曾在 4 月 13 日對外說(shuō)明，臺積電絕對不會(huì )踏入標準型內存領(lǐng)域，因為臺積電目前已具備「量產(chǎn)」MRAM 及電阻式動(dòng)態(tài)隨機存取內存 (RRAM) 等新型內存之技術(shù)。

　　據韓國半導體業(yè)內人士透露，全球半導體巨擘正在次世代內存市場(chǎng)內強力競爭，這很可能將全面改變半導體市場(chǎng)的發(fā)展前景，并成為未來(lái)半導體代工的主要業(yè)務(wù)之一。

　　《韓國經(jīng)濟日報》表示，磁電阻式隨機存取內存 (MRAM)、相變化內存 (PRAM)、電阻式動(dòng)態(tài)隨機存取內存 (RRAM) 等三大次世代內存中，又以 MRAM 的處理速度最快，但也是最難量產(chǎn)的內存類(lèi)型。

　　據了解，目前歐洲最大半導體商恩智浦半導體 (NXPI-US) 已經(jīng)決定采用三星電子的 MRAM 內存，以應用在相關(guān)的物聯(lián)網(wǎng)裝置之上。