全球3D NAND大軍技術(shù)對決 下半年產(chǎn)出可望大增

　　2017年將是3DNANDFlash應用市場(chǎng)快速崛起的關(guān)鍵年，包括三星電子(SamsungElectronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)等陸續推出具競爭力的64層3DNANDFlash加入競局，SK海力士(SKHynix)更一舉跳到72層3DNANDFlash技術(shù)以求突圍，由于新舊技術(shù)轉換，良率仍不穩定，加上固態(tài)硬碟(SSD)需求起飛，造成NANDFlash市場(chǎng)大缺貨，業(yè)者預期2017年下半產(chǎn)出可望大增，全面開(kāi)啟3DNANDFlash時(shí)代。三星在2016年底宣布量產(chǎn)64層3DNAND技術(shù)，在整體市場(chǎng)競局持續技術(shù)領(lǐng)先地位，但從2D技術(shù)轉換到3DNAND過(guò)程中，面臨2D產(chǎn)品投片量減少，3DNAND初期良率又不穩定，讓整個(gè)NANDFlash市場(chǎng)缺貨問(wèn)題更嚴重，業(yè)者預期三星64層3DNAND會(huì )在5、6月開(kāi)始放量生產(chǎn)，可望紓解市場(chǎng)吃緊狀況。

　　三星2017年3DNAND投資規模將高于先前計劃，三星平澤半導體廠(chǎng)預計最快6月完工，7月有機會(huì )正式投產(chǎn)，并進(jìn)一步擴大增設3DNAND生產(chǎn)線(xiàn)，三星2017年在半導體投資額將創(chuàng )下史上新高紀錄，上看176億美元。三星過(guò)去在DRAM市場(chǎng)大舉投資的成功經(jīng)驗，可能運用在NANDFlash技術(shù)與產(chǎn)能，借以拉大與競爭對手差距。

　　美光原本是生產(chǎn)32層3DNAND產(chǎn)品，之后跳過(guò)48層技術(shù)，直接投入研發(fā)生產(chǎn)64層3DNAND產(chǎn)品，預計2017年第2季開(kāi)始量產(chǎn)，提供42GB和64GB產(chǎn)品，下半年出貨可望放量，2018年更計劃推出128GB產(chǎn)品，希望同時(shí)搶攻消費性SSD和企業(yè)SSD兩大應用市場(chǎng)。

　　半導體業(yè)者表示，NANDFlash技術(shù)微縮逐漸面臨瓶頸，全球存儲器大廠(chǎng)紛紛從2DNAND技術(shù)轉到堆疊式3DNAND技術(shù)，以持續追求成本降低，美光第一代32層3DNAND相較于16納米制程2DNAND技術(shù)，成本至少減少25%，而第二代64層3DNAND技術(shù)的成本可再減少30%，美光計劃第2季量產(chǎn)64層3DNAND產(chǎn)品。

　　SK海力士原本生產(chǎn)36層和48層3DNAND產(chǎn)品，為能在3DNAND市場(chǎng)攻城略地，SK海力士跳過(guò)三星、美光、東芝競逐的64層產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，直接跳到72層3DNAND技術(shù)，推出容量高達256Gb的第四代72層3DNAND產(chǎn)品，預計2017年下半進(jìn)入量產(chǎn)，全力超越競爭對手所推出的64層3DNAND產(chǎn)品。

　　目前NANDFlash市場(chǎng)除了供給端遭逢新舊技術(shù)交接、良率不穩定，導致供給量減少，在終端市場(chǎng)更適逢固態(tài)硬碟需求大爆發(fā)，由于遇上NANDFlash晶片缺貨，近期部分下游廠(chǎng)商反應很多大陸系統廠(chǎng)接獲智能型手機標案，但缺少足夠的存儲器可以出貨，通路端甚至把128GBSSD降到96GB容量，以因應整體市場(chǎng)供給吃緊情況。

　　現階段三星仍穩居全球固態(tài)硬碟市場(chǎng)龍頭，其次是存儲器模組大廠(chǎng)金士頓(Kingston)，至于美光、新帝(SanDisk)、東芝、創(chuàng )見(jiàn)等緊跟在后，分食全球固態(tài)硬碟市場(chǎng)大餅。

　　隨著(zhù)各大NANDFlash陣營(yíng)紛紛轉進(jìn)具競爭力的64層和72層3DNAND技術(shù)，減少2DNAND生產(chǎn)，業(yè)者預計2017年第4季3DNAND總產(chǎn)出將超越2DNAND產(chǎn)品，成為整個(gè)NANDFlash市場(chǎng)主力，2017年3DNAND時(shí)代正式來(lái)臨，并在2018年進(jìn)入96層技術(shù)世代。