中國“芯”力量崛起 存儲器業(yè)春天加速到來(lái)

　　在看國產(chǎn)芯片崛起最新相關(guān)消息之前先來(lái)深入了解一下芯片的構造。指內含集成電路的硅片，體積很小，常常是計算機或其他電子設備的一部分。

　　從1930年代開(kāi)始，元素周期表中的化學(xué)元素中的半導體被研究者如貝爾實(shí)驗室的WilliamShockley認為是固態(tài)真空管的最可能的原料。從氧化銅到鍺，再到硅，原料在1940到1950年代被系統的研究。今天，盡管元素中期表的一些III-V價(jià)化合物如砷化鎵應用于特殊用途如：發(fā)光二極管，激光，太陽(yáng)能電池和最高速集成電路，單晶硅成為集成電路主流的基層。創(chuàng )造無(wú)缺陷晶體的方法用去了數十年的時(shí)間。

　　隨著(zhù)市場(chǎng)需求的攀升，存儲芯片影響力不斷增強。據統計，目前國內已有四家公司計劃發(fā)力存儲器市場(chǎng)。隨著(zhù)這幾股“芯”力量的崛起，我國存儲器業(yè)春天有望加速到來(lái)。

　　全球物聯(lián)網(wǎng)、大數據中心、智能家居、便攜設備等應用的發(fā)展不斷豐富著(zhù)我們的物質(zhì)生活和精神生活，這些應用的正常運行都離不開(kāi)半導體數據存儲芯片。近年來(lái)，隨著(zhù)市場(chǎng)需求的猛增，存儲芯片影響力不斷增強。

　　市場(chǎng)人士認為，考慮到投資的生產(chǎn)收益減少，加上芯片制造商謹慎管理產(chǎn)能，記憶體芯片產(chǎn)業(yè)的有利形勢或將能貫穿2017年全年。

　　反觀(guān)國內，我國作為全球制造業(yè)基地，存儲器消耗量驚人。據統計，中國存儲器消耗量占全球總消耗量的50%以上，但國產(chǎn)存儲產(chǎn)品卻屈指可數。此外，我國在存儲器芯片領(lǐng)域長(cháng)期面臨市場(chǎng)需求大而自主知識產(chǎn)權和關(guān)鍵技術(shù)缺乏的困境，開(kāi)展大容量存儲技術(shù)的研究和相關(guān)產(chǎn)品研制迫在眉睫。

　　2014年6月，國務(wù)院印發(fā)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，將半導體產(chǎn)業(yè)新技術(shù)研發(fā)提升至國家戰略高度。在此背景下，為推動(dòng)自主存儲芯片技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，中國科學(xué)院微電子研究所與長(cháng)江存儲科技有限責任公司建立戰略合作，集中開(kāi)展3DNAND領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)的全方位攻關(guān)。

　　不止于此，據目前的報道，國內已有四家公司欲做存儲器，分別是武漢長(cháng)江存儲，投資240億美元，一期10萬(wàn)片，目標是自己研發(fā)的3DNAND閃存;另一家是泉州晉華，投資約60億美元，做利基型DRAM，技術(shù)來(lái)源于臺聯(lián)華(UMC);還有一家是合肥智聚，投資80億美元，于2016年6月已經(jīng)開(kāi)工，計劃今年年底左右進(jìn)入設備安裝階段;最后一家是南京紫光，投資300億美元，具體計劃尚未公布。

　　隨著(zhù)這幾股“芯”力量的崛起，我國存儲器業(yè)春天有望加速到來(lái)。因此，中國半導體業(yè)的發(fā)展必定會(huì )跨入全球存儲器的行列之中。至于未來(lái)能有多大作為，要看自身的努力程度和機遇，但是必須要在研發(fā)方面有所突破，或者在存儲器生產(chǎn)線(xiàn)的運營(yíng)中能夠掌握它的獨特規律。

　　可以說(shuō)，中國半導體業(yè)用存儲器作為IDM模式的突破口，是個(gè)新的嘗試。這一新嘗試需要的不僅是信心，還有足夠的耐心。要知道，中芯國際經(jīng)過(guò)15年的歷程，才剛達到年銷(xiāo)售額30億美元，由此推算，到2025年時(shí)再來(lái)回顧中國存儲器業(yè)可能也不遲。